更新日： 集計期間:2025年04月02日～2025年04月29日
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高電圧モジュール
DYNEX社のIGBTモジュールは、大型電流では3600A対応のものまであり、IGBTインバーターのフリーホイル・ダイオードとして使用されるファースト・リカバリ・ダイオード・モジュールも20機種取り揃えている。生産ラインの特長としては単体スイッチのほか、チョッパ、2個入り、半ブリッジ、双方向性（マトリックス型）など多種にわたる上に、機能性でも標準型、トレンチゲート型（低ロス）、ソフトパンチスルー型（高信頼性）の各種を調えている。
GSA75AA120 IGBTモジュール
・小型 高信頼性パッケージ 小型高信頼性のSOT-227標準パッケージ・ヒートシンクへの直接取り付けが可能・絶縁耐圧2500V・RoHS対応 ・優れた高速性能(40~70khz) 高速性能に特化したIGBTチップを採用しIGBTに合わせて最適設計した高速ダイオードを搭載
GSA100AA60 IGBTモジュール
・低スイッチング周波数領域での低損失を追求 SanRex社独自の専用IGBTチップ採用により低Vce(sat)を実現(1.12V Typ 125℃) ・小型 高信頼性パッケージ AC/DC TIG溶接機構成例 SOT-227パッケージの他デバイスとの組み合わせにより搭載機器の小型化に貢献
バイポーラデバイスの高耐圧・低オン抵抗！半導体に電圧を印加する3端子デバイス
『IGBT』は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタとも呼ばれ、 入力部がMOSFET構造、出力部がバイポーラー構造のトランジスタです。 MOSFETとバイポーラトランジスタの長所を両立させたような特性で、 MOSFETと同様に高速スイッチングが可能。 P-N-P-Nの4層からなる半導体素子により構成されて、数kVまでの 電力制御用途によく使われています。 【ラインアップ(抜粋)】 ■Toshiba Nチャンネル IGBT GT60PR21 STA1F(S ■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM195GB066D ■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM100GB12T4 ■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM145GB066D ■IXYS Nチャンネル IGBT IXGH32N170 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
TRENCHSTOP IGBT7および1200V CoolSiC ショットキーダイオードを搭載！
当社で取り扱っている「F3L600R10W4S7F_C22」についてご紹介いたします。 内部のANPCトポロジーは、DC1500Vのソーラーストリングインバーターに 好適で、1枚のモジュール構成で最大350kWを実現します。 他のEasyシリーズと同じ高さ12mmのパッケージのため、お客様の設計に 合わせたアップグレードが容易に行えます。また、ケーブルなどの部品が 少なくて済むため、システムコストを削減することができます。 【特長】 ■新しいEasy4Bパッケージ ■ANPCトポロジー ■950V TRENCHSTOP IGBT7と1200V CoolSiC ショットキーダイオード ■PressFITピン ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高出力アプリケーション向けの新しく柔軟なIGBTプラットフォームです。
Infineon Technologies社の『XHP 3』は、高い信頼性と高電力密度を実現する拡張性の高い設計が可能なモジュールです。 トラクション(電鉄)、CAV、海上輸送、中電圧駆動機器など、要件が厳しい アプリケーションに対して優れたソリューションを提供します。 現在 2つのモデルがあり、それぞれ同じサイズのため、好適な電力変換 コンセプトを組み込むために異なる定格電流や定格電圧を採用しても、 製品設計者は均一なソリューションを構築することができます。 【特長】 ■優れたシステム拡張性 ■シンプルな機械的設計によりデザインインのプロセスを加速 ■損失を低減したクリーンなスイッチング動作 ■絶縁（10kV）に対する要求が高い3レベルアプリケーションに対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
IGBT7を搭載！電力密度が高く、スイッチング周波数が向上しているため、冷却を簡素化できます
『EconoPIM／PACK2／PACK3』は、TRENCHSTOP IGBT7チップが搭載された IGBTモジュールです。 過負荷状態での連続運転温度（Tvjop）は最大175℃で、産業用ドライブ アプリケーションに好適。IGBT7は、IGBT4に比べて電力密度が高く、 スイッチング周波数が向上しているため、冷却を簡素化できます。 全体として動作条件を変えることなく、同等以上の製品寿命を実現しています。 【特長】 ■耐圧1200V、定格電流35A～200A ■Econo2、Econo3パッケージ ■PIMおよび6パックトポロジー ■TRENCHSTOP IGBT7チップ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高速スイッチング素子、高速リカバリー整流素子
1.スイッチング速度が+1秒台 2.整流速度が+1秒台 3.2500VまでのIGBT 4.絶縁放熱型パッケージ 5.45MHz台の高速ドライバー
熱伝導材料(TIM)があらかじめ塗布！高い自動化レベルを実現
「EasyPACK 2B IGBTモジュール」は、IGBT4とEmitter-controlled 4ダイオードを搭載している製品です。 「EasyBRIDGE 2200V 整流器モジュール」は、2.2 kV整流 ダイオードを搭載し、Easy 1Bパッケージに収められています。 どちらのモジュールも、熱伝導材料(TIM)があらかじめ塗布されており、 お客様は生産工程でサーマルグリスを扱う必要がなくなり、高い自動化 レベルを実現可能です。 【特長】 ＜EasyPACK 2Bパッケージ＞ ■IGBT4 チップ世代 ■Emitter-controlled 4ダイオード ■1700V、75A ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
絶縁耐圧2500V！高速性能に特化したIGBTを採用したモジュール
『GSA75AA120』は、UL規格対応のIGBTモジュールです。 小型、高信頼性のSOT-227標準パッケージ。高速性能に特化したIGBTを 採用し、IGBTに合わせて好適設計した高速ダイオードを搭載しております。 また、ヒートシンクへの直接取り付けが可能です。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■優れた高速性能(40kHz～70kHz) ■小型・高信頼性パッケージ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
小型、高信頼性のSOT-227標準パッケージ！ヒートシンクへの直接取り付けが可能
当社で取り扱う、IGBTモジュール『GSA100AA60』をご紹介いたします。 当社独自の専用IGBTチップの採用により低Vce(sat)を実現(1.21V Typ 125℃)。 無停電電源装置(UPS)などのバイパスACスイッチや表面処理用正逆反転パルス 電源などへの用途に好適です。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■低スイッチング周波数領域での低損失を追求 ■小型・高信頼性パッケージ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
高電力密度製品のラインアップ拡張！クラス最高レベルの低い導通損失
当社で取り扱う「デュアルIGBTモジュール 1200V/1600A」について、 ご紹介いたします。 TRENCHSTOP IGBT7技術を搭載したドライブおよびCAVアプリケーションが ターゲット。 PrimePACK2 1600Aは、同一パッケージで電流出力が77％向上し、 PrimePACK3よりもフレームサイズを縮小できます。 【特長】 ■先進TRENCHSTOP IGBT7チップ技術 ■スイッチング周波数1kHz～2.5kHzでクラス最高レベル ■パッケージ絶縁VISOL 4kV ■高い耐湿性と耐硫化水素(H2S) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
外付けの電流センサーからの置き換えが可能！システム設計の簡素化、システムコストの削減を実現
当製品は、EconoDUAL3パッケージの新しいTRENCHSTOP IGBT7 モジュールです。 シャント、Emitter Controlled 7ダイオード、NTC、PressFIT コンタクト技術を搭載。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【主な特長】 ■電流計測用シャント抵抗を内蔵したEconoDUAL 3 ■IGBT4または先進のIGBT7テクノロジーを搭載 ■最大電流750Aまで対応可能(IGBT 7) ■過負荷時のTvjopは最大175℃(TRENCHSTOP IGBT7) ■PressFITコントロールピンとねじ止めパワー端子 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
すべてのアプリケーションタイプと出力範囲に同じプラットフォームを使用することで、製品の迅速な市場投入が可能！
IGBT5と.XTを搭載した当製品は、要求されるシステムの可用性と長期耐久性に 加えて、高い信頼性と堅牢性に応えます。 より高い電力密度を可能にし、.XT相互接合技術はサーマルサイクルおよび パワーサイクル能力の向上により寿命を延ばします。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【主な特長】 ■低インダクタンスの設計向けに最適化 ■動作時の最大ジャンクション温度を拡張 ■Tvjop ＝ 175℃ ■IGBT4に比べて出力電流を25％以上増加 ■銅ボンディング接合による高い通電能力 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
