IXYS半導体：IGBT、MOSFET、FRED、SCR、DIODE、絶縁モジュール、ドライバー、DCB基板、高電圧DIODE
高速スイッチング素子、高速リカバリー整流素子
1.スイッチング速度が+1秒台 2.整流速度が+1秒台 3.2500VまでのIGBT 4.絶縁放熱型パッケージ 5.45MHz台の高速ドライバー
- 企業：株式会社トランシー
- 価格：応相談
IGBT(制御) - メーカー・企業と製品の一覧
更新日： 集計期間:2025年07月23日～2025年08月19日
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IGBTの製品一覧
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【分析事例】低温顕微PL分析によるSi系IGBTチップ断面の評価
断面方向からライフタイムキラーの影響を確認することが可能です
IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)はパワー半導体モジュールとして、家電用品から産業機器まで様々な製品に使用されています。 IGBTは特性改善のためにライフタイム制御が行われていますが、この制御はドリフト層に欠陥（ライフタイムキラー）を作成することによって行われています。断面からの低温顕微PL分析を行うことによって、ライフタイムキラーに関する知見を得ることが可能です。
- 企業：一般財団法人材料科学技術振興財団 MST
- 価格：応相談
逆導通IGBT『600 V RC-D2』
低スイッチング損失！手ごろな価格でプラグアンドプレイソリューションを提供します
SOT-223パッケージ搭載600V TRENCHSTOP『600 V RC-D2』をご紹介します。 ハードスイッチング低電力ドライブアプリケーション向けの第2世代 TRENCHSTOP RC技術は、幅広い低電力ドライブアプリケーション用に 手ごろな価格でプラグアンドプレイソリューションを提供。 向上した耐湿性をはじめ、20kHzまでの動作範囲、優れた制御性、新価格・ 性能基準といった特長を持つ製品です。 【特長】 ■競争力のある価格で低スイッチング損失 ■コントロール性の向上 ■耐湿性の向上 ■製品の設計が容易：SMDのDPAKおよびSOT-223パッケージへドロップイン交換 ■SOT-223でSMAのインバータ化が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
- 価格：応相談
EconoDUAL3モジュール『FF300R12ME7_B11』
高い電力密度と性能によりシステムコスト削減！より低い電流定格を備えたラインアップ
『FF300R12ME7_B11』は、TRENCHSTOP IGBT7チップを搭載し、 300～900Aの電流定格を実現したEconoDUAL 3モジュールです。 TRENCHSTOP IGBT7技術との組み合わせにより、損失の大幅な低減、 高レベルの制御性とソフトなスイッチング、高い短絡耐量を実現。 過負荷時の最大動作温度175℃にあわせて、高い効率と電力密度を実現し、 システムの簡素化とコスト削減を可能にします。 【特長】 ■300～900Aのフルラインアップ ■1200V ■TRENCHSTOP IGBT7チップ世代 ■高電流クラス用に改良されたパッケージ（750A、900A用） ■PressFIT制御ピンとネジ式パワー端子 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
- 価格：応相談
1200V TRENCHSTOP IGBT7 S7
SCデバイス中で高い熱性能を提供！ハードスイッチングアプリケーションに特化して設計！
『1200V TRENCHSTOP IGBT7 S7』は、フル定格で非常にソフトな ダイオードを内蔵した製品です。 VCE（sat）の低減、制御性の向上、SCデバイス中で高い熱性能を提供し、 HV-H3TRBと宇宙線耐性により堅牢性が向上。 産業用モータードライブ、産業用電源、ソーラーインバーターなどの 短絡耐量が求められるハードスイッチングアプリケーションに特化して 設計されています。 【特長】 ■フル定格のソフトで低Qrrのダイオードを搭載したIGBT ■低飽和電圧VCE（sat）＝2.0V（Tvj＝175℃） ■ハードスイッチングトポロジーに最適化（2レベルインバータ、3L NPC Tタイプ） ■短絡耐量：8μsec ■8A、15A、25A、40A、50Aのデバイスをラインアップ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
- 価格：応相談
DYNEX（ダイネックス）社 6500V/400AのIGBTモジュール
高電圧モジュール
DYNEX社のIGBTモジュールは、大型電流では3600A対応のものまであり、IGBTインバーターのフリーホイル・ダイオードとして使用されるファースト・リカバリ・ダイオード・モジュールも20機種取り揃えている。生産ラインの特長としては単体スイッチのほか、チョッパ、2個入り、半ブリッジ、双方向性（マトリックス型）など多種にわたる上に、機能性でも標準型、トレンチゲート型（低ロス）、ソフトパンチスルー型（高信頼性）の各種を調えている。
- 企業：株式会社トランシー
- 価格：応相談
【ディスクリート】IGBT ラインアップ一覧
バイポーラデバイスの高耐圧・低オン抵抗！半導体に電圧を印加する3端子デバイス
『IGBT』は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタとも呼ばれ、 入力部がMOSFET構造、出力部がバイポーラー構造のトランジスタです。 MOSFETとバイポーラトランジスタの長所を両立させたような特性で、 MOSFETと同様に高速スイッチングが可能。 P-N-P-Nの4層からなる半導体素子により構成されて、数kVまでの 電力制御用途によく使われています。 【ラインアップ(抜粋)】 ■Toshiba Nチャンネル IGBT GT60PR21,STA1F(S ■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM195GB066D ■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM100GB12T4 ■Semikron Nチャンネル IGBTモジュール SKM145GB066D ■IXYS Nチャンネル IGBT IXGH32N170 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：アールエスコンポーネンツ株式会社
- 価格：応相談
逆並列ダイオード搭載 1350V 保護IGBT Fシリーズ
IH設計に必要な既存の電流検出レジスタとともに、独自の電流検出回路を内蔵
Infineon 1350V 保護IGBT Fシリーズ 詳細： 保護IGBT Fシリーズは、IH調理アプリケーション向けに6ピンの TO-247パッケージにRC-H5テクノロジー 1350V, 20A IGBTと 独自の保護ゲートドライバICを組み合わせた製品です。 利点： ■ しきい値を超えてオンする事でボードの複雑さとコストを低減 ■ ボードの複雑さを軽減し、ソリューション全体のコストを削減 ■ ボード上の複雑さとデザインインの手間を軽減 ■ シンプルなBOMとトータルショリューション用コストの削減
- 企業：旭テック株式会社 大阪本社/東京支店/名古屋営業所
- 価格：応相談
AIKQ120N75CP2/AIKQ200N75CP2
堅牢な設計！スイッチング損失低減と冷却設計の効率化に貢献する高速動作
『AIKQ120N75CP2/AIKQ200N75CP2』は、xEV トラクション インバーター用に 設計されたインフィニオン車載用750V EDT2 ディスクリートIGBT、 To247PLUSパッケージです。 並列化により、異なる電力クラスのインバーターを同一製品で対応でき、 電力の拡張性とコストの最適化が可能。 470Vdcシステム対応のベンチマーク品質とスイッチング性能があります。 【特長】 ■コレクターエミッター間耐圧750V ■スムーズなスイッチング特性 ■きわめて低いVCE(sat)、IC(nom)=200Aで1.30V ■高い短絡耐量 ■きわめて緻密なパラメータ分布 ■低ゲート電荷QG ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
- 価格：応相談
TRENCHSTOP RC-D2 600V パワーIGBT
SOT-223パッケージ搭載！ハードスイッチング低電力ドライブアプリケーション向け
当社の「TRENCHSTOP RC-D2 600V パワーIGBT」をご紹介いたします。 ハードスイッチング低電力ドライブアプリケーション向けの第2世代 TRENCHSTOP RC技術。 低電力ドライブアプリケーション用に手ごろな費用でプラグアンド プレイソリューションを提供します。 【特長】 ■向上した耐湿性 ■高コレクタエミッタ電圧600V、3μS SCWT定格 ■20kHzまでの動作範囲 ■優れた制御性 ■新コスト・性能基準 ■SOT-223パッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
- 価格：応相談
IGBTモジュール 1700 V/1200 A
すべてのアプリケーションタイプと出力範囲に同じプラットフォームを使用することで、製品の迅速な市場投入が可能！
IGBT5と.XTを搭載した当製品は、要求されるシステムの可用性と長期耐久性に 加えて、高い信頼性と堅牢性に応えます。 より高い電力密度を可能にし、.XT相互接合技術はサーマルサイクルおよび パワーサイクル能力の向上により寿命を延ばします。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【主な特長】 ■低インダクタンスの設計向けに最適化 ■動作時の最大ジャンクション温度を拡張 ■Tvjop ＝ 175℃ ■IGBT4に比べて出力電流を25％以上増加 ■銅ボンディング接合による高い通電能力 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
- 企業：インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
- 価格：応相談
