更新日： 集計期間:2026年09月16日～2026年10月13日
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産業機器・電源・バッテリー向け。低オン抵抗・高効率・高信頼MOSFETの選定と置換をサポート
株式会社アクアスでは、産業機器・電源・バッテリーシステム向けに、高性能パワーMOSFETソリューションを提供しています。 Oriental SemiconductorおよびJSCJ（長電科技）製MOSFETを中心に、SGT MOSFET、SJ MOSFET、Trench MOSFET、Planar MOSFETなど、用途や回路条件に適したデバイス選定をサポートします。 低オン抵抗による損失低減、高効率化、放熱改善が求められるBMS、AGV、ロボット、モーター制御、産業用電源、DC/DCコンバータなど幅広い用途に対応。 また、Infineon、onsemi、AOS、Vishay、ROHMなど海外メーカー製MOSFETからの置換、セカンドソース検討、供給安定化、コスト最適化についても、型番比較・仕様確認・サンプル評価までサポートいたします。
2つのディスクリートパッケージを置き換えることで、基板上の電源部を少なくとも50％縮小することが可能！
『スケーラブルパワーブロック』は、インフィニオンのパッケージ イノベーションであり、ローサイドとハイサイドの両方のMOSFETを、 さまざまなアプリケーションを対象としたコンパクトなリードレスSMD (6.3 x 6.0 mm2)パッケージに搭載しています。 リード製品には、先進のOptiMOS 6 40 VおよびOptiMOS 5 100 Vシリコン 技術があり、コンパクトな実装面積で優れた性能を発揮。 2つのディスクリートパッケージを置き換えることで、お客様は基板上の 電源部を少なくとも50％縮小することができます。 【主な特長】 ■高いチップ/パッケージ比 ■最適化されたリードフレームとCuクリップ設計 ■ローサイドとハイサイドを内部接続 ■両面放熱 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
Vgs(th)のばらつきを抑え、並列接続能力を向上させることにより、スケーリングが容易になり、電力出力が向上！
『OptiMOS 6 135 V』は、小型電気自動車(LEV)、電子フォークリフト、 電動工具、園芸工具などの高出力モーター制御アプリケーションや、 主に72 Vや84 Vのバッテリーを使用するUPSを対象にしています。 本製品ファミリーは、120 Vと150 VのMOSFET間のギャップを効果的に埋め、 低いRDS(on)で高性能を実現し、効率的な電力処理、電力損失の低減を 実現します。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【主な特長】 ■Vgs(th)のばらつきが少ない ■きわめて低い逆回復電流(Qrr) ■幅広いパッケージラインアップ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
低ゲート、低出力、低逆回復電荷！優れた温度特性でUSB-PDや急速充電器の設計に好適です
『OptiMOS PD』は、MOSFETの新たな製品ラインアップです。 USB-PDや急速充電器の設計に好適。短いリードタイムと 迅速な見積もり回答でお客様をサポートします。 低ゲート、低出力、低逆回復電荷で優れた温度特性を持ち、 2種類の小型標準パッケージを用意しております。 【特長】 ■ロジックレベルの可用性 ■低いオン抵抗RDS（on） ■低ゲート、低出力、低逆回復電荷 ■優れた温度特性 ■2種類の小型標準パッケージを用意 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
低周波かつ大電流のスイッチングアプリケーション向けに最適化！
当社で取り扱う「Nチャンネル パワーMOSFET 600V-温度センサー搭載」 について、ご紹介いたします。 温度センサーを搭載した当製品は、容易な実装と共にジャンクション 温度の検出精度とロバスト性を向上。 ソリッドステートリレー、サーキットブレーカー設計、SMPSの ライン整流に好適です。 【特長】 ■高パルス電流対応 ■最適化された価格性能 ■低周波スイッチングアプリケーション向けに最適化 ■ソースの寄生インダクタンスを低減 ■シームレスな診断機能 ■大電流対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
補助電源アプリケーション向けの高い効率！優れた放熱性、低い熱抵抗
『MOSFETパワーディスクリート 1700V』は、ソーラーインバーター、 EV充電器、UPS、一般的なモーター制御など、高効率レベルのシングル エンドフライバック補助電源アプリケーションに適しています。 主な特長には、フライバックコントローラーを使った直接駆動、 ゲートドライバーICが不要、低損失な高電圧遮断、優れた熱性能を実現する .XT相互接合技術、信頼性を高める長い沿面距離と空間距離のパッケージ などが挙げられます。 【主な特長】 ■フライバックトポロジー向けに最適化 ■きわめて低いスイッチング損失 ■12V/0Vゲートソース電圧 ■フライバックコントローラーと互換性あり ■ゲート閾値、VGS(th)＝4.5V ■.XT接合技術 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
強化された保護機能！正確で迅速な長期モニタリングが可能です
『産業＆車載用温度センサー搭載 Nチャンネル パワーMOSFET』は、 接合部温度の検出精度と堅牢性を高めるとともに、容易な実装と 機能安全を実現する製品です。 ソリッドステートリレー、サーキットブレーカー設計、SMPSのライン 整流などの産業用アプリケーションや、バッテリーディスコネクト、 eFuse、オンボードチャージャーなどの車載アプリケーションに好適。 また、温度センサーにより、CoolMOS S7の機能が強化され、パワー トランジスタを最大限に活用できます。 【主な特長】 ■最適化された価格性能比 ■低周波スイッチングに好適 ■寄生ソースインダクタンスを低減 ■シームレスな診断 ■正確で迅速な長期モニタリング ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
航空・防衛機器向け高信頼性MOSFETs（Hermetic MOSFETs）と耐放射線性を有する宇宙機器向けMOSFETs
ご用途やご要求仕様に応じ、防衛・航空機器向け及び宇宙機器向けの多種多様なパッケージタイプでDiscrete製品を取り揃えております。 R9シリーズの特長 Super Junction Technologyを採用したR9シリーズをリリース ■性能指標 FoM (オン抵抗RDSON × 電荷Qg）の大幅な改善 ■シングルイベントエフェクト（SEE）耐性の向上 ■パッケージは、表面実装（SMD-0.2、 SMD-0.5、 SMD-2)、 スルーホール（TO-254、 TO-257）の他、SupIR SMD-2にも対応 ※比較 【従来品】 【R9シリーズ】 ■RDS(ON)＝30（ｍΩ） ■RDS(ON)＝18（ｍΩ） ■Qg＝45（ｎC） ■Qg＝45（ｎC） ■ID＝22(A) ■ID＝40(A） ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせください。
SuperS08（PQFN 5mm x 6mm）パッケージを使用！システムコストを削減します
『OptiMOS 5 BiC 80V Power MOSFET（BSC019N08NS5）』は、 堅牢性の向上に加えて、さらに高い電力密度を実現し、 システムコストの削減と性能向上のニーズに応えています。 当製品は、通信用電源や サーバー用電源の同期整流用に特化して 設計されています。 最大175°Cの高い動作温度の高い信頼性を誇り、RDS（on） により、 高い電力密度と効率を実現します。 【特長】 ■全負荷温度の低減 ■並列接続数の削減 ■オーバーシュート低減 ■システムの電力密度向上 ■コンパクト化 ■システムコスト削減 ■エンジニアリングにかかるコストおよび手間の低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ハロゲンフリーで同期型アプリケーションに最適化！産業機器向けのパワーMOSFETをご紹介
『OptiMOS 6 ISC012N04LM6 40V』は、ロジックレベルのゲート駆動を必要とする アプリケーションのベンチマークとなるソリューションを提供します。 オン抵抗とメリットの数値が改善されたため、高効率な設計ができ、 熱設計も容易。並列接続の必要性を減らし、システムコストの削減にも つながります。 インフィニオンの先端の薄型ウェハー技術で、大幅な性能向上が可能です。 【特長】 ■Nチャネル：エンハンスメントモード ■超低オン抵抗 RDS(on) ■優れた熱抵抗 ■175℃定格 ■100%アバランシェ試験済み ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
インフィニオンの先進のトレンチMOSFET技術を代表する製品！
当社で取り扱う「Nチャンネル パワーMOSFET OptiMOS 6 200V」について、 ご紹介いたします。 高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに対応。本技術は、RDS(on)を 大幅に低減し、その結果、導通損失を低減します。 ゲート閾値電圧のばらつきが少なく、トランスコンダクタンスが低減されて いるため、並列接続に優れたデバイスです。 【特長】 ■広い安全動作領域(SOA) ■鉛フリーめっき、RoHS対応 ■200Vでクラス最高レベルの性能 ■ソフトダイオード、低Qrr、高リニア容量の組み合わせ ■並列接続時の電流共有の改善 ■豊富なパッケージ展開 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
SuperSO8 5x6 (SSO8) パッケージ搭載！並列接続数を低減しシステムコスト削減を実現
『OptiMOS 5 60V パワーMOSFET』は、25℃と175℃での低いオン抵抗RDS(on)と 高い連続電流(最大330A)を実現した製品です。 インフィニオンのSuperSO8パッケージのOptiMOS MOSFETは、OptiMOS 3および5の 製品ラインアップを拡張し、堅牢性の向上に加えてさらに高い電力密度を実現。 システムコストの低減と性能向上の必要性に対応します。 逆回復電荷(Qrr)が低いため電圧オーバーシュートを大幅に減少、スナバ回路を 最小限に低減、エンジニアリングコストと労力を軽減など、システムの信頼性が 向上します。 【特長】 ■導通損失を低減し、電力密度と効率を向上 ■並列接続数を低減し、システムコスト削減を実現 ■オーバーシュート低減 ■優れた熱挙動 ■最大175℃の高い動作温度定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
パワー密度の向上が可能！ThinPAK 8x8に封止されたスーパージャンクションMOSFET
『650V CoolMOS CFD7』は、高速ボディダイオードを内蔵し、大電力の 共振トポロジーに好適なスーパージャンクションMOSFETです。 スイッチング性能の向上と優れた熱特性により、LLCや位相シフトフルブリッジ (ZVS) 回路などの共振スイッチングトポロジーにおいて、高い効率を実現。 産業用SMPSアプリケーションにおける優れた光負荷効率と全負荷効率の向上、 また転流本格使用に備えた優れた堅牢性といった利点があります。 【特長】 ■転流本格使用に備えた優れた堅牢性 ■バス電圧が上昇した設計のための安全マージンの追加 ■パワー密度の向上が可能 ■産業用SMPSアプリケーションにおける優れた光負荷効率 ■産業用SMPSアプリケーションにおける全負荷効率の向上 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ThinPAK8×8に封止！最高クラスのRDS(on)とパッケージの組み合わせ
当社の「CoolMOS CFD7 650V パワーMOSFET 」をご紹介いたします。 高速ボディダイオードを内蔵したスーパージャンクションMOSFETで、 大電力の共振トポロジーに好適な製品。 スイッチング性能の向上と優れた熱特性により、LLCや位相シフトフル ブリッジ(ZVS)回路などの共振スイッチングトポロジーにおいて、 最高クラスの効率を実現します。 【特長】 ■超高速ボディダイオード＆超低Qrr ■絶縁破壊電圧650V ■最高クラスのRDS(on)とパッケージの組み合わせ ■著しく低減されたスイッチング損失 ■RDS(on)の温度依存性が低い ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
電力密度の向上に役立ちます！対象アプリケーションに完璧に適合
当社の「CoolMOS P7 パワーMOSFET ThinPAK 5×6」をご紹介いたします。 アダプターと充電器、照明、オーディオSMPS、スマートメーター、AUX、 産業用電源などのフライバックベースの低消費電力SMPSアプリケーション 向けに開発。 5×6mm2という非常に小さなフットプリントと、高さ1mmという非常に低い プロファイルが特長です。 【特長】 ■高性能技術 ・低いスイッチング損失(Eoss) ・高効率 ・優れた温度特性 ■高速スイッチングが可能 ■保護用ツェナーダイオード内蔵 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
インフィニオンの新しい車載用MOSFETテクノロジー！
当社で取り扱う「車載向けパワーMOSFET OptiMOS 7 40V」について、 ご紹介いたします。 従来のOptiMOS 6に比べ、Ronが25％向上し、業界最小レベルのオン抵抗で 最高レベルの電力密度とエネルギー効率を提供。 当社の堅牢で定評あるパッケージラインアップで製品展開し、非常に 効率的な車載設計を実現する上面放熱パッケージにまで拡張されています。 【特長】 ■きわめて低いドレイン-ソース間オン抵抗(＝RDS(on)) ■高いアバランシェ耐量 ■高い安全動作範囲(SOA)耐性 ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ■リードレスパッケージ(Cuクリップ) ■先進の薄型ウェハーCuテクノロジー、および先進の内製300mmウェハー ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
車載から通信機器まで、パワー半導体ならCystech
【会社概要】 Cystech Electronics Corp.は、2002年に台湾で創業されたパワー半導体専門メーカーです。MOSFET、トランジスタ、ダイオード、ICを中心とした製品展開を行い、ISO9001・ISO14001・ISO45001などの認証を取得。台湾証券取引所に上場し、グローバル市場に向けた高信頼・高性能の製品を提供しています。 【主要製品】 MOSFET（低電圧～高電圧、ハイスピードタイプまで） トランジスタ（バイポーラ、デジタル） ダイオード（スイッチング、ツェナー、ショットキー） 【強み・信頼性】 台湾、日本、中国に製造・組立の生産ネットワークを確立 厳格な品質保証システムと信頼性評価体制を整備 顧客フィードバックを活かした継続的な改善プロセス
基板面積を最大で50％削減！レベルシフトドライバを実装した対称型ハーフブリッジMOSFET
『DHP1050N10N5』は、通信用バスコンバータなどの高度な DC-DCコンバータアプリケーション向けに設計された100Vハーフブリッジ 集積Power Stageです。 サーマルビアをMOSFETチップの直下に配置することで、RthJAを低下。 DC-DCテレコムコンバータの電力密度の向上や実装面積のコンパクト化が 求められるなか、新しいシリコン技術を活用し、性能と信頼性を向上させながら こうした難しい設計パラメータを満たすソリューションを提供します。 【特長】 ■レベルシフトドライバーを内蔵した100V耐圧対称型ハーフブリッジMOSFET ■OptiMOS5パワーMOSFET 100Vテクノロジー ■差動入力による優れた耐久性と固有のシュートスルー保護機能 ■120Vオンチップ ブートストラップ ダイオード ■鉛フリーRoHS対応パッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
家電製品や低電力産業用モーター制御のような低電力システムにおける高効率設計にも好適！
TOLL(HSOF-8)パッケージの当製品は、インフィニオンのCoolSiC技術の 長所を活用しています。 TOリードレス(TOLL)パッケージの小型フォームファクタと低寄生 インダクタンスにより、PCB面積を効率的かつ効果的に利用できるようになり、 MOSFETの高い周波数での駆動や、高電力密度を実現します。 D2PAKパッケージに比べて熱インピーダンスが低減され、革新的な .XT相互接続技術とともに、高～中電力システムに適しており、 価格性能比を最適化します。 【特長】 ■業界標準パッケージ - JEDEC産業用アプリケーション認定 (J-STD20 および JESD22) ■小型サイズ ■熱インピーダンスの低減 ■.XT相互接続 ■低寄生インダクタンス ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
同クラスで最も低いRDS(on)とWide SOAを備えたマーケットリーダー！
インフィニオンの「OptiMOSリニアFETファミリー」に、3つの新しいPQFN (5 x 6mm)(SuperSO8)製品と1つの新しいPQFN(3.3 x 3.3 mm)(S3O8)製品が 加わりました。 いずれの製品もきわめて低いRDS(on)、25℃および125℃での広い安全動作領域 (SOA)を実現しています。OptiMOS Linear FETは、オン抵抗とリニアモード性能 のトレードオフを解決する画期的なアプローチです。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■広い安全動作領域(SOA) ■低RDS(on) ■高い最大パルス電流と連続パルス電流 ■小型、低背パッケージ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
低電圧MOSFET
アナログパワー社は、パワーマネジメントに特化し、お客様に最適な製品を生産することを目的に、2002年に設立されました。米国（カリフォルニア州サンノゼ）、香港、台湾にオフィスを構え、世界の半導体市場のほとんどをカバーする広範な代理店網を有しています。 業界をリードする製造パートナーを利用することで、アナログパワー社の製品は、市場の大規模かつ多様なベンダーと同じ基準で製造されています。アナログパワー社の社員は顧客志向で、パワー半導体の経験を持つエンジニアの割合が高い。
高電圧 電力変換システム用！様々な電力交換システムに適しています。
2000V N チャネルパワーMOSFETは、高電圧 電力変換システム用の高電圧パワーMOSFETです 低電圧素子による直列接続の必要性を排除し、オン抵抗の温度係数が正であるため並列動作させることができ、費用対効果の高い電源システムの構築を可能にします。 他の利点として、使用数量削減によりゲート駆動回路を構成する要素の減少も可能で、コストダウン、シンプルな設計による信頼性の向上、およびPCBスペースを節約し、小型化に貢献します。 【特徴】 ○高ブロッキング電圧 ○独自の高電圧パッケージ ○端子間の沿面距離増加 ○オン抵抗の温度係数が正 ○省スペース（デバイスの複数直列接続を削減） 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
SiCウエハーのみならず原料、プロダクトデザイン、SiCパワーデバイスまでSiCチェーンを総合的にサポート出来ます。
Qingdao JZLEAP Semiconductor Co., Ltdは中国Jiazhan Holding Groupと台湾LEAP Semiconductor Co.により2021年に中国 青島に設立された会社です。SiC基板の研究開発、製造、販売を行っています。ヨーロッパ、アメリカの研究機関と共にSiC製品チェーンの問題改善に努め研究開発へ継続的に投資してきました。SiC材料のコストはデバイスコストの 50% 以上を占めており、これが需要の拡大を抑えるボトルネックとなっていました。高品質な生産ラインの構築と歩留まり改善によりSiC製品の品質、コスト競争力を高め更なる商業化を目指すグローバル企業です。 https://jzleap-semi.com/en/about/about グループ企業のLEAPSiC Semiconductorは、SiC MOSFET/ダイオードといったパワーデバイス/のモジュールの製造・販売を行っています。グループ内で材料、SiCウエハ、製品デザイン、SiCデバイスまで総合的にサポートできます。 https://leapsic-semi.com/en
先進のPowerTrench T10テクノロジーにより、業界最高水準のRDS(on)を実現！
当社で取り扱う「MOSFET LM MOSFET(オートモーティブ)」について、 ご紹介いたします。 スイッチング用途において優れた性能と信頼性を実現する、 低～中電圧パワーMOSFETの包括的ポートフォリオ。 高電力密度、スイッチング損失の低減、優れた熱性能を兼ね備え、 システム性能を大幅に向上しました。 【製品(一部)】 ■STTFS015N10MCL ■STMFSC3D1N08M7 ■STMFSC017N15M5 ■STMFSC008N10M5 ■STD5407N ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
低オン抵抗とシリコンの約10倍の耐圧強度により、優れた電力性能を発揮！
当社で取り扱う「Sic SiC MOSFET」について、ご紹介いたします。 絶縁ゲート構造を持つMOSFETであり、シリコンMOSFETと同等の設計で ありながら、より高い耐圧と優れた熱伝導率を実現。高速かつ高い堅牢性を 備え、コンパクトかつ低コストで高効率なシステム設計を可能にします。 SiC MOSFETを採用したシステムは、従来のシリコンベースと比較して、 より高い性能と効率を実現します。 【メリット】 ■高周波スイッチングに対応し、性能と効率を最大化 ■高温環境下でも安定した動作が可能 ■周辺部品(インダクタ、フィルタ等)の小型化により、システム全体の 小型化を実現 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
再生エネルギー、データセンター、バッテリーパワーアプリケーションなど、幅広いアプリケーションに対応！
当社で取り扱う「MOSFET High Voltage(産業機器)」について、 ご紹介いたします。 再生エネルギー、データセンター、バッテリーパワーアプリケーションなど、 幅広いアプリケーションに対応。 より高い電流密度、より高いスイッチング性能、より高い熱性能の 要件に応える幅広いポートフォリオです。 【製品(一部)】 ■NVHL110N65S3HF ■NVHL110N65S3F ■NVHL095N65S3HF ■NVHL095N65S3F ■NVHL082N65S3HF ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
低容量・低ゲート電荷により、スイッチング損失を大幅削減！
当社で取り扱う「MOSFET LM MOSFET(産業機器)」について、 ご紹介いたします。 低RDS(on)で、システム効率を飛躍的に向上。 低容量・低ゲート電荷により、スイッチング損失を大幅削減しました。 先進パッケージで、卓越した熱性能を提供いたします。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【製品(一部)】 ■NVMFS5C450NAFT1G-YE ■NVMFS5C450NET1G ■NVMFS5C450NET1G-YE ■NVMFS5C450NET3G-YE ■NVMFS5C450NWFET1G ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
