更新日： 集計期間:2026年01月14日～2026年02月10日
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ヒートシンクへの熱抵抗の最小化！プリント基板を介して伝わる熱量は5％以下！
当製品は、優れた熱性能を可能にする新しいトップサイド冷却パッケージです。 TO-Leaded top-side cooling (TOLT)パッケージをポートフォリオに 導入することで、高性能パッケージの提供を拡大可能。 TOLTパッケージは、TOLLパッケージと同様の大電流・低背の利点に加え、 好適な熱性能を実現するトップサイドクーリングの利点を備えています。 【特長】 ■低 RDS(on) ■高電流定格 ■上面冷却 ■ネガティブスタンドオフ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
コンパクトでありながら優れた熱性能！車載60VMOSFETファミリーをご紹介
『IAUZ40N06S5L050/IAUC41N06S5N102』は、低いRDS(on)、QG、ゲート容量で 先端の性能を提供する車載60VMOSFETファミリーのOptiMOS 5新製品です。 既存の製品ファミリーに加えて、業界標準の小型パッケージのS3O8(3x3mm2)と SingleSS08(5x6mm2)の2つが加わりました。 異なるボードネットに対して統一されたプラットフォーム コンセプトを 目指す場合、お客様の開発コストを削減することができます。 【特長】 ■スイッチング動作の最適化 ■高負荷対応の銅製クリップ ■最大41Aまでの電流負荷 ■コンパクトでありながら優れた熱性能 ■EMC性能の改善 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高速/低速両方のスイッチングに好適！より高性能な選択肢を提供
『StrongIRFET2パワーMOSFET60V』は、 幅広いアプリケーションに対応するインフィニオンの MOSFET技術です。 低速および高速の両スイッチング周波数に好適。 当製品は、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、 より高性能な選択肢を提供します。 【特長】 ■販売パートナーからの幅広い供給 ■優れた価格性能比 ■高速/低速両方のスイッチングに好適 ■高い電流定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
多種多様なアプリケーションに対応！高周波、低周波、両方のスイッチング周波数に好適
当社が取り扱う、産業機器向けのパワーMOSFET『StrongIRFET 2』を ご紹介します。 幅広いアプリケーションに対応するインフィニオンのMOSFET技術で、 低周波と高周波の両方のスイッチング周波数に好適。 この新しいシリーズは、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、 より高性能な選択肢を提供します。 【特長】 ■販売パートナーからの幅広い供給 ■優れた価格/性能比 ■高周波、低周波、両方のスイッチング周波数に好適 ■高い電流定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
パワーシステムにおけるエネルギー変換効率を強化。次世代型の炭化ケイ素（SiC）MOSFETトレンチ技術を採用
SiCパワー半導体製品『CoolSiC MOSFET G2』は、次世代型のトレンチ技術をベースに 低損失化を実現したインフィニオンの最新世代となる第2世代SiC MOSFETです。 電力密度や蓄積電荷といったMOSFETの主要性能数値を、 品質と信頼性のレベルを損なわずに前世代より最大20％向上。 全体的なエネルギー効率を高めており、脱炭素化に一層寄与します。 太陽光発電インバーターをはじめ、蓄電システム、電気自動車（EV）充電、 モーター駆動、産業用電源など、様々なアプリケーションで活用可能です。 【特長】 ■当社従来比で主要性能数値を最大20％向上 ■高速スイッチング能力も最大30％以上向上 ■負荷に応じて最大5～30％低い電力損失で動作 ■定格650V、1200Vの製品を多数ラインアップ ※「CoolSiC MOSFET 650V G2」と「CoolSiC MOSFET 1200V G2」の アプリケーションノートを“PDFダウンロード”よりご覧いただけます。 お問い合わせもお気軽にどうぞ。
SuperSO8パッケージとPQFNパッケージ(3.3×3.3)！高い電力密度を実現
「OptiMOS 6 100V」は、高スイッチング周波数アプリケーションの 新しい業界標準となる先進のパワーMOSFET技術です。 インフィニオンの先端の薄ウェーハテクノロジーは、OptiMOS 5 テクノロジーに比べて、大幅に性能を向上。 オン抵抗(RDS(on))と性能指数(FOM-RDS(on)x Qg and Qgd)の改善により 効率が向上し、熱設計が容易になり、並列数を減らすことで、 システムコストの削減につながります。 【特長】 ■RDS(on)を最大で20％低減 ■FOM Qgが30％向上、FOM Qgdが40％向上 ■Qrrを低減 ■高いスイッチング周波数に好適 ■175℃のジャンクション温度に対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ソースダウン構造のPQFNパッケージ(3.3×3.3)に搭載！高い放熱性能
当社の「OptiMOS パワーMOSFET PQFN 3.3×3.3」をご紹介いたします。 PQFN パッケージ(3.3×3.3)に搭載された新製品のラインアップは、 25Vから100Vまで。 ソースダウン技術は、シリコンダイを部品内部で上下逆にすることで、 デバイスやシステムレベルでの利点を提供しています。 【特長】 ■既存技術に比べて、RDS(on)が最大で30％と大幅に削減 ■既存のPQFNパッケージ技術に比べて、RthJCも改善 ■スタンダートとセンターゲートと実装面積の異なる2種類で提供 ■最適化された新しいレイアウトの可能性 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
鉛フリーの鉛めっき、RoHS対応！オン抵抗と性能指数の改善により効率が向上
『OptiMOS 6 Power MOSFET』は、テレコム、サーバー、デスクトップPC、 ワイヤレス充電器、急速充電器などのスイッチモード電源（SMPS） アプリケーションに好適です。 オン抵抗と性能指数の改善により効率が向上。熱設計が容易になり、 並列数を減らすことで、システムコストの削減につながります。 また、「OptiMOS 5」に比べて、伝導損失やスイッチング損失が低減され 高い信頼性、高い電力密度を実現しています。 【特長】 ■RDS（on）を最大で20％低減 ■FOM Qgが30％向上、FOM Qgdが40％向上 ■Qrrを低減 ■175℃のジャンクション温度に対応 ■高いアバランシェエネルギー定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
TOLｘファミリーに新たに加わったパッケージ！高い性能とシステム全体の効率化を実現
当製品は、TO-Leadless (TOLL) パッケージ同様に、大電流対応の 薄型パッケージです。 TOLGは、TO-Leadlessとフットプリント互換性があり、さらにガルウィング リードを採用することで高い温度サイクル耐量を実現。 TOLGの主な利点は、高効率、低EMI、高電力密度で、高い性能と システム全体の効率化が可能です。 【特長】 ■最高クラスのテクノロジー ■高い電流定格 ■リンギング及び電圧オーバーシュート ■D2PAK 7ピン パッケージに比べて、ボードサイズを60％低減 ■ガルウィングリード ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ソースダウン構造のPQFNパッケージ(3.3 x 3.3)に封止！高い電力密度と性能を保有
インフィニオンの、革新的なソースダウン技術コンセプトを使用した 製品ラインアップが拡張されました。 PQFNパッケージ(3.3 x 3.3)に搭載された新製品のラインアップは、 25Vから100Vまでとなります。 ソースダウン技術は、シリコンダイを部品内部で上下逆にすることで、 デバイスやシステムレベルでの利点を提供しています。 【特長】 ■高い電力密度と性能 ■優れた熱性能 ■レイアウトの可能性を最大限に引き出し、基板専有面積を有効活用 ■センターゲート構造により複数のMOSFETの並列構成を簡素化 ■低いPCB損失 ■PCB寄生容量の低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
アプリケーション要件に応じて特定の価値提案を提供！力の違いを体験してください
『CoolMOS SJ MOSFET』製品は、伝導損失、スイッチング損失、 駆動損失の点で優れた性能指数を誇ります。 非常に効率的でコンパクトなシステム設計が可能になり、より優れた性能の 製品に対する将来の需要に対応できます。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
PQFN 2x2パッケージのきわめて低い熱抵抗！最大55Aまでの高連続電流対応
『OptiMOS 5 MOSFET 25V/30V』は、高性能アプリケーション向けに最適化された 製品です。 小型な外形、オン抵抗〔RDS(on)〕、スイッチング性能において、素晴らしい 新基準を打ち立てました。 PQFN 2x2パッケージのきわめて低い熱抵抗。基板の配線設計の自由度が 高い小型パッケージです。 【特長】 ■高性能アプリケーション向けに最適化 ■高い効率と電力密度を実現するために最適化済み ■大幅な省スペース化を実現 ■システムコスト削減 ■きわめて低い電圧オーバーシュート ■並列化の必要性を低減 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
使いやすさ、スイッチング効率、優れた熱性能を備えた、バランスの取れた技術です！
新しい『CoolSiC MOSFET 750 V G1』は、最高レベルのシステム性能と 信頼性を実現する堅牢性の高いSiC MOSFETです。 本製品は、インフィニオンの長年にわたるSiCの経験を活かし、性能、信頼性、 堅牢性、ゲート駆動の柔軟性における優位性を発揮し、高い効率と電力密度を 実現する簡素化されたコスト効率の高いシステム設計を実現します。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【主な特長】 ■きわめて堅牢な750 Vテクノロジー ■最高クラスのRDS(on) x Qfr ■優れたRon x QossおよびRon x QG ■低 Crss/Cissと高 Vgsthを両立 ■100％アバランシェ耐量出荷テスト対応 ■最高クラスの熱特性を実現する.XTダイ接合技術 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
使用環境（温度、湿度、負荷）異常時においても性能を維持する頑強さ！
Microsemi社は、Silicon Carbide（シリコンカーバイド）チップを独自開発 しています。 ラインナップはMOSFET（700V、1200V、1700Vクラス）およびSCHOTTKY DIODE（650V、1200V、1700V）です。 使用環境（温度、湿度、負荷）異常時においても性能を維持する頑強さがあ り、また高周波動作においても優れた動作性能を発揮します。 【特長】 ○カタログ標準品だけでな くお客様のアプリケーションに最適化した カスタムモジュールの提案を行う ○カスタムモジュール開発においては、チップ、回路形態、パッケージ形態、 放熱素材、で多様な選択肢を用意 ○お客様の要望に最適なモジュールの設計提案～量産供給を行う 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。
MOSFETの性能はFoMといわれる性能指数で比較！メーカによって測定条件が違います
★★しるとくレポ 知って得するお役立ち情報★★ SiC MOSFETはSiと比べても高い耐圧を持ちながら、抵抗も小さいという 特長を持っています。 この特長を活かして、高耐圧のIGBTをSiCのMOSFETに置き替える製品が 多く見られます。 今回はMOSFETについて、お話ししたいと思います。 SiCのダイオードについて知りたい方はしるとくレポNO.12をご覧ください。 【掲載内容】 ■Si-MOSFET・IGBT・SiC-MOSFETの比較例 ■ON抵抗だけで比較しない ■SiCに置き換える場合には、駆動電圧を変更することも注意 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
幅広い用途に対応する豊富な製品ラインアップ！複数の販売パートナーで利用可能
「StrongIRFET 2 in 60VパワーMOSFET」は、幅広いアプリケーションに 対応する当社の先進世代のMOSFET技術で、低速および高速の 両スイッチング周波数に適しています。 この新ファミリーは、定評のあるStrongIRFET MOSFETを補完し、より高性能な 選択肢を提供します。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■販売パートナーからの幅広い供給 ■優れた価格性能比 ■高速/低速両方のスイッチングに好適 ■高い電流定格 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
業界標準のSuperSO8パッケージで、4.5Vで非常に低いRDS(on)とQgが特長！
当社で取り扱う「Nチャネル パワーMOSFET 150V」について、 ご紹介いたします。 OptiMOS 5 150V同様の優れた性能に加え、わずか4.5VのVGSで動作する 性能を搭載。 小型で軽量なUSB-PD EPR充電器およびアダプタアプリケーションで 好適な熱管理を実現します。 【特長】 ■競争力のあるRDS(on)レベル ■きわめて低いスイッチング損失 ■VGS＝4.5Vに完全に最適化 ■5V供給の同期整流器(SR)に対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
温度に依存しないターンオフスイッチング損失！自動車業界の高い要求条件に合わせて設計
車載用「CoolSiC MOSFETファミリー」は、ハイブリッド車や 電気自動車の車載充電器やDC/DCアプリケーションにおいて、 優れた性能、品質、信頼性を発揮します。 このファミリ品は、信頼性、品質、性能に関する自動車業界の 高い要求条件に合わせて設計されています。 電力密度の向上、高周波化を実現し、冷却処理を減らすことが可能です。 【特長】 ■革新的な半導体素材：シリコンカーバイド（SiC） ■きわめて低いスイッチング損失 ■閾値なしの定常特性 ■IGBT互換の駆動電圧（15Vでターンオン） ■0Vターンオフゲート電圧 ■ベンチマークゲートしきい値電圧、VGS（th）=4.5 V ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
マイクロコントローラーユニット(MCU)とのインターフェースが容易！
『OptiMOS Pチャネル パワーMOSFET』は、コスパの良いパッケージと、 先進的で信頼性の高い成熟したシリコン技術を用いることで、 価格性能比が業界ですぐれた高性能製品を提供します。 中低電力アプリケーションにおける設計の複雑さを解消。 高速スイッチングと高いアバランシェ耐量のため、高品質で 要求の厳しいアプリケーションに適しています。 【特長】 ■異なる4種類のパッケージで提供 ■幅広いR DS(on) ■ノーマルレベルとロジックレベルに対応 ■様々なアプリケーション向けに最適化 ■販売パートナーからの幅広い供給 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Qfが低いため、低負荷時の効率が向上！高品質で要求の厳しいアプリケーションに好適
『OptiMOS Pチャネル MOSFET』は、中低電力アプリケーションにおける 設計の複雑さを解消します。 マイクロコントローラーユニット（MCU）とのインターフェースが容易。 コスパの良いパッケージと、先進的で信頼性の高い成熟したシリコン技術を 用いることで、価格性能比がすぐれた高性能製品を提供します。 【特長】 ■異なる4種類のパッケージで提供 ■幅広いR DS（on） ■ノーマルレベルとロジックレベルに対応 ■様々なアプリケーション向けに最適化 ■販売パートナーからの幅広い供給 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
容易な設計および実装！ゲートドライバー技術で最高クラスのパフォーマンスを実現
TO247パッケージの『CoolSiC 1200V SiC MOSFET』に新たに登場した 「低オン抵抗領域7mΩ/14mΩ/20mΩ」は、最適化された先端のトレンチ 半導体プロセスに基づいて構築され、性能と信頼性を両立した製品です。 放熱性能15％向上し、単一デバイスで最高レベルの出力密度を実現。 実績済みの強化パッケージによる堅牢性で高信頼性を提供します。 また、設計が容易で、市場投入までの時間を短縮できます。 【特長】 ■TO247パッケージできわめて低いRDS(on) ■.XT技術で最高クラスの放熱性を実現 ■ゲート負電圧の定格を-10Vまで低下 ■-5V～0Vまでゲートオフ電圧の柔軟な選択 ■アバランシェおよび負荷短絡耐量 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
よりコンパクトに、より簡単に設計可能！アクティブブリッジ整流に好適
『CoolMOS S7』は、コンパクトなSMDパッケージの 高電圧SJ MOSFETに関して、低伝導損失と低いRDS(on)を 特長として最適化されている製品です。 RDS(on)×価格メリットの数字を搭載し、ソリッドステート回路 ブレーカーやリレー、PLC、バッテリー保護、ハイパワー電源の アクティブブリッジ整流に好適。 また、トップサイド冷却により伝導損失を小さく抑え、 電力密度を大きくする、効率的なSMD冷却を実現しました。 【特長】 ■低RDS(on) ■コンパクトな上面冷却型QDPAK＆TO-220パッケージ ■導通性能に最適化 ■耐熱性の向上 ■高パルス電流対応 ■ケルビンソース端子により、大電流でのスイッチング性能を改善 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
20/0 VGSで動作！オン抵抗(Ron)・熱抵抗の低減を実現します
インフィニオンは、TO247-4パッケージのSiC 1200Vディスクリートにより、 「車載用CoolSiC MOSFET」のラインアップを拡充しました。 ケルビンソースピンを追加したことで、最高クラスのスイッチング性能、 寄生ターンオンに対する堅牢性、RDSonおよびRth(j-c)の向上を実現し、 OBCおよびDCDCアプリケーション向けの理想的な選択肢となっています。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■高いターンオン電圧 VGS(on)＝ 20 V ■0 Vターンオフ ゲート電圧 ■低いCrss/Ciss比、高いゲートソース間閾値電圧(VGS(th)) ■ゲート電荷(QGtot)を低減 ■高電圧沿面距離要求に好適 ■はんだブリッジのリスクを低減する薄型リード ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
優れたスイッチング性能！5×6mmのパッケージで最高レベルの電力密度です
『車載用 Nチャンネル パワーMOFFET 100V』は、汎用性、堅牢性に優れた 高電流のSSO8 SMDパッケージ(5×6mm2)で提供いたします。 車載用途に必要な高性能、高品質、堅牢性を重視した設計となっています。 “IAUCN10S7N021"は、電力密度の分野において大きな前進を果たした製品。 最高クラスの従来品からRDS(on)を47％低減し、業界最小クラスのRDS(on)と FOM(RDS(on)×Qg)を実現しました。 【主な特長】 ■前世代品よりRDS(on)が47％低減 ■業界最小クラスのRDS(on) ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ■パッケージ抵抗が低く、低浮遊インダクタンス ■前世代品より75％高いID電流 ■高いアバランシェ耐量 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
より高い集積度、最適化された電源ループ設計、およびシステムコストとアセンブリコストの削減を実現！
当製品は、高いシステム性能と信頼性を実現する堅牢性の高い SiC MOSFETです。 「CoolSiC MOSFET 750 V」は、インフィニオンの長年にわたるSiCの経験を 活かし、性能、信頼性、堅牢性、ゲート駆動の柔軟性における優位性を発揮し、 高い効率と電力密度を実現する簡素化されたコスト効率の高いシステム設計を 実現します。 革新的な上面放熱パッケージは、「CoolSiC 750 V」の強みをさらに強化し、 より高い集積度、最適化された電源ループ設計、およびシステムコストと アセンブリコストの削減を実現します。 【特長】 ■きわめて堅牢な750 Vテクノロジー ■最高クラスのRDS(on) x Qfr ■優れたRon x QossおよびRon x QG ■低 Crss/Cissと高Vgsthを両立 ■100％アバランシェ耐量出荷テスト対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
性能と信頼性を両立させるために最適化された先端のトレンチ半導体プロセスで作られています！
TO247-4パッケージ搭載1200 V/30 mΩの当製品は、先端のトレンチ半導体 プロセスで製造されており、低ゲート電荷およびデバイス容量レベル、内部整流 ボディダイオードの逆回復損失ゼロ、低スイッチング損失、スレッショルド フリーのオン特性などの利点をもたらし、性能と信頼性を両立するよう 最適化されています。 DC-DCコンバーターまたはDC-ACインバーターなどのハードおよび共振 スイッチングトポロジー、双方向トポロジーに好適です。 「TO-247 4ピン パッケージ」は、ゲート回路の寄生ソースインダクタンス 効果を低減し、より高速なスイッチングと効率の向上を実現します。 【特長】 ■最高クラスの低スイッチング損失および導通損失 ■高閾値電圧、Vth ＞ 4V ■0 Vのターンオフゲート電圧による簡単でシンプルなゲート駆動 ■幅広いゲートソース電圧範囲 ■転流用に本格使用可能な定格の堅牢で低損失のボディダイオード ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
先端パワー技術OptiMOS 7 80Vを用いたMOSFET製品を発売します！
本製品は、汎用性、堅牢性に優れた高電流のSSO8 SMDパッケージ(5×6mm2) での提供です。 車載用途に必要な高性能、高品質、堅牢性を重視した設計となっています。 また、電力密度の分野において大きな前進を果たした製品です。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■業界最小クラスのRDS(on) ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ■パッケージ抵抗が低く、低浮遊インダクタンス ■高いアバランシェ耐量 ■高い(安全動作領域(SOA))耐久性 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
低ゲート、低出力、低逆回復電荷！優れた温度特性でUSB-PDや急速充電器の設計に好適です
『OptiMOS PD』は、MOSFETの新たな製品ラインアップです。 USB-PDや急速充電器の設計に好適。短いリードタイムと 迅速な見積もり回答でお客様をサポートします。 低ゲート、低出力、低逆回復電荷で優れた温度特性を持ち、 2種類の小型標準パッケージを用意しております。 【特長】 ■ロジックレベルの可用性 ■低いオン抵抗RDS（on） ■低ゲート、低出力、低逆回復電荷 ■優れた温度特性 ■2種類の小型標準パッケージを用意 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
低周波かつ大電流のスイッチングアプリケーション向けに最適化！
当社で取り扱う「Nチャンネル パワーMOSFET 600V-温度センサー搭載」 について、ご紹介いたします。 温度センサーを搭載した当製品は、容易な実装と共にジャンクション 温度の検出精度とロバスト性を向上。 ソリッドステートリレー、サーキットブレーカー設計、SMPSの ライン整流に好適です。 【特長】 ■高パルス電流対応 ■最適化された価格性能 ■低周波スイッチングアプリケーション向けに最適化 ■ソースの寄生インダクタンスを低減 ■シームレスな診断機能 ■大電流対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
FMG50AQ170N6
株式会社三社電機製作所製『SiC MOSFET(TO-247-4L)』は、 還流ダイオード(FWD)機能を内蔵した産業用パワー半導体です。 高電流密度へ対応。独自の端子構造による配線抵抗の低減と強固な接合を 実現し、従来比で4倍以上の電流密度に到達するSiCチップの性能を引き出します。 また、パッケージのスペースを最大限に有効活用できるため低いRDS(on)を 実現します。 【特長】 ■絶縁構造と高放熱を実現する好適パッケージ ■外付けFWD不要 ■高短絡耐量 ■高温時の低オン抵抗 ■高いノイズ耐性 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
