更新日： 集計期間:2025年04月02日～2025年04月29日
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ThinPAK8×8に封止！最高クラスのRDS(on)とパッケージの組み合わせ
当社の「CoolMOS CFD7 650V パワーMOSFET 」をご紹介いたします。 高速ボディダイオードを内蔵したスーパージャンクションMOSFETで、 大電力の共振トポロジーに好適な製品。 スイッチング性能の向上と優れた熱特性により、LLCや位相シフトフル ブリッジ(ZVS)回路などの共振スイッチングトポロジーにおいて、 最高クラスの効率を実現します。 【特長】 ■超高速ボディダイオード＆超低Qrr ■絶縁破壊電圧650V ■最高クラスのRDS(on)とパッケージの組み合わせ ■著しく低減されたスイッチング損失 ■RDS(on)の温度依存性が低い ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
電力密度の向上に役立ちます！対象アプリケーションに完璧に適合
当社の「CoolMOS P7 パワーMOSFET ThinPAK 5×6」をご紹介いたします。 アダプターと充電器、照明、オーディオSMPS、スマートメーター、AUX、 産業用電源などのフライバックベースの低消費電力SMPSアプリケーション 向けに開発。 5×6mm2という非常に小さなフットプリントと、高さ1mmという非常に低い プロファイルが特長です。 【特長】 ■高性能技術 ・低いスイッチング損失(Eoss) ・高効率 ・優れた温度特性 ■高速スイッチングが可能 ■保護用ツェナーダイオード内蔵 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ハードスイッチング動作とソフトスイッチングトポロジーの両方で、主要な特性値が大幅に改善！
D2PAK-7L(TO-263-7)パッケージの当製品は、第1世代の技術がもつ強みを 活かして、よりコスト最適化された、効率的でコンパクト、高信頼性の ソリューションのシステム設計を加速させられます。 第2世代は、AC-DC、DC-DC、DC-ACステージのすべての一般的な組み合わせに 適したハードスイッチング動作とソフトスイッチングトポロジーの両方で、 主要な特性値が大幅に改善されています。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■きわめて低いスイッチング損失 ■過負荷時の最大温度 Tvj ＝ 200℃ ■短絡耐量 2 μs ■業界標準となる閾値電圧、VGS(th)＝4.2V ■寄生ターンオンに対する堅牢性、0 Vターンオフゲート電圧を印加可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
同クラスで最も低いRDS(on)とWide SOAを備えたマーケットリーダー！
インフィニオンの「OptiMOSリニアFETファミリー」に、3つの新しいPQFN (5 x 6mm)(SuperSO8)製品と1つの新しいPQFN(3.3 x 3.3 mm)(S3O8)製品が 加わりました。 いずれの製品もきわめて低いRDS(on)、25℃および125℃での広い安全動作領域 (SOA)を実現しています。OptiMOS Linear FETは、オン抵抗とリニアモード性能 のトレードオフを解決する画期的なアプローチです。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■広い安全動作領域(SOA) ■低RDS(on) ■高い最大パルス電流と連続パルス電流 ■小型、低背パッケージ ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
先端パワー技術OptiMOS 7 80Vを用いたMOSFET製品を発売します！
本製品は、汎用性、堅牢性に優れた高電流のSSO8 SMDパッケージ(5×6mm2) での提供です。 車載用途に必要な高性能、高品質、堅牢性を重視した設計となっています。 また、電力密度の分野において大きな前進を果たした製品です。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■業界最小クラスのRDS(on) ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ■パッケージ抵抗が低く、低浮遊インダクタンス ■高いアバランシェ耐量 ■高い(安全動作領域(SOA))耐久性 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
低電圧駆動MOSFETラインナップを拡充中！
携帯電話をはじめとするモバイル機器では、消費電力を減らして 駆動時間の長時間化を図るため、回路の損失低減が必要と なっており、低電圧駆動のMOSFETが求められています。 当社では、第一弾として、ウエハプロセスの最適化により、 1.8V、1.5V駆動品を拡充し、第二弾で1.2V、第三弾で0.9V までの開発を予定しております。
