1～11 件を表示 ／ 全 11 件
温度に依存しないターンオフスイッチング損失！自動車業界の高い要求条件に合わせて設計
車載用「CoolSiC MOSFETファミリー」は、ハイブリッド車や 電気自動車の車載充電器やDC/DCアプリケーションにおいて、 優れた性能、品質、信頼性を発揮します。 このファミリ品は、信頼性、品質、性能に関する自動車業界の 高い要求条件に合わせて設計されています。 電力密度の向上、高周波化を実現し、冷却処理を減らすことが可能です。 【特長】 ■革新的な半導体素材：シリコンカーバイド（SiC） ■きわめて低いスイッチング損失 ■閾値なしの定常特性 ■IGBT互換の駆動電圧（15Vでターンオン） ■0Vターンオフゲート電圧 ■ベンチマークゲートしきい値電圧、VGS（th）=4.5 V ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
コンパクトでありながら優れた熱性能！車載60VMOSFETファミリーをご紹介
『IAUZ40N06S5L050/IAUC41N06S5N102』は、低いRDS(on)、QG、ゲート容量で 先端の性能を提供する車載60VMOSFETファミリーのOptiMOS 5新製品です。 既存の製品ファミリーに加えて、業界標準の小型パッケージのS3O8(3x3mm2)と SingleSS08(5x6mm2)の2つが加わりました。 異なるボードネットに対して統一されたプラットフォーム コンセプトを 目指す場合、お客様の開発コストを削減することができます。 【特長】 ■スイッチング動作の最適化 ■高負荷対応の銅製クリップ ■最大41Aまでの電流負荷 ■コンパクトでありながら優れた熱性能 ■EMC性能の改善 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ハーフブリッジ、フルブリッジ(2x)構成に対応！コストの最適化を実現
『MOTIX BTN9990LV』は、pチャネルハイサイドMOSFETと、nチャネルローサイド MOSFET、ドライバーICチップを1パッケージ化した製品です。 ディスクリートソリューションと比較して、PCB面積とBOMが少なく、 診断、電流検出、保護機能を統合し、システムの信頼性を向上。 大電力のPMOS、NMOS、ドライバーICを統合し、設計と製造の工数を 最小限に抑えます。 【特長】 ■pチャネルハイサイドMOSFETと、nチャネルローサイドMOSFET、 ドライバーICを小型のHSOF-7パッケージに搭載 ■AEC-Q100/Q006認証(グレード1) ■パス抵抗 typ.5.3mΩ@25℃(最大9.6mΩ@150℃) ■電源電圧範囲8V～18V(最大40Vまで) ■低暗電流(最大3.3μA@85℃) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
将来の車載設計向けの高い電力効率と0.39mΩの超低Ronを実現！
『車載用 Nチャンネル パワーMOSFET 40V』は、インフィニオンの 新しい車載用MOSFETハイパワーMOSFETパッケージファミリー製品です。 また、従来のOptiMOS 6に比べて、Ronが25％向上。OptiMOS 7は、 業界最小クラスのオン抵抗で、パッケージ抵抗がきわめて低い高効率 sTOLL 7×8mm2リードレスパッケージで、最高クラスの電力密度と エネルギー効率を実現。 また、広い安全動作領域(SOA)で、リードレスパッケージ(銅クリップ) の 堅牢な車載用パッケージ設計です。 【主な特長】 ■7×8mm2というパッケージサイズに、0.39mΩのきわめて 低いドレイン-ソース間オン抵抗 (RDS(on)) ■最大電流耐量280A ■高いアバランシェ耐量 ■広い安全動作領域(SOA) ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
インフィニオンの新しい車載用MOSFETテクノロジー！
当社で取り扱う「車載向けパワーMOSFET OptiMOS 7 40V」について、 ご紹介いたします。 従来のOptiMOS 6に比べ、Ronが25％向上し、業界最小レベルのオン抵抗で 最高レベルの電力密度とエネルギー効率を提供。 当社の堅牢で定評あるパッケージラインアップで製品展開し、非常に 効率的な車載設計を実現する上面放熱パッケージにまで拡張されています。 【特長】 ■きわめて低いドレイン-ソース間オン抵抗(＝RDS(on)) ■高いアバランシェ耐量 ■高い安全動作範囲(SOA)耐性 ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ■リードレスパッケージ(Cuクリップ) ■先進の薄型ウェハーCuテクノロジー、および先進の内製300mmウェハー ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
先端パワー技術OptiMOS 7 80Vを用いたMOSFET製品を発売します！
本製品は、汎用性、堅牢性に優れた高電流のSSO8 SMDパッケージ(5×6mm2) での提供です。 車載用途に必要な高性能、高品質、堅牢性を重視した設計となっています。 また、電力密度の分野において大きな前進を果たした製品です。 ご用命の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■業界最小クラスのRDS(on) ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ■パッケージ抵抗が低く、低浮遊インダクタンス ■高いアバランシェ耐量 ■高い(安全動作領域(SOA))耐久性 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
強化された保護機能！正確で迅速な長期モニタリングが可能です
『産業＆車載用温度センサー搭載 Nチャンネル パワーMOSFET』は、 接合部温度の検出精度と堅牢性を高めるとともに、容易な実装と 機能安全を実現する製品です。 ソリッドステートリレー、サーキットブレーカー設計、SMPSのライン 整流などの産業用アプリケーションや、バッテリーディスコネクト、 eFuse、オンボードチャージャーなどの車載アプリケーションに好適。 また、温度センサーにより、CoolMOS S7の機能が強化され、パワー トランジスタを最大限に活用できます。 【主な特長】 ■最適化された価格性能比 ■低周波スイッチングに好適 ■寄生ソースインダクタンスを低減 ■シームレスな診断 ■正確で迅速な長期モニタリング ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
優れたスイッチング性能！5×6mmのパッケージで最高レベルの電力密度です
『車載用 Nチャンネル パワーMOFFET 100V』は、汎用性、堅牢性に優れた 高電流のSSO8 SMDパッケージ(5×6mm2)で提供いたします。 車載用途に必要な高性能、高品質、堅牢性を重視した設計となっています。 “IAUCN10S7N021"は、電力密度の分野において大きな前進を果たした製品。 最高クラスの従来品からRDS(on)を47％低減し、業界最小クラスのRDS(on)と FOM(RDS(on)×Qg)を実現しました。 【主な特長】 ■前世代品よりRDS(on)が47％低減 ■業界最小クラスのRDS(on) ■高速スイッチング(ターンオン/オフ) ■パッケージ抵抗が低く、低浮遊インダクタンス ■前世代品より75％高いID電流 ■高いアバランシェ耐量 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
使いやすさ、スイッチング効率、優れた熱性能を備えた、バランスの取れた技術です！
新しい『CoolSiC MOSFET 750 V G1』は、最高レベルのシステム性能と 信頼性を実現する堅牢性の高いSiC MOSFETです。 本製品は、インフィニオンの長年にわたるSiCの経験を活かし、性能、信頼性、 堅牢性、ゲート駆動の柔軟性における優位性を発揮し、高い効率と電力密度を 実現する簡素化されたコスト効率の高いシステム設計を実現します。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【主な特長】 ■きわめて堅牢な750 Vテクノロジー ■最高クラスのRDS(on) x Qfr ■優れたRon x QossおよびRon x QG ■低 Crss/Cissと高 Vgsthを両立 ■100％アバランシェ耐量出荷テスト対応 ■最高クラスの熱特性を実現する.XTダイ接合技術 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
20/0 VGSで動作！オン抵抗(Ron)・熱抵抗の低減を実現します
インフィニオンは、TO247-4パッケージのSiC 1200Vディスクリートにより、 「車載用CoolSiC MOSFET」のラインアップを拡充しました。 ケルビンソースピンを追加したことで、最高クラスのスイッチング性能、 寄生ターンオンに対する堅牢性、RDSonおよびRth(j-c)の向上を実現し、 OBCおよびDCDCアプリケーション向けの理想的な選択肢となっています。 ご用命の際は当社へお気軽にご連絡ください。 【特長】 ■高いターンオン電圧 VGS(on)＝ 20 V ■0 Vターンオフ ゲート電圧 ■低いCrss/Ciss比、高いゲートソース間閾値電圧(VGS(th)) ■ゲート電荷(QGtot)を低減 ■高電圧沿面距離要求に好適 ■はんだブリッジのリスクを低減する薄型リード ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
より高い集積度、最適化された電源ループ設計、およびシステムコストとアセンブリコストの削減を実現！
当製品は、高いシステム性能と信頼性を実現する堅牢性の高い SiC MOSFETです。 「CoolSiC MOSFET 750 V」は、インフィニオンの長年にわたるSiCの経験を 活かし、性能、信頼性、堅牢性、ゲート駆動の柔軟性における優位性を発揮し、 高い効率と電力密度を実現する簡素化されたコスト効率の高いシステム設計を 実現します。 革新的な上面放熱パッケージは、「CoolSiC 750 V」の強みをさらに強化し、 より高い集積度、最適化された電源ループ設計、およびシステムコストと アセンブリコストの削減を実現します。 【特長】 ■きわめて堅牢な750 Vテクノロジー ■最高クラスのRDS(on) x Qfr ■優れたRon x QossおよびRon x QG ■低 Crss/Cissと高Vgsthを両立 ■100％アバランシェ耐量出荷テスト対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
