『CSD22206W』
8V、4.7mΩ、Pチャネル NexFETパワーMOSFET『CSD22206W』
この-8V、4.7mΩ、1.5mm×1.5mmデバイスは、可能な限り小さな外形で、 最低のオン抵抗とゲート電荷を実現し、非常に低いプロファイルで優れた 熱特性を持つよう設計されています。 低いオン抵抗と、小さな占有面積および低いプロファイルから、このデバイスは バッテリ駆動で容積の制限されるアプリケーションに理想的です。 【特長】 ■非常に低い抵抗 ■1.5mm×1.5mmの小さな占有面積 ■鉛不使用 ■ゲートESD保護 ■RoHS準拠 ※詳細はお問い合わせください。
- 企業：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
- 価格：応相談
