GSI社 Quad SRAM SigmaQDRシリーズ
超高速 Quad SRAMのSigmaQDRシリーズはCypress等の他社製品と完全互換
QDR II SRAMは、データ入力端子とデータ出力端子を分離し、それぞれをDDR(Double Data Rate)動作させつつ、読み出しと書き込みを同時に行うことで、4倍の転送レートを可能にしたSRAMです。高機能な次世代ネットワークスイッチ、ルータなどに最適なSRAMです。
- 企業:株式会社ナセル
- 価格:応相談
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超高速 Quad SRAMのSigmaQDRシリーズはCypress等の他社製品と完全互換
QDR II SRAMは、データ入力端子とデータ出力端子を分離し、それぞれをDDR(Double Data Rate)動作させつつ、読み出しと書き込みを同時に行うことで、4倍の転送レートを可能にしたSRAMです。高機能な次世代ネットワークスイッチ、ルータなどに最適なSRAMです。
NtRAM, NoBL, ZBT SRAM 完全互換
NBT SRAM(No Bus Turn Around SRAM)は、リード ・ ライト時にウェイト時間無しでアクセスすることができる製品です。
GS7シリーズは低消費電力・高速の非同期SRAM
GSI Technology社の非同期SRAMは、業界最速のアクセスタイム7/8/10/12ns品をリリースしています。独自の低消費電力テクノロジーにより、消費電力を他社製品の2/3以下に実現しています。
非常に優れた故障率、ソフト エラー率で幅広い環境でより信頼性の高い動作を実現。
■エンベデッド ECC により、1 バイトあたり 1 ビットのエラー訂正 ■1.5Vのデータ保持電圧 ■典型的なデータ保持電流: ■1Mb AS6CE1016A で 1μA ■4Mb AS6CE4016B で 2μA ■2.7V~3.6Vの単一電源で動作 すべての入力と出力は完全に TTL 互換です。
【業界初!】 高速・低消費・アドレスラッチ機能ECC付き4Mbit SRAM (256K x16) 自動車用途向けもサポート
アドレスラッチ機能も可能なECC機能付き高速SRAM「IS61/64WV25616LEBLL」 自動車・産業・通信分野用途他、幅広いお客様のニーズに対応可能 High performance CMOS技術 ECC機能搭載により更なる高信頼性実現 長期安定供給
【新製品】 高速・低電圧 32Mbit SRAM (256K x16) 1チップモノリシック対応
車載、産業、医療、ネットワーク向け他、幅広いお客様のニーズに対応可能 高速でかつ低消費 電源電圧 : 2.4-3.6Vのワイド電圧対応 サンプル供給中
データは半導体メモリに保持され、メモリに電力が供給されている限り、データは保持されます
『SRAM』は、各ビットを格納するために双安定ラッチ回路を使用する 半導体メモリの一種で、高速又は低消費電力を必要とする場合に使用されます。 トランジスタにはリークを抑えるための電力が不要なため、 定期的に更新する必要がありません。 SRAMの設計には、6つのトランジスタ(6Tメモリセル) で構成され、 コンデンサを使用しない一般的なCMOS技術プロセスが採用されています。 【特長】 ■3種類の動作状態 - 保留、書き込み、読み取り ■ストレージ用の双安定(クロス結合)INV ■トランジスタMALとMARへのアクセス - 読み取り 書き込み用に保存されたデータへのアクセス ■長いデータ寿命 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SigmaDDRシリーズは高速DDR II SRAM でCypress社等の他社製品と完全互換
GSI Technology社のDDR II SRAMは、通常の同期SRAMの2倍の転送レートを実現したDDR(Double Data Rate)方式のSRAMです。ハイエンドなルータやスイッチなど高速化が求められる通信機器に最適です。