データは半導体メモリに保持され、メモリに電力が供給されている限り、データは保持されます
『SRAM』は、各ビットを格納するために双安定ラッチ回路を使用する 半導体メモリの一種で、高速又は低消費電力を必要とする場合に使用されます。 トランジスタにはリークを抑えるための電力が不要なため、 定期的に更新する必要がありません。 SRAMの設計には、6つのトランジスタ(6Tメモリセル) で構成され、 コンデンサを使用しない一般的なCMOS技術プロセスが採用されています。 【特長】 ■3種類の動作状態 - 保留、書き込み、読み取り ■ストレージ用の双安定(クロス結合)INV ■トランジスタMALとMARへのアクセス - 読み取り 書き込み用に保存されたデータへのアクセス ■長いデータ寿命 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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基本情報
【ラインアップ(一部)】 ■マイクロチップ, SRAM 1Mbit, 128 k x 8ビット, 8-Pin 23LC1024-I/P AEC-Q100 ■マイクロチップ, SRAM 256kbit, 32768 x 8ビット, 8-Pin 23K256-I/P AEC-Q100 ■マイクロチップ, SRAM メモリ 256kbit, 32768 x 8ビット, 8-Pin 23K256-I/P AEC-Q100 ■ISSI, SRAM 4Mbit, 256Kx16ビット, 44-Pin IS61LV25616AL-10TLI ■ISSI, SRAM 16Mbit, 1Mx16ビット, 48-Pin IS61WV102416BLL-10TLI ■ISSI, SRAM 8Mbit, 512K x16ビット, 44-Pin IS62WV51216BLL-55TLI ■Alliance Memory, SRAM 64kbit, 8kx8ビット, 28-Pin AS6C6264-55PCN ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
価格帯
納期
用途／実績例
【用途】 ■コンピュータ ■ワークステーション ■ルータ ■LCD画面やプリンタ ■電子機器 ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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企業情報
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