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はんだでの二次実装性を高める！
バリア層としてPdめっき層を中間に設けることで、Au表面へのNi露出をより効果的に制することができます。 また、Pd層を設けることでAuめっきを薄くすることができ、はんだでの二次実装性を高める効果があります。 無電解Ni・Pd・Auめっきのデメリットを解消しています。 【無電解めっきのデメリット】 ・膜厚の厚付けができない。 ・液更新による材料ロスが発生する。 ・処理時間が長く生産性が悪い。 ・下地の無電解Niの仕様に制限がある。 ↓ ↓ ↓ 【電解めっき】 ・膜厚に関係なく処理が可能。 ・材料ロスが少ないランニングコストが安い。 ・処理時間が短く、生産性向上と加工費低減が可能。 ・下地に制限なくNi以外も含め選択が可能。 【特徴】 ・電解Ni ：膜厚の制限なし 非磁性目的で下地Cuめっきでも対応可能 ・電解Pd：膜厚は要求仕様による対応可能 耐熱による下地Ni層の拡散防止(バリア層) ・電解Au：膜厚の制限なし WB性・はんだ接合性が良好 半導体部品に適している
硬質銀・超硬質銀・アンチモンフリー・グラファイト複合などのバリエーション豊富なAgめっきの対応が可能！
EV(電気自動車)・PHV(プラグインハイブリッド自動車)の部品向けの銀めっきです。 耐摩耗性・摺動性/導電性・熱耐性という様々な性能UPを実現し、 硬質銀・超硬質銀・アンチモンフリー・グラファイト複合などの バリエーション豊富なAgめっきの対応が可能です。 厚膜銀めっきにも対応しています。 耐摩耗性の向上によるコストダウンが可能です。 【バリエーション】 軟質純銀めっき（硬度：90Hv / 特徴：Sb不含有） 硬質銀めっき（硬度：140Hv） 超硬質銀めっき（硬度：180Hv） アンチモンフリー銀めっき（硬度：180Hv / 特徴：Sb不含有） グラファイト複合銀めっき（硬度：90Hv / 特徴：Sb不含有・耐摩耗性に優れる） 【特徴】 ・50μmの厚膜銀めっきが可能 ・厚膜めっきに対して独自の膜厚抑制技術があり、材料費のコストカットが可能 ・高硬度かつアンチモンを含まない銀めっきに対応 ・カーボン含有による摺動性に優れた低摩擦の銀めっき処理 ・製品の形状や大きさによりバレルめっき、ラック(吊り)めっき共に対応 ・量産対応ができる設備能力を完備
