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低ダメージ高品質薄膜を高ルートで形成することが可能な装置についてご紹介します
『PGSモデル』は、圧力勾配現象を採用した画期的なスパッタ装置です。 高真空域でのスパッタ成膜が可能。 また、低ダメージ高品質薄膜を高ルートで形成することが可能です。 九州大学・名城大学・岡山理科大学との共同研究成果の製品と なっております。 【特長】 ■圧力勾配現象を採用 ■高真空域でのスパッタ成膜が可能 ■九州大学・名城大学・岡山理科大学との共同研究成果 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
酸素や水分を排除したい研究製膜環境！多層膜、化合物製膜、反応製膜に対応します！
当製品は、電池、触媒材料や有機デバイス開発用のスパッタ装置です。 スパッタ室にロードロック室とグローブボックスを連結。 UHV対応スパッタカソードを4本装着することができます。 また、多層膜、化合物製膜、反応製膜に対応しております。 【特長】 ■電池、触媒材料や有機デバイス開発用 ■スパッタ室にロードロック室とグローブボックスを連結 ■UHV対応スパッタカソードを4本装着可能 ■酸素や水分を排除したい研究製膜環境 ■多層膜、化合物製膜、反応製膜に対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
基板寸法は最大3インチで3枚収納可能！加熱機構・逆スパッタ機構を備えています！
当製品は、金属・絶縁材料を対象とした3源RFマグネトロンスパッタ装置です。 基板は、加熱機構・逆スパッタ機構を備えています。 スパッタカソードはφ4インチマグネトロンカソード（3基）で、 基板挿入は上蓋手動開閉仕様となっております。 【特長】 ■基板寸法：最大3インチ（3枚収納可） ■基板ホルダー：基板加熱500℃、基板回転、逆スパッタ機構付き ■スパッタカソード：φ4インチマグネトロンカソード（3基） ■ガス系：Ar O2 MFC2系統 ■基板挿入：上蓋手動開閉 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
トランスファーロッドにより、各室間を搬送！大気解放することなく連続成膜可能！
当製品は、50×50基板対応で、有機トランジスタ、EL素子用 抵抗加熱蒸着装置、酸化物用RFスパッタ装置をグローブボックスに 連結した装置です。 トランスファーロッドにより、各室間を搬送。 大気解放することなく連続成膜することができます。 ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■50×50基板対応 ■大気解放することなく連続成膜可能 ■有機トランジスタ、EL素子用抵抗加熱蒸着装置、 酸化物用RFスパッタ装置をグローブボックスに連結 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
