バイアススパッタリング装置『SPR-014-B』
良好な絶縁膜形成を実現するバイアススパッタリング装置！
『SPR-014-B』 は、基板側にバイアスを印加しながら スパッタリングを行い、絶縁層用の成膜が可能なロードロック式 バイアススパッタリング装置です。 ピンホール密度が低く、良好なステップカバレージ性を備えた 良好な絶縁膜形成ができます。 【特長】 ■低いピンホール密度 ■良好なステップカバレージ性 ■次の電極層に有利な平坦性 ・排気系はドライポンプと磁気浮上型TMPの排気システム ・基板側とターゲット(カソード)に高周波電力を同時に印可 ・ロードロック式の1元スパッタリング装置（容易に基板セット可能） ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：株式会社日本シード研究所
- 価格：応相談
