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より高い精度、より安全な実行、およびモータ制御の効率の向上を可能にします！
『MC-ISAR eモータードライバー』は、電流およびトルク制御の共通 機能を収集し、モーター駆動アプリケーションへ完璧なソリューション として機能する製品です。 位置と速度の制御は、アプリケーション固有のベースで実現可能。 複数の位置取得モードをサポートし、様々な顧客のニーズを満たします。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高速スイッチオフ/オンが可能！車載用12V/24Vスマートアナログハイサイド
『2ED2410-EM』は、ロジックピンによる2出力制御や、統合された I-tワイヤー保護を含むスマートなハイサイドNチャンネルMOSFET ゲートドライバーです。 新しい自動車電源アーキテクチャ向けに設計。 また、昇圧コンバータを内蔵しているため、電源電圧が3Vまで 低下した場合でも外付けMOSFETを連続的にオンさせ、 動作させることが可能です。 【特長】 ■電源電圧の範囲を拡張：3V～58V ■2つのハイサイドゲートドライバ出力で、高速スイッチオフ/オンが可能 ■2つの双方向ハイサイドアナログ電流センスインターフェイス ■端子によるチャンネル制御/診断 ■外部温度測定用アナログインターフェイス ■ゲート低電圧ロックアウト(UVLO) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
バックトゥバックMOSFETトポロジー(ドレイン共通、ソース共通)対応！
「EiceDRIVER APD 2ED2410-EM」は、ロジックピンによる2出力制御や、 統合されたI-tワイヤー保護を含むスマートなハイサイドNチャンネル MOSFETゲートドライバーであり、新しい自動車電源アーキテクチャ向けに 設計されています。 昇圧コンバータの効率により、アイドル時や通常時の消費電流は μAオーダーとなり、駐車中(キーオフモード)に負荷を供給する 必要がある場合に有用です。 【特長】 ■電源電圧の範囲を拡張：3V～58V ■2つのハイサイドゲートドライバ出力(3Ωプルダウン、50Ωプルアップ) により、高速スイッチオフ/オンが可能 ■2つの双方向ハイサイドアナログ電流センスインターフェイス (外部でゲイン調整可能) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
小型パッケージ！4種類の駆動能力、スプリアススイッチングに対する耐性
「EiceDRIVER 1EDN71x6U」は、インフィニオンCoolGaNショットキーゲート (SG)HEMT、およびその他のGaN SG HEMTとSi MOSFETの駆動用に最適化された 1チャネルゲートドライバーICです。 このゲートドライバーファミリーは、Truly differential logic input(TDI)、 4つの駆動強度オプション、アクティブミラークランプ、ブートストラップ電圧 クランプなど、高速スイッチングトランジスタを用いた高性能システム設計を 可能にするいくつかの主要な機能を備えています。 【特長】 ■Truly differential input (TDI) ■4レベルの駆動能力オプション ■アクティブ ミラークランプ ■ブートストラップ電圧クランピング ■GaNに最適化された超低インダクタンスフリップチップパッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
包括的な保護機能および診断機能！デバイスの状態をアクティブに監視し、システムを損傷から保護
『MOTIX TLE9140EQW』は、8Vから72V電源のさまざまなアプリケーションを 対象とした3相モーターゲートドライバーです。 内蔵のアダプティブMOSFET制御機能は、EME(電磁放射)の改善と電力損失の 低減に役立つだけでなく、アプリケーションに必要な外部部品数を低減できます。 また、最大ジャンクション温度175℃で、厳しいミッションプロファイルにも 対応可能です。 【特長】 ■高耐圧/最大110V ■ゲート駆動能力：～230nC/MOSFET最大20kHz ■ゲートドライバーに内蔵されたアダプティブMOSFET制御機能 ■VSM OV中はアクティブLSフリーホイール状態 ■包括的な保護および診断機能 ■小型パッケージTS-DSO-32(8.65×3.9mm2) ■車載グレード0デバイスおよびASIL B準拠 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
過熱、低電圧、過電流、短絡に対する保護機能を備えたドライバーICを内蔵！
当社の「MOTIX BTN9970LV ドライバー」をご紹介いたします。 1つのパッケージにpチャンネルのハイサイドMOSFETとnチャンネルの ローサイドMOSFETを1つずつと、ドライバーICを搭載。 pチャネルのハイサイドスイッチによりチャージポンプが不要となり、 EMIを最小限に抑えることができます。 【特長】 ■AEC-Q100/Q006準拠(グレード1) ■電源電圧範囲：8V～18V(最大40V) ■低消費電流：最大3.3μA@85℃ ■過電流検出レベル60A min ■保護機能：過電流保護、低電圧検出、過熱保護 ■放射ノイズを最適化する8種類の選択可能な出力スルーレート ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
