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「3ED2388S06」650V

最終更新日:2025年08月26日

インフィニオン テクノロジーズ ジャパン 株式会社
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超高速、低抵抗ブートストラップダイオード内蔵!100Vの負のVS過渡電圧耐量

『高速ハーフブリッジ ゲートドライバー』は、DSO-8パッケージを採用し、 ソース電流は0.29A(typical)、シンク電流は0.7A(typical)です。 ブートストラップダイオード内蔵し、省スペース、BOMコストの削減、 よりシンプルな設計による低コストでのPCB小型化。 また、VSピンの負の過渡電圧耐性ノイズ耐性に優れます。 レベルシフト損失を50%低減します。 【主な特長】 ■最大動作電圧(VSノード) +650V ■100Vの負のVS過渡電圧耐量 ■超高速、低抵抗ブートストラップダイオード内蔵 ■伝播遅延90ns ■最大電源電圧25V ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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高速ハーフブリッジ.png

高速ハーフブリッジ ゲートドライバー

高速ハーフブリッジ.png
高速ハーフブリッジ.png
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当社は、ドイツに本社を置く半導体ブランド、 インフィニオン テクノロジーズの日本法人です。 インフィニオン テクノロジーズは、パワーシステムとIoTにおける半導体分野のグローバルリーダーであり、 製品とソリューションを通じて、脱炭素化とデジタル化を推進しています。

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レーザーマーカー
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