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スイッチングアプリケーションに好適な反転・非反転ドライバ！
当社で取り扱う「ゲートドライバ」について、ご紹介いたします。 スイッチングアプリケーションに好適なGaN、IGBT、FET、MOSFET、 H ブリッジ MOSFET、SiC MOSFETの反転・非反転ドライバです。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【製品(一例)】 ■NCV81071 ■NCV7520 ■NCV7518 ■NCV57200 ■NCV5707 ■NCV5705B ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
IGBT上部へ直接取り付けが可能！1回路内蔵の高耐圧ゲートドライバー
『1GM06K』は、光ファイバー絶縁方式の高耐圧ゲートドライバーです。 ゲートドライブ回路と、小型高耐圧トランスを内蔵したDCDCコンバータを 1ユニット化。 短絡検出機能搭載で、IGBT上部へ直接取り付けが可能です。 【特長】 ■小型高耐圧トランス ■光ファイバー絶縁方式 ■短絡検出機能搭載 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
IEC62497-1に準拠した絶縁距離！マスター・スレーブ方式により最大4並列駆動が可能
『2GM06KM/2GM06KS』は、2回路内蔵の高耐圧ゲートドライバーです。 光ファイバー絶縁方式によるゲートドライブ回路と小型高耐圧トランスを 内蔵したDCDCコンバータを1ユニット化。 マスター(2GM06KM)・スレーブ(2GM06KS)方式により最大4並列駆動が可能です。 【特長】 ■小型高耐圧トランス ■光ファイバー絶縁方式 ■IEC62497-1に準拠した絶縁距離 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
Duty100%までドライブ可能！トランス絶縁方式で長寿命な中容量高速ゲートドライバー
『FDM-12B/GDM-1152N』は、中容量高速ゲートドライバーです。 トランス方式によるゲートドライブ回路を使用した製品で、長寿命。 「FDM-12B」は300kHzまで、「GDM-1152N」は200kHzまでの 高速ドライブが可能です。 【特長】 ■トランス絶縁方式で長寿命 ■小型・高速 ■Duty100%までドライブ可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SiCパワーモジュールに一体取付可能！システムの小型化に貢献するSiC-MOSFETゲートドライバー
『SDM1210/1810/SDM3010』は、フォトカプラ絶縁方式の SiC-MOSFETゲートドライバーです。 ゲートドライブ回路とDCDCコンバータを1ユニット化。 ROHM製 SiCパワーモジュール一体形状によりシステムの 小型化に貢献します。 【特長】 ■SiCパワーモジュールに一体取付可能 ■短絡検出及びソフトターンオフ機能を搭載 ■ワイドレンジ入力 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
IGBT用とSiC-MOSFET用のゲートドライバーの取り扱いについて詳しくご紹介しています！
当資料は、ゲートドライバーのテクニカルシートです。 「IGBT用ゲートドライバー取り扱い説明」では、ドライバーの選定法や ゲート調整抵抗(Rg)の選定とご注意などを掲載。 この他にも、「SiC-MOSFET用ゲートドライバー取り扱い説明」について ご紹介しております。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容(抜粋)】 ■IGBT用ゲートドライバー取り扱い説明 ・ドライバーの選定法 ・ゲート調整抵抗(Rg)の選定とご注意 ・並列ドライブについて ・短絡検出機能について ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
短絡保護機能付きシングルチャンネル絶縁ゲートドライバ ファミリーのご紹介
『EiceDRIVER F3 Enhanced(1ED332x)』は、絶縁型ゲート短絡保護(DESAT)、 ソフトターンオフ、アクティブミラークランプなどの保護機能を備えた ドライバーファミリーです。 本ゲートドライバーファミリーは最大出力電流8.5 Aを備えています。 また搭載する短絡保護機能は、IGBTおよびSiC MOSFETの双方に好適。 アクティブミラークランプは、SiCMOSFETやTRENCHSTOP IGBT7を使用した 高速スイッチングアプリケーションに適しており、寄生ターンオンを防ぎます。 【特長】 ■最大耐圧2300VのIGBT、SiCおよびSi MOSFETに使用可能 ■+6 A / -8.5 Aの代表的なシンクおよびソースピーク出力電流 ■フォールト出力による高精度VCEsat検出(DESAT) ■非飽和検出後のソフトターン オフ ■アクティブ ミラー クランプ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
超低消費電力！単独またはインフィニオンのモーター制御GUIと連動して動作可能
『EVAL_IMD700A_FOC_3SH』は、コンフィギュラブル(構成可能)ゲート ドライバー、オンボード電源、保護機能を備えた製品です。 センサーレスFOC制御により最大300Wのモーター駆動が可能。 また、優れた放熱性により、高価なヒートシンクが不要で、 コンパクトなソリューションとなっております。 【特長】 ■MOTIX IMD701Aを用いた完全集積型BLDCモータードライブソリューション ■コンフィギュラブルゲートドライブ、オンボード電源、保護機能 ■XMC1404とMOTIX6EDL7141を1パッケージ化 ■単独またはインフィニオンのモーター制御GUIと連動して動作可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
バックトゥバックMOSFETトポロジー(ドレイン共通、ソース共通)対応！
「EiceDRIVER APD 2ED2410-EM」は、ロジックピンによる2出力制御や、 統合されたI-tワイヤー保護を含むスマートなハイサイドNチャンネル MOSFETゲートドライバーであり、新しい自動車電源アーキテクチャ向けに 設計されています。 昇圧コンバータの効率により、アイドル時や通常時の消費電流は μAオーダーとなり、駐車中(キーオフモード)に負荷を供給する 必要がある場合に有用です。 【特長】 ■電源電圧の範囲を拡張：3V～58V ■2つのハイサイドゲートドライバ出力(3Ωプルダウン、50Ωプルアップ) により、高速スイッチオフ/オンが可能 ■2つの双方向ハイサイドアナログ電流センスインターフェイス (外部でゲイン調整可能) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
デッドタイムを最小化！アプリケーションの堅牢性とシステム効率を向上
『EiceDRIVER X3 Compact (1ED31xx)』は、ミラークランプ機能などの オプションを備えたコンパクトで設計が容易な絶縁型ゲートドライバーです。 最大14A(typ)のピーク出力電流、優れた伝搬遅延マッチングを提供。 これによりIGBTやMOSFETからSiC MOSFETやIGBT7まで、様々なタイプの スイッチに好適です。 【特長】 ■(IGBT7を含む)IGBT、SiC、Si MOSFET用 ■標準出力電流14A、伝搬遅延時間マッチング7ns ■伝搬遅延90ns(入力フィルター30nsを含む) ■絶対最大出力電源電圧：40V ■ソース シンクが分離独立した出力またはミラークランプ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
電源構成が最適化！パワーデバイスの導通損失を低減します
電気的に絶縁された『EiceDRIVER 1EDI305xAS』製品は、最大1200Vの IGBTおよびSiCのパワーデバイス向けに最適化された、車載認定のシングル チャネル高耐圧ゲートドライバーICです。 EiceDRIVER 1EDI305xAS製品はISO 26262準拠で、システムレベルでASIL-Dの 対応が可能。 内蔵SPI機能により幅広いプラットフォームの開発を可能とし、 内蔵された高精度フライバックコントローラーにより電源構成が 最適化され、パワーデバイスの導通損失を低減します。 【特長】 ■内蔵フライバックコントローラー(2％ acc.) ■SPI内蔵、高出力駆動段(最大20Aピーク)、12ビットADC ■6.8kV強化絶縁(DIN VDE) ■冗長化されたDESATおよびOCP保護、パワーデバイスのゲートおよび ドライバーの出力段の監視 ■ISO 26262 SEooC ASIL Bまでの機能安全対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
包括的な保護機能および診断機能！デバイスの状態をアクティブに監視し、システムを損傷から保護
『MOTIX TLE9140EQW』は、8Vから72V電源のさまざまなアプリケーションを 対象とした3相モーターゲートドライバーです。 内蔵のアダプティブMOSFET制御機能は、EME(電磁放射)の改善と電力損失の 低減に役立つだけでなく、アプリケーションに必要な外部部品数を低減できます。 また、最大ジャンクション温度175℃で、厳しいミッションプロファイルにも 対応可能です。 【特長】 ■高耐圧/最大110V ■ゲート駆動能力：～230nC/MOSFET最大20kHz ■ゲートドライバーに内蔵されたアダプティブMOSFET制御機能 ■VSM OV中はアクティブLSフリーホイール状態 ■包括的な保護および診断機能 ■小型パッケージTS-DSO-32(8.65×3.9mm2) ■車載グレード0デバイスおよびASIL B準拠 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
超高速、低抵抗ブートストラップダイオード内蔵！100Vの負のVS過渡電圧耐量
『高速ハーフブリッジ ゲートドライバー』は、DSO-8パッケージを採用し、 ソース電流は0.29A(typical)、シンク電流は0.7A(typical)です。 ブートストラップダイオード内蔵し、省スペース、BOMコストの削減、 よりシンプルな設計による低コストでのPCB小型化。 また、VSピンの負の過渡電圧耐性ノイズ耐性に優れます。 レベルシフト損失を50％低減します。 【主な特長】 ■最大動作電圧(VSノード) ＋650V ■100Vの負のVS過渡電圧耐量 ■超高速、低抵抗ブートストラップダイオード内蔵 ■伝播遅延90ns ■最大電源電圧25V ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
イサハヤ電子初！デジタル制御のゲートドライバが完成しました！
高効率、低ノイズに対応するため開発した製品となります。 出力電圧を多段ステップ状に制御できるため、IGBTがより低損失、低ノイズで動作できるゲート波形を実現でき、本製品とPCを専用ケーブルで接続することで、そのゲート波形をお客様の使用環境に応じた最適な波形パラメータに調整できるという点が本製品の特徴となります。 現在ES対応中ですので、ご興味のある方は、ぜひご評価検討ください。ターゲットIGBTモジュールクラスは、～3300V、1800Aクラスと記載しておりますが、低圧・低容量のタイプでもご評価は可能です。 デジタル制御での波形調整では、従来のゲート抵抗だけでは実現できなかった複雑な波形も実現可能です！ あなただけの秘密の波形でライバルに差をつけてみませんか？ 弊社ホームページよりお気軽にお問い合わせください！
クロスオーバー電流が非常に低く、低温で動作！消費電力が少なく、駆動が簡単
『MIC4451/4452 ゲートドライバ』は、12A出力が可能で3つ以上の ディスクリートコンポーネントを置き換えることができる製品です。 PCB面積要件が削減され、製品設計が簡素化され、組み立てコストが削減。 「MIC4451」は、反転ドライバで「MIC4452」は、非反転ドライバです。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■BiCMOS/DMOS構造 ■ロジック1入力で低消費電流450µA ■低出力インピーダンス：1.0Ω ■出力電圧スイングはGNDまたは電源電圧から25mV以内 ■低い等価入力容量：7pF(標準値) ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
ハイサイドドライバとローサイドドライバ間の伝搬遅延は50ns(最大)に整合！
『MCP14LH2101』は、ブートストラップ動作で600Vに切り替えることができる ハイサイド/ローサイドゲートドライバです。 ハイサイドドライバとローサイドドライバ間の伝搬遅延は50ns(最大)に 整合しているため、高周波スイッチングが可能です。 ロジック入力は、標準TTLおよびCMOSレベル(最低3.3V)と互換性があり、 制御デバイスとのインターフェイスが容易です。 【特長】 ■最大600Vのブーストトラップ動作に対応したフローティング ■ハイサイド/ローサイド構成で2つのNチャンネルMOSFETまたはIGBTを駆動 ■ロジック入力：CMOSおよびTTL互換(最低3.3V) ■VCCの低電圧ロックアウト(UVLO) ■拡張温度範囲：－40℃～＋125℃ ※詳しくはPDF(英語版)をダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
コンパクト且つ設計が容易！40Vの絶対最大出力電源電圧のゲートドライバファミリ
『EiceDRIVER X3 Compact(1ED31xx)』は、ミラークランプ機能を搭載する オプションもあるゲートドライバファミリです。 コンパクト且つ設計が容易。 以前発売されたゲートドライバファミリには、DSO-8 150ミルナローボディ パッケージが加わりました。 【特長】 ■IGBT(IGBT7含む)、SiC、Si、MOSFET用 ■出力電流14A、伝播遅延マッチング7ns ■90nsの伝播遅延、入力フィルタで30ns ■40Vの絶対最大出力電源電圧 ■ソース出力とシンク出力の分離またはアクティブミラークランプ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
短絡検出及びソフトターンオフ機能搭載！ローム製SiCパワーモジュール用SiC-MOSFETゲートドライバー
『SDM1210RE/1810P3RE』は、ローム製ドライバーICを使用した SiC-MOSFETゲートドライバーです。 2回路内蔵で、短絡検出及びソフトターンオフ機能搭載。 「SDM1810P3RE」は第3世代の180A定格SiCパワーモジュールに 対応します。 【特長】 ■ローム社製ドライバーIC搭載 ■短絡検出及びソフトターンオフ機能搭載 ■ワイドレンジ入力 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
評価用として供給！BSM300D12P2E001(ROHM)用SiC-MOSFETゲートドライバーのご紹介です
『SDM3010RE』は、ローム製ドライバーICを使用した SiC-MOSFETゲートドライバーです。 リファレンスボード「BM60052-EVK-001」 同仕様品で、 実装タイプはビルトイン、絶縁耐電圧はAC2.5kV。 当製品は、ローム株式会社様より評価用として 供給されております。 【特長】 ■ローム社製ドライバーIC搭載 ■短絡検出及びソフトターンオフ機能搭載 ■ワイドレンジ入力 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
車載用電源分配アプリケーション向け！外付けMOSFET、負荷、および電源の保護を実現
『2ED4820-EM』は、SPIで制御される2出力のスマートハイサイドNチャネル MOSFETゲートドライバーです。 ドライバーのターンオンおよびターンオフの性能が強化されているため、 MOSFETの数を簡単に増やすことが可能。高速スイッチオン/オフ能力を 確保しながら、数百アンペア単位の大電流を制御することができます。 また、内蔵の電流センスアンプは、ハイサイドおよびローサイドの電流測定に 対応し、専用のモニター出力を備えています。 【特長】 ■幅広い動作電圧範囲：20V～70V ■2つの独立したハイサイドゲートドライバ出力(1Aプルダウン、 0.3Aプルアップ)による高速スイッチオフ/オン ■電流検出 ■SPIによるデバイスの制御、設定、および診断 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高速スイッチオフ/オンが可能！車載用12V/24Vスマートアナログハイサイド
『2ED2410-EM』は、ロジックピンによる2出力制御や、統合された I-tワイヤー保護を含むスマートなハイサイドNチャンネルMOSFET ゲートドライバーです。 新しい自動車電源アーキテクチャ向けに設計。 また、昇圧コンバータを内蔵しているため、電源電圧が3Vまで 低下した場合でも外付けMOSFETを連続的にオンさせ、 動作させることが可能です。 【特長】 ■電源電圧の範囲を拡張：3V～58V ■2つのハイサイドゲートドライバ出力で、高速スイッチオフ/オンが可能 ■2つの双方向ハイサイドアナログ電流センスインターフェイス ■端子によるチャンネル制御/診断 ■外部温度測定用アナログインターフェイス ■ゲート低電圧ロックアウト(UVLO) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
小型パッケージ！4種類の駆動能力、スプリアススイッチングに対する耐性
「EiceDRIVER 1EDN71x6U」は、インフィニオンCoolGaNショットキーゲート (SG)HEMT、およびその他のGaN SG HEMTとSi MOSFETの駆動用に最適化された 1チャネルゲートドライバーICです。 このゲートドライバーファミリーは、Truly differential logic input(TDI)、 4つの駆動強度オプション、アクティブミラークランプ、ブートストラップ電圧 クランプなど、高速スイッチングトランジスタを用いた高性能システム設計を 可能にするいくつかの主要な機能を備えています。 【特長】 ■Truly differential input (TDI) ■4レベルの駆動能力オプション ■アクティブ ミラークランプ ■ブートストラップ電圧クランピング ■GaNに最適化された超低インダクタンスフリップチップパッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
200VハイサイドTDIゲートドライバー(GaN SG HEMT、MOSFET用) ！
当社の「EiceDRIVER 1EDN71×6G」をご紹介いたします。 高速スイッチングトランジスタを用いた高性能なシステムを設計できる、 重要な機能がいくつか搭載されています。 これらの機能には、Truly Dif-ferential Input(TDI)、4つの駆動強度オプション、 アクティブミラークランプ、ブートストラップ電圧クランプ、調整可能な チャージポンプなどがあります。 【特長】 ■Truly differential logic input(TDI) ■4つの駆動力 ■アクティブ ミラー クランプ ■オプションの負の充電ポンプ ■アクティブ ブートストラップ クランプ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
電源管理ユニット(PMU)、電流センスアンプ(CSA)、過電流保護(ITRIP)搭載！
『MOTIX 6ED2742S01Q』は、三相BLDCモーター駆動アプリケーション 向けに設計された160V SOIを使用したゲートドライバーです。 内蔵ブートストラップダイオードで3つの外部ハイサイドブートストラップ コンデンサーに電源供給し、トリクルチャージポンプで100％のデューティ サイクル動作をサポートします。 保護機能には、低電圧保護、閾値設定可能な過電流保護、フォールト通信、 自動フォールトクリアを備えています。 【特長】 ■広い入力電圧範囲：6V～140V ■駆動電流：Io＋/Io-1A/2A(最大-Typ.) ■電源管理ユニット(PMU)を内蔵 ■広い入力VIN範囲を可能にするリニア プリ レギュレータ ■内蔵充電ポンプにより安定したVCCが可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
