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SiC・GaN・Ga203のような高性能デバイス搭載向けの次世代型パワーモジュール汎用パッケージ
通常のパワーモジュール汎用パッケージでは、SiC・GaN・Ga203のような、高性能デバイスでの使用には不向きでした。 弊社が開発した次世代型パワーモジュール汎用パッケージFLAPは、これらの問題を解決し、体積・熱抵抗・パッケージインダクタンスなどの指標において従来品より大きく改善いたしました。
◆ASEバンド幅：≥45nm◆低リップル：≤0.3dB◆高出力：≥17dBm◆広帯域：≥45nm
DL-SOA55014A-HDP-45は偏波保持(PM)式SOAです。 14ピンBTFモジュール式、高利得(≥14dBm)、高出力設計になっております。
優れた周波数特性を実現したマイクロ波・ミリ波デバイス用のセラミックパッケージ
当社では、独自の製造方法やフィールドスルー設計によって優れた 周波数特性を実現した、StratEdge社製マイクロ波・ミリ波デバイス用の セラミックパッケージを標準品として提供しています。 大半のパッケージは、シール材量をプリフォームした専用のリッドを用いる ことで、容易に封止することができます。また特殊な金属材料を ベースプレートに使用して、放熱特性を向上させたパッケージもご用意しております。 【ラインアップ】 ■マイクロ波・ミリ波用セラミックパッケージ ・LPAシリーズ：DC-23 GHz、リード付、ドロップイン型 ・SMXシリーズ：～16+ GHz、リード付、表面実装型 ・SE50シリーズ：DC-50+ GHz、リードレス、ドロップイン型 ・MCシリーズ：DC-12+ GHz、リード付、モールドセラミック ・SMシリーズ：～26GHz、QFN型ハーメチック・パッケージ ・LLシリーズ：リード付、CMCパワー・パッケージ ※ダウンロード頂けるPDF資料は、英語版のカタログです。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
RAIN RFIDリーダーチップIC(Impinj Eシリーズ)とRFフロントエンド回路を統合した高性能なシステムインパッケージ
MTI社のRFIDリーダーチップSiPは、RFID市場で世界的シェアを持つImpinj社のリーダーチップIC（Eシリーズ）をMicroelectronics Technology Inc社（MTI）で最適化されたRFフロントエンド回路を統合した System in Package（SiP）です。 SiPは、複数の機能チップを11mm x 11mmの1つのパッケージに組み合わせたもので、それ自体が完全な機能ユニットとなり、寸法が狭いあらゆる種類のデバイスに最適なソリューションを提供します。 コンパクトで高性能なMTI RFIDリーダーチップSiPは、モバイルリーダーやプリンター、小型の固定リーダー、組み込みエンタープライズ(シェルフリーダー、セキュリティアクセスなど)、ハンズフリーエンタープライズ(ウェアラブル、スレッドスタイルリーダー)、およびモバイルPOSやスマートアプライアンスなどのRAIN RFID機能を備えたIoTデバイス等の機器向けに最適です。製品の開発期間が短縮され、市場への製品販売が迅速に行えます。（開発キットやサンプルSiPの取扱いも行っています。）
