SiC・GaN・Ga203のような高性能デバイス搭載向けの次世代型パワーモジュール汎用パッケージ
通常のパワーモジュール汎用パッケージでは、SiC・GaN・Ga203のような、高性能デバイスでの使用には不向きでした。 弊社が開発した次世代型パワーモジュール汎用パッケージFLAPは、これらの問題を解決し、体積・熱抵抗・パッケージインダクタンスなどの指標において従来品より大きく改善いたしました。
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基本情報
外形寸法 [mm] 91%減 従来構造モジュール 147×60×18 FLAP 71×40×5 熱抵抗 [℃/W]Rth_j-c 91%減 従来構造モジュール 0.122 FLAP 0.088 パッケージインダクタンス[nH] 92%減 従来構造モジュール 58 FLAP 4.7 弊社独自の以下のテクノロジーによって実現し、特許を取得いたしました。 ・金属粒子焼結合技術 ・主回路接続部への超音波接合技術 ・小型パッケージ設計技術（高耐熱材料、低熱抵抗パッケージ構造等）
価格帯
納期
用途／実績例
SiC・GaN・Ga203など高性能デバイス搭載向けモジュール
企業情報
お客様にマッチする独自の仕様にて、パワーデバイスの開発を行います。 「要望に合う仕様のパッケージが販売されていない」「独自の仕様で開発してくれる会社がない」などのお悩みを解決します。 ご相談ベースからの開発も可能です。 多数の案件実績を持つ技術者が、量産までの全てのフェーズでお手伝いいたします。 弊社は、お客様の「作りたい！」を叶え、ゴールまで伴走するパートナーです。