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長帯域や入射角にあわせた最適な設計で反射率を大幅に高めることが可能！
『ミラー（反射膜）』は、長帯域や入射角にあわせた最適な 設計により、反射率を大幅に高めることができます。 また、適切な加工条件により、対レーザ用ミラー、 コート後面精度保証ミラーの製作も可能です。 【面精度保証ミラー 】 ■誘電体多層膜コート後面精度：λ/14 ■合成石英平面板：96 × 124 × 15T（mm） ■仕様波長：315-355nm ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
多層膜構造の層の厚さと材料の種類を制御！特定の波長の範囲のみを反射可能
「ダイクロイックミラー」は、特定の波長範囲に対する反射率を 制御することができるミラーです。 一般的に薄膜の多層構造を持ち、その多層膜構造の層の厚さと 材料の種類を制御することで、特定の波長の範囲のみを反射することが可能。 ご要望の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■特定の波長範囲に対する反射率を制御することができる ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
回転体の内面にX線が照射され、1回もしくは2回の反射を経て1点に集光！
回転体X線ミラーは、1点に集光する特性を持つ関数の軸を中心に、 その関数を1回転して得られる立体形状を持ちます。 主に楕円関数や、楕円関数と双曲関数を組み合わせた関数を基に、 必要とされる光学性能に合わせて回転体が設計。 回転体の内面にX線が照射され、1回もしくは2回の反射を経て1点に集光。 集光点に分析試料などを設置し、材料分析や観察などを行います。 【特長】 ■1点に集光する特性を持つ関数の軸を中心に、その関数を1回転して 得られる立体形状を持つ ■必要とされる光学性能に合わせて回転体が設計される ■集光点に分析試料などを設置し、材料分析や観察などを行う ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
主に半導体リソグラフィ用途に13.5nmのEUV光源が用いられます！
EUVは、極端紫外光のことで、Extreme Ultravioletの略称です。 主に半導体リソグラフィ用途に13.5nmのEUV光源が用いられ、 従来のArFエキシマレーザー(193nm)に比べより微細なパターンが 描写可能です。 EUVは物質への吸収率が極めて高く透過型の光学系(レンズ)を 使用できないため、反射光学系(ミラー)を用いる必要があります。 【特長】 ■物質への吸収率が極めて高い ■透過型の光学系(レンズ)を使用できないため、反射光学系(ミラー)を 用いる必要がある ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
