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検出下限を1E16n/cm3に下げることが出来ました。SIMSによる分析結果の紹介
半導体材料開発には不純物分析が重要ですが、高感度で分析できる二次イオン 質量分析（SIMS）が適しています。 SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、シリコンへアルミニウムを イオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 アルミニウムの質量数はシリコンと隣接しているため Q ポール型 SIMS では 測定が困難ですが、測定条件を最適化することによって検出下限を 1E16n/cm3に下げることが出来ました。 【注入条件】 ■エネルギー ：180keV ■ドーズ量 ：1E15n/cm2 (ドーズ量は当社の RBS によって得られた値を使用) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
物理分析を行う装置を揃え、立会い分析も可能な受託分析サービスを行っています
主な装置は「HR-TEM」「Ｑ-pole型SIMS」「μESCA」「RAMAN」など。ミクロ・ナノレベルの表面分析におけるノウハウの蓄積があり、信頼性の高いデータを短期間で提供することができます。また未知試料の分析についてもアドバイスします。 【表面分析 二次イオン質量分析（SIMS）】 ○数keVのCsやO2イオンをサンプルに照射して放出される2次イオンの質量分析によって、水素を含む全元素の組成分析を行う手法。 ○高感度の元素分析や低エネルギーイオンによる深さ分解能の優れた測定が可能。 ●詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。
優れた測定が可能にする分析手法です！
『二次イオン質量分析』は、数keVのCsやO2イオンをサンプルに照射して 放出される二次イオンの質量分析により、水素を含む全元素の組成分析を 行う手法です。 高感度の元素分析や低エネルギーイオンによる深さ分解能の優れた測定が 可能になっています。 【特長】 ■水素を含む全元素の組成分析を行う ■元素分析が可能 ■低エネルギーイオンによる深さ分解能の測定が可能 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
各種半導体の様々な目的に合わせて、各種手法で分析が可能！
半導体の微細な形状の観察、結晶性評価、不純物濃度測定、硬度測定、故障解析など 各種手法により研究開発のサポートを致します。
DLC(ダイアモンドライクカーボン)の各種分析が可能！
DLC(ダイアモンドライクカーボン)の結晶性、膜厚の構造、水素量、密度、硬度の評価を紹介いたします。
SIMSによってシリコンへボロンをイオン注入したサンプル分析結果を紹介。
材料開発には不純物分析が重要ですが、高感度で分析できる二次イオン質量 分析（SIMS）が好適です。 ここでは SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によってシリコンへボロンを 3keVのエネルギーでイオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 特に酸素リークによってボロンの深さプロファイルが正確に分析できている ことがわかります。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SIMSによる、シリコンへ砒素をイオン注入した分析結果を紹介。
当ページでは、SIMS (アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、シリコンへ 砒素をイオン注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 砒素（75As）はマトリックスであるシリコンと残留ガスである酸素あるいは 水素との複合分子（29Si30Si16O など）が干渉するため、質量分解能が 3190 必要です。 Q ポール型 SIMS では質量分解能が 200 程度しかなく、質量分離が困難です。 しかしシリコンと砒素の複合分子イオンを測定することによって検出下限を 2×1015 [atoms/cm3]に下げることが出来ました。 【注入条件】 ■エネルギー ：700 [keV] ■ドーズ量 ：1×1015 [atoms/cm2] ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SiC基板へアルミニウムをBOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介。
SIMS(アルバックファイ：ADEPT-1010)によって、SiC基板へアルミニウムを BOX 注入したサンプルを分析した結果を紹介します。 SiC 基板は絶縁性が高いため、1次イオンビームを試料表面に照射すると 電荷が蓄積するため正確な測定が出来ません。そこで 1次イオンビーム 照射部分に低速電子ビームを同時照射し、電荷の蓄積を抑制することで 正確な測定が行えるようになりました。 アルミニウムの質量数(27)はマトリックスであるシリコン(28)と隣接して いるため、測定条件を最適化することによって検出下限を 6×1015 [atoms/cm3]にまで下げることが出来ました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
当社のESCAは X 線プローブ径を5μmまで絞ることができます。
400LPI の銅メッシュ（メッシュ間隔：63.5μm）をマイクロ ESCA （Quantum-2000）により分析した例を紹介します。 二次電子像から分析視野を指定してその領域の銅の面分析を行いましたが、 二次電子像に対応した銅の分布が得られました。 さらにこのデータから測長機能を利用してメッシュ間距離などを測ることが できます。 また、通常のESCAでは X 線プローブ径が1mm 程度ですが、当社のESCAは X 線プローブ径を5μmまで絞ることができます。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
物理分析を行う装置を揃え、立会い分析も可能な受託分析サービスを行っています
主な装置は「HR-TEM」「Ｑ-pole型SIMS」「μESCA」「RAMAN」など。ミクロ・ナノレベルの表面分析におけるノウハウの蓄積があり、信頼性の高いデータを短期間で提供することができます。また未知試料の分析についてもアドバイスします。 【表面分析 X線光電子分光分析（ESCA・XPS）】 ○X線をサンプルに照射して表面から数nmの深さから放出される光電子のエネルギー分析により元素を同定し組成・化学結合状態を分析する手法。 ○絶縁物の表面分析に適しており、Arイオンエッチングによる深さ分析や10μm径のビームによる局所分析が可能。 ●詳しくはカタログをダウンロード、もしくはお問い合わせください。
