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半導体(パワーデバイス) - 企業3社の製品一覧

製品一覧

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パワー半導体(パワーデバイス)の放熱に貢献!『エッチング加工』

電気自動車(EV)やスマートフォンで活用されるパワー半導体の発熱を抑制!エッチング加工を使用した「放熱板」にて効率よく放熱します

パワー半導体(パワーデバイス)とは、大電流や高電圧を扱うことが可能な半導体の事で、 電気自動車やスマートフォンなど、幅広い範囲で開発されています。 当社では、主にパワー半導体(パワーデバイス)のチップの支持固定と 配線接続をするリードフレームとその放熱板の加工及び、 生産工程などで使用される、治具・メタルマスクなどでご協力させて頂くことが多いです。 金型を使うことなく、複雑・微細な形状の加工が可能で、 ミクロンレベル(3μm~2mm)の精度で短時間に製作します。 【特長】 ■金型なしで、複雑な部品などミクロンレベルの加工精度が短時間で製作可能 ■リードフレームでは、純銅から銅合金などの多種の材料を  保有しており、エッチング加工が可能 ■放熱板では、厚銅を平井精密工業の機械加工(ファイバーレーザ加工・  ワイヤ放電加工)で対応する事が出来る ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 加工受託

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高電圧 電力変換システム用パワー半導体

高電圧 電力変換システム用!様々な電力交換システムに適しています。

2000V N チャネルパワーMOSFETは、高電圧 電力変換システム用の高電圧パワーMOSFETです 低電圧素子による直列接続の必要性を排除し、オン抵抗の温度係数が正であるため並列動作させることができ、費用対効果の高い電源システムの構築を可能にします。 他の利点として、使用数量削減によりゲート駆動回路を構成する要素の減少も可能で、コストダウン、シンプルな設計による信頼性の向上、およびPCBスペースを節約し、小型化に貢献します。 【特徴】 ○高ブロッキング電圧 ○独自の高電圧パッケージ ○端子間の沿面距離増加 ○オン抵抗の温度係数が正 ○省スペース(デバイスの複数直列接続を削減) 詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

  • その他半導体
  • その他電子部品

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Si よりも強く、デバイスフレンドリーなSiC 半導体

SiC 半導体 金属- 酸化膜- 半導体(MOS)接合デバイス パワーデバイス ハードエレクトロニクス  量子効果デバイス

 炭化ケイ素(SiC)は、熱酸化によって表面にSiO2 膜を形成できる上、8 インチウェハが量産化され、デバイス作製技術が発達している、Si 半導体並にデバイス応用のし易い半導体材料です。また、ワイドバンドギャップ、高い耐放射線性・耐熱性、堅牢といったダイヤモンドに良く似た性質も兼ね備えています。まさにSiC はSi とC(ダイヤモンド)の“いいとこ取り”をした材料です!  さらにここ数年間の研究により、SiC にはダイヤモンドNV センターによく似た単一欠陥が存在し、これを単一光子源やスピンとして利用することで、量子コンピューティングや量子フォトニクス、量子センシングに応用できる道のりが開かれています。

  • その他

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