半導体のメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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半導体(光デバイス) - メーカー・企業と製品の一覧

更新日: 集計期間:2026年01月14日~2026年02月10日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。

半導体の製品一覧

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電子機器器具 車載機器向け製品取扱多数!

車載機器向け製品分野・産業分野をはじめ、幅広いフィールドに適切な製品とサービスをご提供。

当社では、電子機器、電子部品などを取り扱っております。 マイクロコンピュータ、汎用ロジックICなどの半導体製品をはじめ、 中小型液晶デバイス、TN、STN液晶デバイスなどの液晶表示製品など お客様のニーズに合った製品をお選びいただけます。 コネクテッドカーや自動運転車などに向けた新化にも対応していきます。 ご要望の際はお気軽にお問合せください。 【事業内容】 ■電子機器器具の販売 ■PCおよび周辺機器などの製品開発 ■半導体部品などの企画・開発・製造 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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Si よりも強く、デバイスフレンドリーなSiC 半導体

SiC 半導体 金属- 酸化膜- 半導体(MOS)接合デバイス パワーデバイス ハードエレクトロニクス  量子効果デバイス

 炭化ケイ素(SiC)は、熱酸化によって表面にSiO2 膜を形成できる上、8 インチウェハが量産化され、デバイス作製技術が発達している、Si 半導体並にデバイス応用のし易い半導体材料です。また、ワイドバンドギャップ、高い耐放射線性・耐熱性、堅牢といったダイヤモンドに良く似た性質も兼ね備えています。まさにSiC はSi とC(ダイヤモンド)の“いいとこ取り”をした材料です!  さらにここ数年間の研究により、SiC にはダイヤモンドNV センターによく似た単一欠陥が存在し、これを単一光子源やスピンとして利用することで、量子コンピューティングや量子フォトニクス、量子センシングに応用できる道のりが開かれています。

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半導体ナノ構造を利用し光エレクトロニクスデバイスの高性能化を実現

キーワード: 半導体ナノ構造 高効率太陽電池 結晶成長 分光測定

 我々は、ナノメートル(10 億分の1 メートル)サイズの半導体微細構造を利用して、光エレクトロニクスデバイスを高性能化するための研究を行っています。  例えば、半導体中で電子を十数ナノメートル程度のごく狭い領域に3 次元的に閉じ込める「量子ドット」と呼ばれる構造を用いると、閉じ込められた電子のエネルギーを人為的に調整できるようになるなど、優れた特性を発揮することが可能になります。この量子ドットを太陽電池の中に多数並べることで、通常は吸収できない波長帯の光を量子ドットが吸収し、幅広いスペクトルをもつ太陽光のエネルギーを無駄なく電力として取り出すことができるようになり、発電効率を飛躍的に高めることが可能になります。  このような半導体ナノ構造は、高効率太陽電池の他にも高輝度発光素子や高感度センサーなどへの応用が期待できます。実際のデバイスとして利用するには、ナノスケール構造物の形状やサイズとその均一性、さらに配列性などを精密に制御した上で高密度に作る必要があり、そのための高精度な微細構造の作製技術を開発しています。また、各種分光測定技術を駆使してそれらの材料の特性を評価しています。

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Nチャンネル パワーMOSFET OptiMOS 6 120V

産業用認証とTj_max=175°Cにより優れたパワーハンドリングと堅牢性を実現!

当社で取り扱う「Nチャンネル パワーMOSFET OptiMOS 6 120V」について、 ご紹介いたします。 ハードスイッチとソフトスイッチの両アプリケーション、また、 高スイッチング周波数および低スイッチング周波数に適しており、 ノーマルレベルとロジックレベルが利用可能。 産業用電源、ソーラーなどさまざまなアプリケーションで使用できます。 【特長】 ■スイッチング損失、導通損失において好適なバランスを実現 ■150V耐圧不要時にRDS(on)やFOMを低減 ■パッケージの幅広い選択肢 ・FR4基板およびIMS基板向け面実装 ・上面冷却 ・スルーホール ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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【資料】WTIブログ 電源・パワエレ編 2017年~2019年度

「電源機器の寿命検証」や「DC-DCコンバータ設計 電源設計時の着眼点」など当社技術のノウハウが満載!

当資料は、技術者不足を解決する「開発設計促進業」である 株式会社Wave Technologyの2017年度~2019年度までの WTIブログ、電源・パワエレ編についてまとめています。 「CMOS[低耐圧MOSFET]とパワー半導体との違い」をはじめ、 「電源機器の寿命検証」や「SiCデバイスを使って電源を 効率化してみました」などを掲載。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容(抜粋)】 ■2017.5.16 技術者は原理原則の理解が大事なんです! ■2017.9.5 太陽光発電システムの縁の下の力持ち~パワコンとは~ ■2017.9.19 CMOS[低耐圧MOSFET]とパワー半導体との違い ■2017.12.5 自動車の電気化を支える機器の開発 ■2018.3.13 回路図には登場しないインダクタンスに注意 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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パワーMOSFET OptiMOS 6 200 V

ソフトダイオード、低Qrr、高リニア容量の組み合わせを実現!

新しい『OptiMOS 6 200 V MOSFET』は、インフィニオンの先進トレンチ MOSFET技術を代表する製品です。 高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに対応。本技術は、RDS(on)を 大幅に低減し、その結果、導通損失を低減しています。ゲート閾値電圧の ばらつきが少なく、トランスコンダクタンスが低減されているため、 並列接続に優れたデバイスです。 本製品は、穏やかなダイオード動作と低い逆回復電荷に加え、 出力キャパシタンスの直線性の改善により、スイッチング損失を最低限に抑え、 様々な動作条件においてシステム効率を向上させます。 【主な特長】 ■RDS(on)を42%低減 ■3倍ソフトなダイオードで、キャパシタンス直線性も向上 ■Qrrが89%低減 ■広い安全動作領域(SOA) ■鉛フリーめっき、RoHS対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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Nチャンネル パワーMOSFET OptiMOS 6 200V

インフィニオンの先進のトレンチMOSFET技術を代表する製品!

当社で取り扱う「Nチャンネル パワーMOSFET OptiMOS 6 200V」について、 ご紹介いたします。 高電力密度、高効率、高信頼性のニーズに対応。本技術は、RDS(on)を 大幅に低減し、その結果、導通損失を低減します。 ゲート閾値電圧のばらつきが少なく、トランスコンダクタンスが低減されて いるため、並列接続に優れたデバイスです。 【特長】 ■広い安全動作領域(SOA) ■鉛フリーめっき、RoHS対応 ■200Vでクラス最高レベルの性能 ■ソフトダイオード、低Qrr、高リニア容量の組み合わせ ■並列接続時の電流共有の改善 ■豊富なパッケージ展開 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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SiC MOSFETディスクリート 1200 V/30 mΩ

性能と信頼性を両立させるために最適化された先端のトレンチ半導体プロセスで作られています!

TO247-4パッケージ搭載1200 V/30 mΩの当製品は、先端のトレンチ半導体 プロセスで製造されており、低ゲート電荷およびデバイス容量レベル、内部整流 ボディダイオードの逆回復損失ゼロ、低スイッチング損失、スレッショルド フリーのオン特性などの利点をもたらし、性能と信頼性を両立するよう 最適化されています。 DC-DCコンバーターまたはDC-ACインバーターなどのハードおよび共振 スイッチングトポロジー、双方向トポロジーに好適です。 「TO-247 4ピン パッケージ」は、ゲート回路の寄生ソースインダクタンス 効果を低減し、より高速なスイッチングと効率の向上を実現します。 【特長】 ■最高クラスの低スイッチング損失および導通損失 ■高閾値電圧、Vth > 4V ■0 Vのターンオフゲート電圧による簡単でシンプルなゲート駆動 ■幅広いゲートソース電圧範囲 ■転流用に本格使用可能な定格の堅牢で低損失のボディダイオード ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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酸化物TFTにおける安定性向上・大型化・フレキシブル化技術

★印刷プロセスや材料特性を考慮し、どう製品まで実現するか? ★実用化懸案であるデバイス特性の安定性化への理解を深める!

セミナー番号 S20228 講 師 東京工業大学 フロンティア研究センター 特任准教授 野村 研二 氏 対 象 酸化物TFTに関心のある企業担当者など 会 場 東京中央区 京華スクウェア 2F ハイテクセンター 第1会議室【東京・中央区】 東京メトロ日比谷線/JR京葉線「八丁堀駅」A3出口より徒歩1分 都営地下鉄浅草線「宝町駅」A1,A2出口より徒歩5分 日 時 平成24年2月16日(木) 13:30-16:30 定 員 30名 ※お申込みが殺到する恐れがあります、お早めにお申し込みください。 聴講料 【早期割引価格】1社2名まで46,200円(税込、テキスト費用を含む) ※但し2月2日までにお申込いただいたTech-Zone会員に限る。会員登録は無料 ※2月2日を過ぎると【定価】1社2名まで49,350円(税込、テキスト費用を含む) となります

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無料ウェビナー 特殊半導体がエレクトロニクスの未来をどう動かす?

電力、RF、センサーといった特殊技術が半導体業界をどのように変革しているのかをご紹介!

当社が開催したウェビナー「ノードだけではない:特殊半導体が エレクトロニクスの未来をどう動かすのか」についてご紹介いたします。 5Gから6Gへの進化、高度な光センシングからワイドバンドギャップ パワーデバイスまで、これらのイノベーションがいかにしてエレクトロニクスの 高速化、スマート化、そして効率化を実現しているのかを探ります。 専門家の洞察については、TechInsightsウェビナーをご覧ください。 【概要】 ■電力、RF、センサーといった特殊技術が半導体業界をどのように  変革しているのか ■5Gから6Gへの進化などのイノベーションがいかにしてエレクトロニクス  の高速化、スマート化、そして効率化を実現しているのか ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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