★印刷プロセスや材料特性を考慮し、どう製品まで実現するか? ★実用化懸案であるデバイス特性の安定性化への理解を深める!
セミナー番号 S20228 講 師 東京工業大学 フロンティア研究センター 特任准教授 野村 研二 氏 対 象 酸化物TFTに関心のある企業担当者など 会 場 東京中央区 京華スクウェア 2F ハイテクセンター 第1会議室【東京・中央区】 東京メトロ日比谷線/JR京葉線「八丁堀駅」A3出口より徒歩1分 都営地下鉄浅草線「宝町駅」A1,A2出口より徒歩5分 日 時 平成24年2月16日(木) 13:30-16:30 定 員 30名 ※お申込みが殺到する恐れがあります、お早めにお申し込みください。 聴講料 【早期割引価格】1社2名まで46,200円(税込、テキスト費用を含む) ※但し2月2日までにお申込いただいたTech-Zone会員に限る。会員登録は無料 ※2月2日を過ぎると【定価】1社2名まで49,350円(税込、テキスト費用を含む) となります
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基本情報
【講演要旨】 大型・高速駆動液晶パネルや高解像度有機ELパネルを実現する画素制御用TFT用チャネル材料として低温で高移動度TFTが作製できるアモルファス酸化物半導体が注目されている。本講演では、初めに酸化物半導体の概要を述べた後、アモルファス酸化物半導体の材料設計、基礎物性、デバイス応用について解説する。また、実用化において最重要懸案であるデバイス特性の安定性などについても議論する。
価格帯
1万円 ~ 10万円
納期
2・3日
用途／実績例
1.はじめに 2. アモルファス酸化物半導体とデバイス応用 3.アモルファス酸化物半導体の基礎物性 –a-In-Ga-Zn-O(a-IGZO)三元系 3-1. アモルファス酸化物半導体の局所・配位構造 3-2. キャリア輸送特性 –パーコレーション伝導- 3-3. バンドギャップ内欠陥準位密度 3-4. 酸素欠損と水素の役割 4. アモルファス酸化物半導を用いたTFT応用 4-1. 酸化物TFTの歴史 4-2. a-IGZOTFTのTFT特性・均一性とその特徴 4-3. 作製方法とTFT構造 4-4. TFT特性改善にける熱処理効果 4-5. 酸化物半導体TFTsの応用展開 5.TFT特性安定性 -バルク・界面・表面欠陥の影響- 5-1. FPD応用に向けたTFT特性安定性評価 5-2. 定電流ストレス安定性とその劣化機構 5-3. 光照射下でのバイアス安定性と劣化機構 5-4. 光応答性とその起源 5-5. パッシベーション効果 6.終わりに –最近の進展と今後の課題-
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企業情報
弊社は、化学、エレクトロニクス、自動車、エネルギー、医療機器、食品、建材など、幅広い分野のR&Dを担うクライアントのために、「セミナー企画」に始まった事業領域を「講師派遣」「出版企画」「技術コンサルタント派遣」「動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサルティング」といった様々な事業形態(新事業)に展開することで、ここまで企業を発展させ、新たな市場を開拓してきました。AndTechはこれからも、クライアントの声に耳を傾け、クライアントが望む事業領域・市場に進出して、共に悩み、共に考え、共に道を切り拓く企業として、クライアントに愛される意味を見失わないことをお約束いたします。