1～2 件を表示 ／ 全 2 件
半導体から医療まで様々な製品への注入が可能！ Si SiC GaN等に好適！
弊社のイオン注入サービスは装置を多数所有しているため、多種多様なニーズにお応えすることが可能です。 【特徴】 ・約60種の多様なイオン種に対応 ・小片から300mm（12インチ）まで幅広いサイズに対応 ・半導体はもちろん有機物などへの対応も可能 ・室温~600℃までの高温注入へ対応 【その他】 ・イオン注入のシュミュレーションにも対応しております。 ・高温アニール含めイオン注入前後工程のご相談ください。 ・イオン注入評価を中心に受託分析も対応しております。
SiC等のデバイス作製に適した高温イオン注入や、ドーパント活性化のための高温アニール処理が対応可能です！
SiC（シリコンカーバイド）、GaN（窒化ガリウム、ガリウムナイトライド）等の化合物半導体では、デバイス作製に適した高温イオン注入やドーパント活性化のための高温アニールが必要とされます。弊社では、高温イオン注入や高温アニールのリクエストにお応えします。 また、アニール時の温度が高温のため、アニール前のキャップ膜による表面保護が必要になります。弊社では高温アニールだけでなく、PBII（Plasma Based Ion Implantation)を使ってカーボンキャップ膜成膜のニーズにもお応え致します。 【掲載内容】 高温イオン注入 キャップ膜成膜 高温アニール処理 ※詳しくはPDFをダウンロードいただくか、お問い合わせください。
