SiC等のデバイス作製に適した高温イオン注入や、ドーパント活性化のための高温アニール処理が対応可能です！
SiC（シリコンカーバイド）、GaN（窒化ガリウム、ガリウムナイトライド）等の化合物半導体では、デバイス作製に適した高温イオン注入やドーパント活性化のための高温アニールが必要とされます。弊社では、高温イオン注入や高温アニールのリクエストにお応えします。 また、アニール時の温度が高温のため、アニール前のキャップ膜による表面保護が必要になります。弊社では高温アニールだけでなく、PBII（Plasma Based Ion Implantation)を使ってカーボンキャップ膜成膜のニーズにもお応え致します。 【掲載内容】 高温イオン注入 キャップ膜成膜 高温アニール処理 ※詳しくはPDFをダウンロードいただくか、お問い合わせください。
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半導体への高温イオン注入、高温アニールでは国内企業様、大学様に多くご利用いただいております。
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企業情報
イオンテクノセンターは「イオン注入」「物理分析」および研究開発におけるコンサルティングや技術開発サポートなどを行うプロフェッショナル集団です。 最先端の技術と設備を備えた時代の求める創造的ラボラトリーとして企業や大学研究者の方々の良きパートナーをめざしています。
