SiC結晶転位高感度可視化装置 XS-1
SiCウェーハ等の内部に存在する結晶欠陥や内部歪みを、高感度かつリアルタイムに可視化！
XS-1はパワーデバイス用半導体として注目されているSiCウェーハなどの内部に存在する結晶由来の欠陥（マイクロパイプ、貫通刃状転位、貫通螺旋転位、基底面転位、積層欠陥、インクルージョンなど）を高感度でリアルタイムに可視化する装置です。可視光領域を使用するレーザー検査装置あるいは偏光顕微鏡では捉える事ができない様々な原子レベルの結晶欠陥を観察することが可能です。 【特長】 ■SiCウェーハ等の内部に存在する結晶欠陥や内部歪みを高感度かつリアルタイムに可視化 ■レーザー検査装置あるいは偏光顕微鏡では捉える事ができない様々な原子レベルの結晶欠陥を観察することが可能 ■材料の評価が現場レベルで可能になり、またそれに要するコストが大幅に軽減 ※詳細は資料請求して頂くかダウンロードからPDFデータをご覧下さい。
- 企業：Mipox株式会社
- 価格：応相談
