測定器のメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
イプロスは、 製造業 BtoB における情報を集めた国内最大級の技術データベースサイトです。

測定器(抵抗) - 企業1社の製品一覧

製品一覧

1~11 件を表示 / 全 11 件

表示件数

拡がり抵抗測定装置『SRP-170/2100』

PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定!オプションにより表面抵抗測定可!

当社が取り扱う、拡がり抵抗測定装置『SRP-170/2100』をご紹介します。 斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に2探針をコンタクトさせ、 そのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル、 EPI層の厚み、PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定。 「SRP2000」は、プローブのコンディショニング、ベベルアングルの測定、 標準サンプルのデータ入力などが全自動化し、多数サンプルの連続自動 測定ができ、サンプルは最大6個同時搭載可能です。 【特長】 ■世界標準キャリア濃度分布・プロファイル測定装置 ■測定自動化に対応(SRP-2100) ■オプションにより表面抵抗測定可(SRP-170) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他計測・記録・測定器
  • 半導体検査/試験装置
  • その他検査機器・装置

ブックマークに追加いたしました

ブックマーク一覧

ブックマークを削除いたしました

ブックマーク一覧

これ以上ブックマークできません

会員登録すると、ブックマークできる件数が増えて、ラベルをつけて整理することもできます

無料会員登録

比抵抗測定器

渦電流技術を用いて、非接触/非破壊にてシリコンインゴット/ブロックの抵抗を瞬時に測定

太陽電池のブロック/ウェハー/セルのマッピング測定可能な装置もご提供可能です。

  • 半導体検査/試験装置
  • その他電子計測器
  • 分析機器・装置

ブックマークに追加いたしました

ブックマーク一覧

ブックマークを削除いたしました

ブックマーク一覧

これ以上ブックマークできません

会員登録すると、ブックマークできる件数が増えて、ラベルをつけて整理することもできます

無料会員登録

全自動拡がり抵抗測定装置 SRP2000

全自動拡がり抵抗測定装置

SRP(Spreading Resistance Profiler)装置は,斜め研磨したSiウェハーを深さ方向に2探針をコンタクト させそのプローブ間の拡がり抵抗値からSiの深さ方向の比抵抗プロファイル,EPI層の厚み,PN接合の深さおよびキャリヤ濃度分布を測定する装置です。

  • その他検査機器・装置

ブックマークに追加いたしました

ブックマーク一覧

ブックマークを削除いたしました

ブックマーク一覧

これ以上ブックマークできません

会員登録すると、ブックマークできる件数が増えて、ラベルをつけて整理することもできます

無料会員登録

高効率太陽電池開発用測定装置 PV-2000

高効率太陽電池開発用測定装置

PV-2000は、Semilab社とSDIの技術を結合した太陽電池開発用の総合測定装置です。 パシベーション層評価等の高効率太陽電池を開発するための様々なヘッドを搭載可能です。

  • 試験機器・装置
  • その他検査機器・装置

ブックマークに追加いたしました

ブックマーク一覧

ブックマークを削除いたしました

ブックマーク一覧

これ以上ブックマークできません

会員登録すると、ブックマークできる件数が増えて、ラベルをつけて整理することもできます

無料会員登録

FastGateインライン向けCV・IV測定装置ECV-2500

FastGate インライン向けCV・IV測定装置

電極形成が不要な上、ウエハーにダメージを与えず、コンタミネーションも残さないことからインラインで使用出来る装置です。

  • その他検査機器・装置

ブックマークに追加いたしました

ブックマーク一覧

ブックマークを削除いたしました

ブックマーク一覧

これ以上ブックマークできません

会員登録すると、ブックマークできる件数が増えて、ラベルをつけて整理することもできます

無料会員登録

非接触式シート抵抗測定機『LEI-1510シリーズ』

広い範囲で優れた測定直線性!三次元グラフィックマップとしてPCモニター上で確認可能

『LEI-1510シリーズ』は、旧リハイトン社製の非接触式シート抵抗測定機です。 ロボットを取り付ける事により、多数枚を迅速に計測処理する事が可能。 四探針方式で起こる、探針の接触汚染や接触具合による再現性の問題を 解決します。 2インチから最大8インチまでのSiウェーハ、化合物半導体(GaAs、GaN、InP等) epiウエハを非接触・破壊にてシート抵抗を測定します。 【特長】 ■探針の接触汚染や接触具合による再現性の問題を解決 ■多数枚を迅速に計測処理する事が可能 ■0.035~3200ohm/sq.という広い範囲で優れた測定直線性 ■計測データを三次元グラフィックマップとしてPCモニター上で確認可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他計測・記録・測定器
  • 半導体検査/試験装置

ブックマークに追加いたしました

ブックマーク一覧

ブックマークを削除いたしました

ブックマーク一覧

これ以上ブックマークできません

会員登録すると、ブックマークできる件数が増えて、ラベルをつけて整理することもできます

無料会員登録

薄膜太陽電池パネル測定装置

薄膜太陽電池パネル測定装置

フラットパネルディスプレイ製造マーケットでは、品質管理用途にて非常に多くの実績がございます。

  • 半導体検査/試験装置
  • その他計測・記録・測定器
  • 分析機器・装置

ブックマークに追加いたしました

ブックマーク一覧

ブックマークを削除いたしました

ブックマーク一覧

これ以上ブックマークできません

会員登録すると、ブックマークできる件数が増えて、ラベルをつけて整理することもできます

無料会員登録

ライフタイム測定装置

u-PCD法でのマッピング測定が可能であり、太陽電池、半導体のマーケットに非常に多くの実績があります

オプションにて様々な電気的測定のマッピング測定が可能です。 (拡散長、鉄濃度、比抵抗、シート抵抗、LBIC、反射率、IQE、PN判定)

  • 半導体検査/試験装置
  • その他計測・記録・測定器
  • 分析機器・装置

ブックマークに追加いたしました

ブックマーク一覧

ブックマークを削除いたしました

ブックマーク一覧

これ以上ブックマークできません

会員登録すると、ブックマークできる件数が増えて、ラベルをつけて整理することもできます

無料会員登録

非接触移動度測定装置『LEI-1610シリーズ』

様々な半導体キャリア輸送特性の測定が可能!マイウロウェーブ反射による非接触移動度測定!

半導体デバイスの製造にとって、キャリア移動度は、とても重要なパラメーターに なります。 『LEI-1610シリーズ』は、移動度、キャリア濃度、シート抵抗など様々な 半導体キャリア輸送特性の測定が可能な非接触移動度測定装置です。 2インチから最大8インチまでのSiウェーハ、化合物半導体(GaAs、GaN、InP等) epiウエハを非接触・破壊にてキャリア移動度、シート抵抗、シートチャージ密度が 測定できます。 【特長】 ■マイウロウェーブ反射による非接触移動度測定 ■高周波デバイス特性のスタンダード測定装置 ■ホール効果による測定結果との高い相関性 ■マルチキャリア・モデリングオプション ※詳しくは関連リンクページをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他計測・記録・測定器

ブックマークに追加いたしました

ブックマーク一覧

ブックマークを削除いたしました

ブックマーク一覧

これ以上ブックマークできません

会員登録すると、ブックマークできる件数が増えて、ラベルをつけて整理することもできます

無料会員登録

非接触CV測定装置 Cn0CV

非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置。 鉄濃度測定の感度はDSPVを採用することでE8を実現!

世界に400台以上の実績を持つ非接触式の重金属汚染・CV/IV・膜評価装置です。 鉄濃度測定の感度はDSPVを採用することでE8を実現し、近年のCMOSイメージセンサーの歩留まり向上に寄与しております。 化合物半導体のCV測定が可能です。非接触で面内の濃度分布、プロファイル測定が可能です。

  • その他検査機器・装置

ブックマークに追加いたしました

ブックマーク一覧

ブックマークを削除いたしました

ブックマーク一覧

これ以上ブックマークできません

会員登録すると、ブックマークできる件数が増えて、ラベルをつけて整理することもできます

無料会員登録

水銀プローブCV/IV測定装置『MCVシリーズ』

水銀プローブにより電極の形成が不要!R&Dにおける開発時間の短縮、Lowコスト化を提供

『MCV-530/530L/2200/2500』は、半導体シリコンウェハーの電気特性や MOSデバイスの酸化膜等の特性評価を可能にする装置です。 従来ではウェハーにゲート電極としてPoly-SiやAl等を蒸着し、MOS構造・ ショットキー構造形成後にCV/IV特性評価を行っておりました。 当製品は、装置自身がゲート電極を持つため、メタルゲート作成なしに 酸化膜やウェハーの電気特性を得ることが可能。プロセスモニタリングによる 素早いフィードバックやR&Dにおける開発時間の短縮、Lowコスト化を 提供します。 【特長】 ■水銀プローブにより電極の形成が不要 ■抜群の再現性 ・ショットキー:0.3%(1σ)/MOS:0.1%(1σ) ■ウェハー面内のマッピング可 ■新開発水銀交換機構により安全かつ容易な水銀交換が可 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他検査機器・装置

ブックマークに追加いたしました

ブックマーク一覧

ブックマークを削除いたしました

ブックマーク一覧

これ以上ブックマークできません

会員登録すると、ブックマークできる件数が増えて、ラベルをつけて整理することもできます

無料会員登録