TCF-C500 超高温小型実験炉Max2900℃
コンパクト・省スペース・省エネルギー! 高性能 R&D用超高温実験炉
Max2900℃(カーボン炉)、Max2400℃(メタル炉) ・有効加熱エリア 70 x 70 x1 00mm 新素材・新材料開発、及び半導体・電子部品・燃料電池・大陽電池などの先端基礎技術開発部門でのさまざまなアプリケーションに対応。
- 企業:テルモセラ・ジャパン株式会社 本社
- 価格:応相談
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コンパクト・省スペース・省エネルギー! 高性能 R&D用超高温実験炉
Max2900℃(カーボン炉)、Max2400℃(メタル炉) ・有効加熱エリア 70 x 70 x1 00mm 新素材・新材料開発、及び半導体・電子部品・燃料電池・大陽電池などの先端基礎技術開発部門でのさまざまなアプリケーションに対応。
卓上小型サイズ実験炉・省スペース 最高使用温度2000℃! 還元雰囲気用メタル炉も製作致します。
◉ 卓上サイズ 省スペース:328(W) x 220(D) x 250(H)mm(*2inch用チャンバー参考値) ◉ カスタマイズ自在なヒーター構造: - 円筒状ヒーター:るつぼ内サンプル焼成(固形物、粉体、粒形、ペレット形状サンプル用) - 面状ヒーター:Φ1 〜Φ6 ウエハー、小片チップ焼成用 ◉ 昇温時間最速約15分(1500℃)、降温1500℃→100℃まで約40分(真空、およびガス置換雰囲気) ◉ ハイスペック&ハイコストパフォーマンス ◉ シンプルな構成、優れた操作性 実験室での小片試料の超高温加熱実験、新素材研究開発などのさまざまな試料加熱実験が、簡単な操作で行えます。 本体は小型でありながらよりさまざまな分野の研究開発にお使いいただけます。
Φ6〜8inch超高温ウエハーアニール装置 研究開発から小規模生産まで多目的に幅広く対応するハイパフォーマンス機
◾️ Max2000℃ ◾️ 有効加熱範囲:Φ6〜Φ8inch 枚葉式、又はバッチ式(多段5枚カセット) ◾️ ヒーター制御:1ゾーン、又は2ゾーン(カスケード制御) ◾️ ヒーター材質: ・C/Cコンポジット:Φ6〜Φ8inch ・PGコーティング 高純度グラファイト:Φ6〜Φ8inch ◾️ 使用雰囲気: ・真空(1x10-2Pa)、不活性ガス(Ar N2) ◾️ PLCセミオート運転 ・真空/パージサイクル、ベントの自動シーケンス制御 ・フルオート自動運転(オプション) ・タッチパネル操作、操作が分散せず一元管理が可能です。 ◾️ プロセス圧力制御 ・APCコントロール(MFC流量、又は自動開度調整バルブ PIDループ制御) ・MFC最大3系統流量自動制御、又はフロートメーター/ニードルバルブの手動調整 ◾️ PLOT画面グラフ表示、CSVデータ出力
最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉(カーボン炉、タングステンメタル炉) 小型・省スペース実験炉
◉最高使用温度 Max2000℃ ◉カスタマイズ自在なヒーター構造: - 円筒状ヒーター:るつぼ内サンプル焼成(固形物、粉体、粒形、ペレット形状サンプル用) - 面状ヒーター:Φ1 〜Φ6 ウエハー、小片チップ焼成用 ◉PLCセミオートコントロール タッチパネル画面で温度調節計以外の全ての操作を行います。 煩わしいバルブ開閉・ポンプ起動操作が不要、焼成作業前の「真空/パージ」サイクルと焼成作業後の「ベント」を1ボタンで自動シーケンスで行います。 ◉MFC最大3系統 自動流量制御(又は手動調整) ◉APC自動圧力コントロール ◉作業中の安全を確保 冷却水異常・チャンバー温度異常・過圧異常を監視SUS製 堅牢な水冷チャンバー、最高温度で連続使用中でも安全にご使用いただけます。 ◉小型・省スペース 幅603 x 奥行603 x 高さ1 160mm(*ロータリーポンプ筐体内設置) 実験室での小片試料の超高温加熱実験、新素材研究開発などのさまざまな試料加熱実験が、簡単な操作で行えます。 本体は小型でありながらよりさまざまな分野の研究開発にお使いいただけます。
Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4 、又は6 基板対応、 高真空アニール装置(<5 × 10-7 mbar)
高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です(APC自動プロセス制御システムオプション)。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により3種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター:Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター:Max1000℃(真空中、不活性ガスのみ) ・SiCコーティングヒーター:Max1000℃(真空、不活性ガス、O2)
最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉(カーボン炉、タングステンメタル炉) 小型・省スペース実験炉
◉最高使用温度 Max2000℃ ◉カスタマイズ自在なヒーター構造: - 円筒状ヒーター:るつぼ内サンプル焼成(固形物、粉体、粒形、ペレット形状サンプル用) - 面状ヒーター:Φ1 〜Φ6 ウエハー、小片チップ焼成用 ◉PLCセミオートコントロール タッチパネル画面で温度調節計以外の全ての操作を行います。 煩わしいバルブ開閉・ポンプ起動操作が不要、焼成作業前の「真空/パージ」サイクルと焼成作業後の「ベント」を1ボタンで自動シーケンスで行います。 ◉MFC最大3系統 自動流量制御(又は手動調整) ◉APC自動圧力コントロール ◉作業中の安全を確保 冷却水異常・チャンバー温度異常・過圧異常を監視SUS製 堅牢な水冷チャンバー、最高温度で連続使用中でも安全にご使用いただけます。 ◉小型・省スペース 幅603 x 奥行603 x 高さ1 160mm(*ロータリーポンプ筐体内設置) 実験室での小片試料の超高温加熱実験、新素材研究開発などのさまざまな試料加熱実験が、簡単な操作で行えます。 本体は小型でありながらよりさまざまな分野の研究開発にお使いいただけます。