Φ6〜8inch超高温ウエハーアニール装置 研究開発から小規模生産まで多目的に幅広く対応するハイパフォーマンス機
◾️ Max2000℃ ◾️ 有効加熱範囲：Φ6〜Φ8inch 枚葉式、又はバッチ式（多段5枚カセット） ◾️ ヒーター制御：1ゾーン、又は2ゾーン（カスケード制御） ◾️ ヒーター材質： ・C/Cコンポジット：Φ6〜Φ8inch ・PGコーティング 高純度グラファイト：Φ6〜Φ8inch ◾️ 使用雰囲気： ・真空（1x10-2Pa）、不活性ガス（Ar, N2） ◾️ PLCセミオート運転 ・真空/パージサイクル、ベントの自動シーケンス制御 ・フルオート自動運転（オプション） ・タッチパネル操作、操作が分散せず一元管理が可能です。 ◾️ プロセス圧力制御 ・APCコントロール（MFC流量、又は自動開度調整バルブ PIDループ制御） ・MFC最大3系統流量自動制御、又はフロートメーター/ニードルバルブの手動調整 ◾️ PLOT画面グラフ表示、CSVデータ出力
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基本情報
安全性・操作性を重視した、『ウエハー焼成』専用超高温ウエハーアニール炉。 ◆主仕様◆ ・断熱材：グラファイトフェルト、タングステン、モリブデン、アルミナ、ジルコニアなど（*炉内設計により異なります） ・チャンバー開閉：トップローディング、リニアドライブ駆動（又はダンパー付手動開閉） ・到達真空度：1x10-2Pascal（空炉の場合） ・真空ポンプ：ドライスクロールポンプ ・真空計：ワイドレンジ真空計 大気圧〜10-9 mbar ・熱電対：Cタイプ熱電対（設計温度条件によってはKタイプを採用） ・インターロック：チャンバー過昇温、ヒーター過昇温、冷却水断水、チャンバー開閉、真空度 ・用力：200V, 50A（*仕様により異なります）3相 ・冷却水:8L/min,0.4Mpa ・寸法（筐体部）：1240(W) x 535(D) x 1100(H)mm ◆オプション◆ ・るつぼ内温度測定用熱電対追加 ・高真空ポンプ（ターボ分子ポンプ） ・フロントビューポート ・フルオートコントロール ・基板回転ステージ ・通信機能（温調計機能使用）、又はSECS/GEM通信
価格情報
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納期
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用途／実績例
◆主な応用アプリケーション◆ ・ワイドギャップ半導体 結晶成長およびデバイス作製プロセス中での高温アニール ・窒化物半導体結晶 エピタキシャル成長プロセス中での高温アニール ・新素材開発 ・その他各種先端材料基礎開発に応用
詳細情報
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CCコンポジットヒーターエレメント CCコンポジットヒーターエレメントを標準採用 ・Φ2inch、Φ4inch、Φ6inch、Φ8inchまで標準対応 ・Single Zone、もしくはDual Zone制御式（*2inchはSingle Zoneのみ）
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ウエハーホルダー 8inch用参考例（2inchウエハーx7枚設置可能） ご要望によりご指定形状・材質のウエハーホルダーを作成いたします。
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PIDデジタル温度調節計 標準採用機種 ・Eurotherm社 nanodaq series
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トップローディング式チャンバー
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この製品に関するニュース（7）
企業情報
【Endless possibility_thermal engineering...】 当社は半導体・電子機器基礎研究用真空薄膜装置、CVD基板加熱用超高温ヒーター、実験炉、温度計測機器などを販売しております。 いつの時代でも欠かす事のできない「熱」に対する尽きぬ需要、基礎技術開発分野での様々なご要求にお応えすべく、最新の機器を紹介し、日本の研究開発に貢献してまいりたいと考えます。