アニール炉『MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉』

多元マルチスパッタリング装置（Φ8inch基板対応） ・3元同時成膜 + 1元PulseDCスパッタ ・RF500W, DC850W両電源を3元カソード（Source1, 2, 3）へ自在に配置変更 ・5KW PulseDC電源も搭載 → 専用カソード（4）で使用 ・基板加熱ステージ Max800℃（SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能） ・MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー ＜30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作：操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法：1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

多元マルチスパッタリング装置（Φ8inch基板対応） ・3元同時成膜 + 1元PulseDCスパッタ ・RF500W, DC850W両電源を3元カソード（Source1, 2, 3）へ自在に配置変更 ・5KW PulseDC電源も搭載 → 専用カソード（4）で使用 ・基板加熱ステージ Max800℃（SiCコーティングヒーターでMax1000℃も可能） ・MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング ・メインチャンバー RIEエッチングステージRF300W ・LLチャンバー ＜30W 低出力制御ソフトエッチング ・独自の"Soft-Ething"技術で基板バイアスにより基板のダメージを軽減 ・タッチパネル又はWindows PC操作：操作が分散せず、全ての操作をタッチパネル/PCで行うことができます。 ・装置設置寸法：1,960(W) x 1,100(D) x 1,700(H)mm ・マルチチャンバー式も製作可能です。 ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

Φ2inchカソード x 4基搭載 同時成膜：3元同時成膜（RF500W or DC850W）+ HiPIMS（PulseDC 5KW） x 1 プラズマリレーSWでHMI画面より自在に4カソードへの電源分配・配置設定の変更が可能 MFC x 3系統（Ar, O2, N2）反応性スパッタリング RIEエッチングステージRF300W（メインチャンバー） + <30Wソフトエッチング（LLチャンバー） 基板加熱：Max500℃, 800℃, 又は1000℃（C/C、又はSiCコート） 基板回転・上下昇降（ステッピングモーター自動制御） APC自動制御：アップストリーム（MFC流量調整）又はダウンストリーム（排気側バルブ自動開度調整） 寸法：1,120(W) x 800(D) ●抵抗加熱蒸着・有機材料蒸着・EB蒸着・PECVDなどの混在仕様も構成可能です。

2台の薄膜実験装置をロードロック機構で連結。異なる成膜装置（スパッタ - 蒸着、など）をロードロックでシームレスに連結。Moorfield社独自のロードロックシステムにより、左右・後方へのプロセス室への連結も可能（写真下）。 1. MiniLab-E080A（蒸着装置） ・EB蒸着:7ccるつぼ x 6 ・抵抗加熱蒸着 x 2 ・有機蒸着限 x 2 2. MiniLab-S060A（スパッタリング装置） ・Φ2"マグネトロンカソード x 4源同時スパッタ ・DC, RF両電源対応 3. Load Lockチャンバー ・プラズマエッチングステージ ロードロック室では「RF/DC基板バイアスステージ」による基板表面のプラズマクリーニング、又、同社独自の『ソフトエッチング』技術による<30W 低出力・ダメージレスプラズマエッチングステージも搭載可能。2D（PMMA等のレジスト除去など）、グラフェン剥離、又、テフロン基板などのダメージを受けやすい繊細なエッチングプロセスも可能。（*メインチャンバーステージへも搭載可能です）