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ガスフロー式で、N2 O2ガスを流すことが可能！オプションにて第三のガスも流せます
『MAT-200KA』は、4”＆6”GaAs-VGF炉の関連設備として開発された 電気炉です。 ガスフロー式で、N2 O2ガスを流すことが可能。 均一温度領域を長くするために3ゾーンに分離独立制御されます。 また、オプションにて第三のガスを流すことができます。 【特長】 ■4”＆6”GaAs-VGF炉の関連設備として開発 ■均一温度領域を長くするために3ゾーンに分離独立制御される ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
1500℃高温炉も製作可能！試験中のその場観察ができる雰囲気炉をご紹介
当製品は、既存の引張・圧縮試験機に設置(新設も可)できる摩擦力測定用の 雰囲気炉です。 試料の設置作業が容易。 水冷容器の表面温度は40℃以下となります。 また、側面の観察はプリズムで正面から観察することが可能です。 【特長】 ■試験中のその場観察が可能 ■圧縮と引張荷重で摩擦力 ■同時に計測(100g単位) ■1500℃高温炉も製作可 ■既存の引張・圧縮試験機に設置(新設も可) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
PBNるつぼと石英アンプルは再使用が可能！炉体移動式のVGF炉をご紹介します
『MAT-150VGFHQ』は、炉体移動式のVGF炉で、かつヒ素圧1atm中で 育成するので容易に欠陥(EPD)の少ない結晶を得ることが出来る 4インチ用縦型VGF製造炉です。 育成後のGaAsインゴットとPBN坩堝は、液体に浸漬することで分離します。 また、PBNるつぼと石英アンプルは、再使用が可能です。 【特長】 ■容易に欠陥(EPD)の少ない結晶を得ることが出来る ■育成後のGaAsインゴットとPBN坩堝は、液体に浸漬することで分離 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
容易に欠陥(EPD)の少ない結晶を得ることが可能な炉体移動式のVGF炉です
『MAT-200VGFHQ』は、石英管式炉体移動型の炉構造であるVGF製造炉です。 ヒ素圧1atm中で育成するので、容易に欠陥(EPD)の少ない結晶を得ることが 可能。常用温度は1200℃、最高温度は1300℃です。 また、育成後のGaAsインゴットとPBN坩堝は、液体に浸漬することで分離します。 さらにPBNるつぼと石英アンプルは、再使用が可能です。 【特長】 ■育成後のGaAsインゴットとPBN坩堝は、液体に浸漬することで分離 ■PBNるつぼと石英アンプルは、再使用が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせください。
