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他手法より短納期！FIB-SEMによる形状観察と、拡散層観察の両方を実施できます！
当社では、『FIB-SEMによる半導体の拡散層観察』を行っております。 FIB法による断面作製とSEM観察によって半導体の拡散層を可視化、 形状評価を行いました。 SEMのInlens 検出器によって内蔵電位の違いを可視化した事例では 内蔵電位によりN型とP型領域で発生する二次電子のエネルギーに差が発生。 それによって生まれる軌道の差をSEMの検出器で検出します。 【特長】 ■FIB-SEMによる形状観察と、拡散層観察の両方を実施することが可能 ■他手法より短納期で対応 ■濃度は10E16まで検出可能 ■PN界面が可視化されるが、N+/N-,及びP+/P-の濃度差は検出不可 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
『ミクロトームにて断面作製！レンズのコート層、多層膜の観察事例をご紹介』
眼鏡やカメラ等のレンズには様々なコート層が施されています。 眼鏡の場合、プラスチックレンズを保護するハードコートや光の反射を 抑える反射防止コート、紫外線カットするUVコート等、複数のコート層が 施されています。 これらの層は非常に薄い膜を重ねるように施されていますので その様子を断面から観察してみました。 SEMで観察するとレンズ基材の上にハードコート/多層膜が施されている 様子が観察され、多層膜ではSiO膜とNb膜が交互に積層されている様子が 伺えます。 【概要】 ■断面作製方法 ・ミクロトームで作製 ・フレームから取り外したレンズを小さくカットし埋め込み樹脂に包埋 ・その後、ミクロトームにて断面を作製し光学顕微鏡観察、SEM観察、 EDX分析を実施 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
積層基板では各層毎の情報を得ることが可能！測長ツールを用いることで長さを測定できます
斜めCTの最大のメリットは非破壊でCT観察できることです。 平面情報を取得することに適しており、積層基板では各層毎の情報を 得ることが可能。 また、測長ツールを用いることで長さを測定することもできます。 当社が行った、測定結果は光学顕微鏡像の測定結果に対し約7～14%の 差が見られましたが、非破壊で内部構造を把握したいという場合には 有効ではないか思われます。 ご用命の際はお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■非破壊でCT観察できる ■平面情報を取得することに好適 ■積層基板では各層毎の情報を得ることが可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
観察対象は液晶パネルにCOG実装方式で接続されたICチップ！回路面を明瞭に確認できました
精密平面研磨を応用してガラス基板配線や導電粒子を削り取り、ダメージの 少ない状態でICチップ回路を観察した事例を紹介いたします。 ガラス基板側から慎重に平面研磨を行い、ICチップの数μm手前までの 部材を削り落とし、回路面の観察を実施。ICチップ回路面は明瞭に確認でき、 高倍率の詳細観察も可能になりました。 当事例のように平面研磨で詳細観察が可能になったサンプルや、FIB加工や CP加工が可能になったサンプルが多数あります。お困りのサンプルが ありましたら、当社にご相談ください。平面研磨のみのご依頼、観察や 分析をセットにしたご依頼、いずれも承っております。 【概要】 ＜平面研磨と光学観察＞ ■ガラス基板側から慎重に平面研磨を行い、ICチップの数μm手前までの 部材を削り落とし、回路面の観察を実施 ■ICチップ回路面は明瞭に確認でき、高倍率の詳細観察も可能になった ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
奥方向と表面から化合物の状態を観察！加⼯、前処理、観察⼿法や組み合わせを検討、ご提案いたします
観察試料の処理方法により、得られる情報が異なることがあります。 はんだの接合部を断面から2次元で観察することがあるかと思いますが、 3次元的に化合物がどのように成長しているか疑問に思われたことは ありませんか。 当資料では、Cuパッドとはんだの接合部の観察例をご紹介。 「断面観察」と「平面観察」を掲載しております。 【掲載内容】 ■断面観察 ・エッチング処理前 ・エッチング処理後 ■平面観察 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
FIB加工をリアルタイムで観察しながら断面観察が可能です。
半導体デバイス、MEMS、TFTなどナノスケールの精度で製造される エレクトロニクス製品の構造解析を行うための新たな手法： クロスビームFIBにより断面観察をご提案いたします。
破断部の断面観察や、破断部の元素マップなど掲載しています！
当資料は、太陽電池モジュールの断面観察についてご紹介しています。 冷熱衝撃試験を行なった太陽電池モジュールを検査し、異常が特定された 箇所の断面観察を行なったところ、インタコネクタ半田付け部が破断している ことが確認されました。 【掲載内容】 ■破断部の断面観察 ■破断部の元素マップ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
一長一短な特長があるためサンプル形態や観察範囲、目的などに応じて選択する必要があります！
当社にて、A社製のVRゴーグルに付随のCMOSイメージセンサ部品について、 部品状態のまま機械研磨にて断面を作製し、CMOSセンサ部品の構造観察を 行いました。 センサ部品構造及びセンサ表面観察では、ガラスフィルタを取り除き CMOSセンサ表面を観察すると、カラーフィルタの配置がベイヤーフィルタと 言われる配置であることが観察されました。 断面作製方法には機械研磨の他、FIBやCPなどイオンビームで加工する方法や ミクロトーム法などがあります。相談は無料ですので、断面作製方法に 迷ったらお気軽にご連絡ください。 【概要】 ■センサ部品構造及びセンサ表面観察 ■機械研磨による断面作製 ■センサチップ表層のSEM観察 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
