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これまでの非破壊解析では困難であった低抵抗ショート不良の解析が可能に！
磁場顕微鏡は、電流により発生する磁場分布を測定対象外から測定し、 測定対象内に流れる電流経路を推定する非破壊の解析技術です。 磁場顕微鏡で特定したショートなどの異常個所を3次元X線顕微鏡(X線CT)で 観察することにより、非破壊で詳細な原因解析が可能。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【解析フロー】 1.磁場顕微鏡による異常検出 2.3次元X線顕微鏡による観察 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SiCウェーハに形成されたエッチピットを3次元X線顕微鏡(X線CT)で観察した事例を紹介！
パワー半導体の普及に向け、低欠陥のSiCウェーハの開発が 進められています。 X線CTは非破壊で物質の形状を3次元的に可視化し、定量評価できる手法です。 PDF資料にて、SiCウェーハに形成されたエッチピットを3次元X線顕微鏡 (X線CT)で観察した際のCT像をご覧いただけます。 【概要】 ■X線CTによるエッチピットの形状解析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
表面の化学組成、結合状態および不純物分布などを詳しく調査！
当社で行う「半導体の表面・薄膜解析」についてご紹介いたします。 半導体デバイスのプロセス開発・工程管理・不良解析において、材料評価・ 故障モードの特定に有効な分析をご提案。 表面の化学組成、結合状態および不純物分布などを詳しく調べ、研究開発 および製造プロセス・不良解析に役立つ情報をご提供します。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問合せください。 【最表面】 ■組成：XPS ■結合状態：XPS ■汚染：TOF-SIMS・ICP-MS ■ラフネス：AFM・SEM ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
金属との接合状態や樹脂材料成分の分散状態を明確に観察可能！
当社で行う「金属表面のコーティング膜解析」についてご紹介します。 金属表面に腐食防止などを目的に形成されたコーティング膜(樹脂や セラミックス)を評価する際には、イオンミリングによる断面加工を施す ことで、金属との接合状態や樹脂材料成分の分散状態を明確に観察可能。 イオンミリングは、SEMなどの断面観察用の試料作製に用います。Arイオンを 試料の加工該当部に照射し、そのスパッタ効果を用いて加工します。 【イオンミリング加工のメリット】 ■介在物を脱粒させずに、そのままの状態で確認できる ■空隙が確認された場合は、脱粒によるものではないことが特定できる ■元素分布確認(EDS分析)にて、白色樹脂内の粒子、金属との界面、 金属表面のメッキ層の積層が明確に確認可能 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
X線ロッキングカーブ法では、反りなどの形状変化がない結晶のひずみを検出することが可能！
当社で行う「Siウェーハのひずみ解析」についてご紹介いたします。 半導体デバイスの製造工程においては、ウェーハ薄研削加工の際に生じる 残留応力によって、製品の故障・不良・劣化につながる可能性があります。 今回、Siウェーハに対して機械研磨を行うことで表面の結晶性を低下した 状態にし、研磨前後の結晶性変化をX線ロッキングカーブ測定で評価。 X線ロッキングカーブ法では、反りなどの形状変化がない結晶のひずみを 検出することができます。 【技術概要】 ■ロッキングカーブ測定 ・回折が起こる角度位置に検出器を固定し、試料のみ回転させることで、 回折条件を満たす回転の角度分布が測定できる。 ・角度分布(ロッキングカーブ)のピーク幅・強度は、結晶ひずみなど 結晶面の傾きのばらつきを反映し、結晶性の評価指標となる ・単結晶では、高角度分解能測定により、微小なひずみを評価できる ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
