X線ロッキングカーブ法では、反りなどの形状変化がない結晶のひずみを検出することが可能！
当社で行う「Siウェーハのひずみ解析」についてご紹介いたします。 半導体デバイスの製造工程においては、ウェーハ薄研削加工の際に生じる 残留応力によって、製品の故障・不良・劣化につながる可能性があります。 今回、Siウェーハに対して機械研磨を行うことで表面の結晶性を低下した 状態にし、研磨前後の結晶性変化をX線ロッキングカーブ測定で評価。 X線ロッキングカーブ法では、反りなどの形状変化がない結晶のひずみを 検出することができます。 【技術概要】 ■ロッキングカーブ測定 ・回折が起こる角度位置に検出器を固定し、試料のみ回転させることで、 回折条件を満たす回転の角度分布が測定できる。 ・角度分布(ロッキングカーブ)のピーク幅・強度は、結晶ひずみなど 結晶面の傾きのばらつきを反映し、結晶性の評価指標となる ・単結晶では、高角度分解能測定により、微小なひずみを評価できる ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。
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企業情報
当社は、受託分析サービスを展開している会社です。 2002年8月の創立以来、信頼性のある分析・解析技術と最新鋭の設備を駆使し、 半導体・液晶・金属・新素材を中核とした幅広いマーケットに最適な ナノレベルの微細加工、分析、解析、信頼性評価、環境安全化学分析、 サービス・ソリューションを提供しております。 ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。