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技術情報誌The TRC Newsは、研究開発、生産トラブルの解決、品質管理等のお役に立つ分析技術の最新情報です。
【要旨】 金属チップ先端などに局在化する近接場光を利用した分光分析技術はナノメートル領域の化学構造の解析を可能にする手法として強く期待されている。チップ増強ラマン分光法や近接場ラマン分光法はその代表的な手法であり、原理解明や応用に関する様々な研究が行われてきた。本稿ではそれらの材料分析への適用例を示し、材料解析に対する実用性について言及する。 【目次】 １．はじめに ２．TERSによるCNTの結晶構造解析 ３．SNOM-RamanによるSiO2/SiC界面応力解析 ４．まとめ
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【要旨】 TEMベースの結晶方位解析システム“ASTAR”を用いると、SEMをベースにしたEBSDよりも高い空間分解能が実現可能である（各種EBSD法の空間分解能が数十 nm程度に対してASTARを用いたACOM-TEM法では2～5 nm）。また、識別できる結晶構造が多いことも特長である。通常のTEM解析では取得困難な結晶方位マップ、結晶相マップおよび粒径分布などを得ることで定量的な解釈が可能である。さらに、TEM観察と同一視野で測定できることから、(S)TEM-EDX / EELSと合わせた複合的な解析やin-situ TEMとの併用も可能となる。 【目次】 １．はじめに ２．ASTARを用いたACOM-TEM法 ３．ASTARを用いた分析例 ４．まとめ
