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パネル偏光板の劣化解析例を掲載！信頼性試験やHS-GCMS分析によるアウトガス分析などで劣化解析してみました
液晶パネルに使用される偏光板はトリアセチルセルロース、ポリビニルアルコール、 ポリエチレンテレフタレートなどを貼り合わせた多層フィルムで出来ています。 当資料では、信頼性試験後のパネル偏光板をHS-GCMS分析、熱脱着GCMS分析により劣化解析した事例をご紹介しています。 目に見えない劣化でも、この分析なら見つかるかも？！ 是非、ご一読ください。 【掲載内容】 ■信頼性試験 ■HS-GCMS分析によるアウトガス分析 ■熱脱着GCMS分析による低沸点成分分析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
故障箇所→拡散層評価を含めた物理解析/化学分析までスルー対応いたします！
株式会社アイテスでは、パワー半導体の解析サービスを承っております。 当社は日本IBM野洲事業所の品質保証部門から1993年に分離独立して以来、 独自の分析・解析技術を培ってきました。 Si半導体だけでなく、話題のワイドバンドギャップ半導体も対応可能です。 【特長】 ■OBIRCH解析ではSiだけでなく、SiCやGaNデバイスにも対応 ■表裏どちらからでもFIB加工可能 ■PN接合部に形成された空乏層を可視化 ■EDS、EELS分析といった元素分析も対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高温時におけるポリマー溶融の遮断機能について確認しました！
市販のLiイオン電池に使用されているセパレータについてFT-IR分析にて、 材料分析を行った後、高温時におけるポリマー溶融の遮断機能について 確認しました。 資料では、Liイオン電池セパレータの材料分析や高温環境下における セパレータの状態変化観察をグラフや写真を用いてご紹介しております。 【解析概要】 ■Liイオン電池セパレータの材料分析 ■高温環境下におけるセパレータの状態変化観察 ・セパレータを135℃の一定温度で時系列的に断面の状態変化を FIB/SEMにて観察 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
LCD部品、製品の品質状態を確認！液晶パネルの各構造を当社の持つ分析手法と知見で解析致します！
アイテスでは、LCD部品/製品の良品解析を行っており、当社の持つLCDの 知見から製品の品質状態を確認いたします。 対象パネルは、SEG-LCD AM-LCD（a-Si TFT／LTPS TFT） OLED 車載 モニター モバイルなど。 液晶パネルの各構造を当社の持つ分析手法を用いて良品解析を実施します。 【解析内容（抜粋）】 <信頼性/点灯試験> ■分類 ・信頼性試験 ・点灯検査 ■分析手法 ・オーブン内駆動試験 ・目視確認 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
点灯確認、パネル解体、光学顕微鏡観察により、不良発生箇所を絞り込みます！
不良現象の確認から原因の解明、詳細な不良解析まで 液晶パネルの不良診断メニューをご提供いたします。 初期解析では、現状確認(点灯試験)、パネル解体、光学顕微鏡観察、 不良症状に合わせて実施。 詳細解析では、初期解析での診断結果をもとに表面分析、断面解析、成分分析 など好適な手法をご提案いたします。 原因となった生産工程の絞り込みなど不良発生メカニズムの推測も可能です。 【解析内容】 ■初期解析 ・現状確認(点灯試験)、パネル解体、光学顕微鏡観察、不良症状に合わせて実施 ・セルパネルや周辺回路などの大まかな箇所から、細かいところまで絞り込み ■詳細解析(別途解析費用が発生) ・初期解析での診断結果をもとに表面分析、断面解析、成分分析など好適な手法 をご提案 ・原因となった生産工程の絞り込みなど不良発生メカニズムの推測も可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
TEM（透過型電子顕微鏡）は電子部品の故障部位観察、長さ測定、元素分析、結晶構造の解析等や材料評価の幅広い要求にお応えします。
TEMは高倍観察のみならず、EDS、EELSによる元素分析、 あるいは電子線回折による結晶構造、面方位、格子定数等の 解析を行う事ができます。
ポリマー材料やサンプルの状態などに応じて適切な分析方法をご提案！
株式会社アイテスでは、材料劣化解析を行っております。 ポリマー材料やサンプルの状態などに応じて適切な分析方法をご提案。 材料がどのような劣化過程を辿ったかを解析し、ポリマー材料や使用環境を 適切にすることで製品の寿命を延ばす事が可能です。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
光学顕微鏡観察及び極低加速FE-SEMにて観察！詳細な構造の解析や元素分析等が可能
市販の角型Liイオン電池を機械研磨し、光学顕微鏡観察及び極低加速FE-SEMにて 観察することにより、詳細な構造の解析や元素分析等が行えます。 資料では、Liイオン電池の全体構造及びSEM観察や極低加速FE-SEMによる Liイオン電池の詳細構造観察を写真を用いてご紹介しております。 【解析概要】 ■Liイオン電池の全体構造及びSEM観察 ■極低加速FE-SEMによるLiイオン電池の詳細構造観察 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ブルーライトカットフィルムの光透過性がどのように変化するか、分光光度計を用いて検証！
ブルーライトカットフィルムは、通常のPETフィルムに比べ、可視光、 特に波長500nm以下の光の透過を抑える効果を有しております。 UV照射によって、ブルーライトカットフィルムの光透過性が どのように変化するか、分光光度計を用いて検証。 波長350～400nmの光の透過性が、UV照射によって、さらに低下しました。 また、フィルム内部で起こっている反応に関して、GC-MSを用いて分析を 行いました。 【解析内容】 ■通常PETフィルムとブルーライトカットフィルムの光透過特性 ■ブルーライトカットフィルムへのUV照射 ■フィルム内成分のGC-MS分析 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
不良解析の実績多数！現象の確認から不良発生メカニズムの推測など、詳細な解析が可能
当社では、「海外製ディスプレイの不良解析」を行っております。 現象の確認から、不良発生メカニズムの推測、原因となった 生産工程の絞り込みなど、詳細な解析が可能です。 点灯観察、パネル解体、光学顕微鏡観察を不良症状に合わせて実施。 不具合箇所を絞り込み、詳細解析が必要な場合は適切な手法を提案させていただきます。 【詳細解析例(一部)】 ■配線の断面観察 ■異物分析 ■液晶成分分析 ■電気特性測定 ※別途費用が発生いたします ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
SiCデバイスの前加工→リーク箇所特定→物理解析/成分分析までスルー対応！
当社では、『SiCデバイスの裏⾯発光解析』を行っております。 SiCは従来のSi半導体と比べ、エネルギーロスの少ない パワーデバイスであり注目を集めていますが、Si半導体とは 物性が異なるため、故障解析も新たな手法が必要となります。 SiC MOSFET裏面発光解析事例では、海外製SiC MOSFETをESDにより、 G-（D S）間リークを作製、発光解析にて、リーク箇所を示す多数の 発光を検出。 発光箇所をTEM観察したところ、SiO2膜の破壊、SiC結晶にダメージが 認められました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
不具合が出れば詳細解析も！海外製LCD導入ご検討のお客様向け簡易版解析
株式会社アイテスの液晶ディスプレイの良品解析についてご紹介します。 まず、外観観察としてセルパネル状態で、FPC、FOG、COG、 シール材に着目して光学顕微鏡観察を行い、次にセルパネルを解体して、 シール材やPI膜、TFT形状を確認。 良品解析で不具合が見つかった場合は、配線の断面観察、異物分析など 原因究明のための追加解析を御提案させていただきます。 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【外観観察の観察内容】 ■FPCの配線に腐食や異物は無いか ■FOGの接合は問題ないか ■COGの接合は問題ないか ■シール材に破断等はないか ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
ダイオード、MOS-FET、IGBT等のパワーデバイスの不良箇所特定・観察を行います。
あらゆるサイズ・形状のダイオード・MOS FET・IGBT等の パワーデバイスに対し最適な前処理を行い 裏面IR-OBIRCH解析や裏面発光解析により不良箇所を特定し観察いたします。 ■解析の前処理－裏面研磨－ 各種サンプル形態に対応します。 Siチップサイズ：200um～15mm角 ■不良箇所特定－裏面IR-OBIRCH解析・裏面エミッション解析－ IR-OBIRCH解析：～100mA/10V ～100uA/25V まで対応 エミッション解析：～2kV まで対応 ＊低抵抗ショート、微小リーク、高電圧耐圧不良など幅広い不良特性に対応 ■リーク箇所のピンポイント断面観察－SEM・TEM－ 予測される不良に合わせてSEM観察・TEM観察を選択し リーク不良箇所をピンポイントで物理観察/元素分析を実施可能
