技術情報誌 202001-01 in-situ STEM
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【要旨】 近年、高感度ならびに低消費電力デバイスの需要が高まり、スピントロニクス分野では磁気メモリや磁気センサーなどが注目を集めている。これらのデバイスには、高い磁気抵抗効果が得られることからMTJ(magnetic tunnel junction)構造が広く用いられている。このMTJ構造は数nm程度の薄い積層膜から成り、原子レベルでの膜厚やラフネスおよび結晶性が特性を左右する。また、アニール温度によって磁気特性が変化することから、本稿ではin-situ TEMを用いて、加熱に伴う結晶性や元素分布の変化過程をnmレベルで分析した事例を紹介する。 【目次】 1.はじめに 2.試料と評価方法 3-1.結晶性の変化 3-2.結晶配向の解析 3-3.面内結晶配向の解析 4.まとめ 5.謝辞 6.おわりに
- 企業:株式会社東レリサーチセンター
- 価格:~ 1万円