ゲートドライバ - 企業4社の製品一覧

【電源IC】ゲートドライバ　ラインアップ一覧

パスイッチング回路の出力段をシンプルに構成したい時に使われる電子回路です！

『ゲートドライバIC』(ゲート駆動回路)は、MOSFETやIGBT、SiCデバイスなどの駆動制御を行う電子回路です。 MOSFETやIGBTのゲート電圧を制御することで、オン・オフの切り替えが可能。パスイッチング回路の出力段をシンプルに構成したい時に使われます。 MOSFETやIGBTで高電圧／大電流のスイッチングを行なう場合、低損失かつ高速動作をさせるためには論理信号の入力だけでは不十分なので、補完するために当製品が必要となります。【ラインアップ(抜粋)】 ■Microchip MOSFETゲートドライバ 8-Pin ■Infineon MOSFETゲートドライバ 8-Pin ■Allegro Microsystems MOSFETゲートドライバ 28-Pin ■onsemi MOSFETゲートドライバ 8-Pin ■Skyworks Solutions Inc MOSFETゲートドライバ 8-Pin ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

企業：アールエスコンポーネンツ株式会社
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高耐圧ゲートドライバー『1GM06K』

IGBT上部へ直接取り付けが可能！1回路内蔵の高耐圧ゲートドライバー

『1GM06K』は、光ファイバー絶縁方式の高耐圧ゲートドライバーです。ゲートドライブ回路と、小型高耐圧トランスを内蔵したDCDCコンバータを 1ユニット化。短絡検出機能搭載で、IGBT上部へ直接取り付けが可能です。【特長】 ■小型高耐圧トランス ■光ファイバー絶縁方式 ■短絡検出機能搭載 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

企業：日本パルス工業株式会社
価格：応相談

コンバーター
トランス
その他電子部品

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高耐圧ゲートドライバー『2GM06KM/2GM06KS』

IEC62497-1に準拠した絶縁距離！マスター・スレーブ方式により最大4並列駆動が可能

『2GM06KM/2GM06KS』は、2回路内蔵の高耐圧ゲートドライバーです。光ファイバー絶縁方式によるゲートドライブ回路と小型高耐圧トランスを内蔵したDCDCコンバータを1ユニット化。マスター(2GM06KM)・スレーブ(2GM06KS)方式により最大4並列駆動が可能です。【特長】 ■小型高耐圧トランス ■光ファイバー絶縁方式 ■IEC62497-1に準拠した絶縁距離 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

企業：日本パルス工業株式会社
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中容量高速ゲートドライバー『FDM-12B/GDM-1152N』

Duty100%までドライブ可能！トランス絶縁方式で長寿命な中容量高速ゲートドライバー

『FDM-12B/GDM-1152N』は、中容量高速ゲートドライバーです。トランス方式によるゲートドライブ回路を使用した製品で、長寿命。「FDM-12B」は300kHzまで、「GDM-1152N」は200kHzまでの高速ドライブが可能です。【特長】 ■トランス絶縁方式で長寿命 ■小型・高速 ■Duty100%までドライブ可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

企業：日本パルス工業株式会社
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ゲートドライバー『SDM1210/1810/SDM3010』

SiCパワーモジュールに一体取付可能！システムの小型化に貢献するSiC-MOSFETゲートドライバー

『SDM1210/1810/SDM3010』は、フォトカプラ絶縁方式の SiC-MOSFETゲートドライバーです。ゲートドライブ回路とDCDCコンバータを1ユニット化。 ROHM製 SiCパワーモジュール一体形状によりシステムの小型化に貢献します。【特長】 ■SiCパワーモジュールに一体取付可能 ■短絡検出及びソフトターンオフ機能を搭載 ■ワイドレンジ入力 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

企業：日本パルス工業株式会社
価格：応相談

コンバーター
カプラ

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ハイサイドMOSFETゲートドライバー 2ED2410-EM

バックトゥバックMOSFETトポロジー(ドレイン共通、ソース共通)対応！

「EiceDRIVER APD 2ED2410-EM」は、ロジックピンによる2出力制御や、統合されたI-tワイヤー保護を含むスマートなハイサイドNチャンネル MOSFETゲートドライバーであり、新しい自動車電源アーキテクチャ向けに設計されています。昇圧コンバータの効率により、アイドル時や通常時の消費電流は μAオーダーとなり、駐車中(キーオフモード)に負荷を供給する必要がある場合に有用です。【特長】 ■電源電圧の範囲を拡張：3V～58V ■2つのハイサイドゲートドライバ出力(3Ωプルダウン、50Ωプルアップ) 　により、高速スイッチオフ/オンが可能 ■2つの双方向ハイサイドアナログ電流センスインターフェイス　(外部でゲイン調整可能) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

企業：インフィニオンテクノロジーズジャパン　株式会社
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ゲートドライバー『SDM1210RE/1810P3RE』

短絡検出及びソフトターンオフ機能搭載！ローム製SiCパワーモジュール用SiC-MOSFETゲートドライバー

『SDM1210RE/1810P3RE』は、ローム製ドライバーICを使用した SiC-MOSFETゲートドライバーです。 2回路内蔵で、短絡検出及びソフトターンオフ機能搭載。「SDM1810P3RE」は第3世代の180A定格SiCパワーモジュールに対応します。【特長】 ■ローム社製ドライバーIC搭載 ■短絡検出及びソフトターンオフ機能搭載 ■ワイドレンジ入力 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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SiC-MOSFETゲートドライバー『SDM3010RE』

評価用として供給！BSM300D12P2E001(ROHM)用SiC-MOSFETゲートドライバーのご紹介です

『SDM3010RE』は、ローム製ドライバーICを使用した SiC-MOSFETゲートドライバーです。リファレンスボード「BM60052-EVK-001」同仕様品で、実装タイプはビルトイン、絶縁耐電圧はAC2.5kV。当製品は、ローム株式会社様より評価用として供給されております。【特長】 ■ローム社製ドライバーIC搭載 ■短絡検出及びソフトターンオフ機能搭載 ■ワイドレンジ入力 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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NチャネルMOSFETゲートドライバー『2ED4820-EM』

車載用電源分配アプリケーション向け！外付けMOSFET、負荷、および電源の保護を実現

『2ED4820-EM』は、SPIで制御される2出力のスマートハイサイドNチャネル MOSFETゲートドライバーです。ドライバーのターンオンおよびターンオフの性能が強化されているため、 MOSFETの数を簡単に増やすことが可能。高速スイッチオン/オフ能力を確保しながら、数百アンペア単位の大電流を制御することができます。また、内蔵の電流センスアンプは、ハイサイドおよびローサイドの電流測定に対応し、専用のモニター出力を備えています。【特長】 ■幅広い動作電圧範囲：20V～70V ■2つの独立したハイサイドゲートドライバ出力(1Aプルダウン、　0.3Aプルアップ)による高速スイッチオフ/オン ■電流検出 ■SPIによるデバイスの制御、設定、および診断 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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専用IC

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MOSFETゲートドライバー『2ED2410-EM』

高速スイッチオフ/オンが可能！車載用12V/24Vスマートアナログハイサイド

『2ED2410-EM』は、ロジックピンによる2出力制御や、統合された I-tワイヤー保護を含むスマートなハイサイドNチャンネルMOSFET ゲートドライバーです。新しい自動車電源アーキテクチャ向けに設計。また、昇圧コンバータを内蔵しているため、電源電圧が3Vまで低下した場合でも外付けMOSFETを連続的にオンさせ、動作させることが可能です。【特長】 ■電源電圧の範囲を拡張：3V～58V ■2つのハイサイドゲートドライバ出力で、高速スイッチオフ/オンが可能 ■2つの双方向ハイサイドアナログ電流センスインターフェイス ■端子によるチャンネル制御/診断 ■外部温度測定用アナログインターフェイス ■ゲート低電圧ロックアウト(UVLO) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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ゲートドライバー「EiceDRIVER 1EDN71x6U」

小型パッケージ！4種類の駆動能力、スプリアススイッチングに対する耐性

「EiceDRIVER 1EDN71x6U」は、インフィニオンCoolGaNショットキーゲート (SG)HEMT、およびその他のGaN SG HEMTとSi MOSFETの駆動用に最適化された 1チャネルゲートドライバーICです。このゲートドライバーファミリーは、Truly differential logic input(TDI)、 4つの駆動強度オプション、アクティブミラークランプ、ブートストラップ電圧クランプなど、高速スイッチングトランジスタを用いた高性能システム設計を可能にするいくつかの主要な機能を備えています。【特長】 ■Truly differential input (TDI) ■4レベルの駆動能力オプション ■アクティブミラークランプ ■ブートストラップ電圧クランピング ■GaNに最適化された超低インダクタンスフリップチップパッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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車載用ゲートドライバー

電源構成が最適化！パワーデバイスの導通損失を低減します

電気的に絶縁された『EiceDRIVER 1EDI305xAS』製品は、最大1200Vの IGBTおよびSiCのパワーデバイス向けに最適化された、車載認定のシングルチャネル高耐圧ゲートドライバーICです。 EiceDRIVER 1EDI305xAS製品はISO 26262準拠で、システムレベルでASIL-Dの対応が可能。内蔵SPI機能により幅広いプラットフォームの開発を可能とし、内蔵された高精度フライバックコントローラーにより電源構成が最適化され、パワーデバイスの導通損失を低減します。【特長】 ■内蔵フライバックコントローラー(2％ acc.) ■SPI内蔵、高出力駆動段(最大20Aピーク)、12ビットADC ■6.8kV強化絶縁(DIN VDE) ■冗長化されたDESATおよびOCP保護、パワーデバイスのゲートおよび　ドライバーの出力段の監視 ■ISO 26262 SEooC ASIL Bまでの機能安全対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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半導体・IC

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BLDCモーター用ゲートドライバー MOTIX TLE9140

包括的な保護機能および診断機能！デバイスの状態をアクティブに監視し、システムを損傷から保護

『MOTIX TLE9140EQW』は、8Vから72V電源のさまざまなアプリケーションを対象とした3相モーターゲートドライバーです。内蔵のアダプティブMOSFET制御機能は、EME(電磁放射)の改善と電力損失の低減に役立つだけでなく、アプリケーションに必要な外部部品数を低減できます。また、最大ジャンクション温度175℃で、厳しいミッションプロファイルにも対応可能です。【特長】 ■高耐圧/最大110V ■ゲート駆動能力：～230nC/MOSFET最大20kHz ■ゲートドライバーに内蔵されたアダプティブMOSFET制御機能 ■VSM OV中はアクティブLSフリーホイール状態 ■包括的な保護および診断機能 ■小型パッケージTS-DSO-32(8.65×3.9mm2) ■車載グレード0デバイスおよびASIL B準拠 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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12A MOSFET ゲートドライバ MIC4451/2

クロスオーバー電流が非常に低く、低温で動作！消費電力が少なく、駆動が簡単

『MIC4451/4452 ゲートドライバ』は、12A出力が可能で3つ以上のディスクリートコンポーネントを置き換えることができる製品です。 PCB面積要件が削減され、製品設計が簡素化され、組み立てコストが削減。「MIC4451」は、反転ドライバで「MIC4452」は、非反転ドライバです。ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。【特長】 ■BiCMOS/DMOS構造 ■ロジック1入力で低消費電流450µA ■低出力インピーダンス：1.0Ω ■出力電圧スイングはGNDまたは電源電圧から25mV以内 ■低い等価入力容量：7pF(標準値) ※英語版カタログをダウンロードいただけます。　詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

企業：グローバル電子株式会社
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