ゲートドライバのメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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ゲートドライバ - メーカー・企業6社の製品一覧とランキング

更新日： 集計期間:2025年10月01日～2025年10月28日
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ゲートドライバのメーカー・企業ランキング

更新日： 集計期間:2025年10月01日～2025年10月28日
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  1. 日本パルス工業株式会社 東京都/電子部品・半導体
  2. インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社 東京都/電子部品・半導体
  3. イサハヤ電子株式会社 大阪府/電子部品・半導体
  4. 4 アールエスコンポーネンツ株式会社 神奈川県/商社・卸売り
  5. 5 グローバル電子株式会社 東京都/電子部品・半導体
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ゲートドライバの製品ランキング

更新日： 集計期間:2025年10月01日～2025年10月28日
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  1. デジタル制御ゲートドライバ『VLB527-01R』 イサハヤ電子株式会社
  2. SiC-MOSFETゲートドライバー『SDM3010RE』 日本パルス工業株式会社
  3. 高耐圧ゲートドライバー『2GM06KM/2GM06KS』 日本パルス工業株式会社
  4. 車載用ゲートドライバー インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社
  5. 4 高耐圧ゲートドライバー『1GM06K』 日本パルス工業株式会社

ゲートドライバの製品一覧

1～15 件を表示 ／ 全 23 件

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【電源IC】ゲートドライバ　ラインアップ一覧

【電源IC】ゲートドライバ　ラインアップ一覧

パスイッチング回路の出力段をシンプルに構成したい時に使われる電子回路です！

『ゲートドライバIC』(ゲート駆動回路)は、MOSFETやIGBT、SiCデバイス などの駆動制御を行う電子回路です。 MOSFETやIGBTのゲート電圧を制御することで、オン・オフの切り替えが可能。 パスイッチング回路の出力段をシンプルに構成したい時に使われます。 MOSFETやIGBTで高電圧／大電流のスイッチングを行なう場合、低損失かつ 高速動作をさせるためには論理信号の入力だけでは不十分なので、 補完するために当製品が必要となります。 【ラインアップ(抜粋)】 ■Microchip MOSFETゲートドライバ 8-Pin ■Infineon MOSFETゲートドライバ 8-Pin ■Allegro Microsystems MOSFETゲートドライバ 28-Pin ■onsemi MOSFETゲートドライバ 8-Pin ■Skyworks Solutions Inc MOSFETゲートドライバ 8-Pin ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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  • その他半導体

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高耐圧ゲートドライバー『1GM06K』

高耐圧ゲートドライバー『1GM06K』

IGBT上部へ直接取り付けが可能！1回路内蔵の高耐圧ゲートドライバー

『1GM06K』は、光ファイバー絶縁方式の高耐圧ゲートドライバーです。 ゲートドライブ回路と、小型高耐圧トランスを内蔵したDCDCコンバータを 1ユニット化。 短絡検出機能搭載で、IGBT上部へ直接取り付けが可能です。 【特長】 ■小型高耐圧トランス ■光ファイバー絶縁方式 ■短絡検出機能搭載 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • コンバーター
  • トランス
  • その他電子部品

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高耐圧ゲートドライバー『2GM06KM/2GM06KS』

高耐圧ゲートドライバー『2GM06KM/2GM06KS』

IEC62497-1に準拠した絶縁距離！マスター・スレーブ方式により最大4並列駆動が可能

『2GM06KM/2GM06KS』は、2回路内蔵の高耐圧ゲートドライバーです。 光ファイバー絶縁方式によるゲートドライブ回路と小型高耐圧トランスを 内蔵したDCDCコンバータを1ユニット化。 マスター(2GM06KM)・スレーブ(2GM06KS)方式により最大4並列駆動が可能です。 【特長】 ■小型高耐圧トランス ■光ファイバー絶縁方式 ■IEC62497-1に準拠した絶縁距離 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • トランス
  • コンバーター
  • その他電子部品

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中容量高速ゲートドライバー『FDM-12B/GDM-1152N』

中容量高速ゲートドライバー『FDM-12B/GDM-1152N』

Duty100%までドライブ可能！トランス絶縁方式で長寿命な中容量高速ゲートドライバー

『FDM-12B/GDM-1152N』は、中容量高速ゲートドライバーです。 トランス方式によるゲートドライブ回路を使用した製品で、長寿命。 「FDM-12B」は300kHzまで、「GDM-1152N」は200kHzまでの 高速ドライブが可能です。 【特長】 ■トランス絶縁方式で長寿命 ■小型・高速 ■Duty100%までドライブ可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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ゲートドライバー『SDM1210/1810/SDM3010』

ゲートドライバー『SDM1210/1810/SDM3010』

SiCパワーモジュールに一体取付可能！システムの小型化に貢献するSiC-MOSFETゲートドライバー

『SDM1210/1810/SDM3010』は、フォトカプラ絶縁方式の SiC-MOSFETゲートドライバーです。 ゲートドライブ回路とDCDCコンバータを1ユニット化。 ROHM製 SiCパワーモジュール一体形状によりシステムの 小型化に貢献します。 【特長】 ■SiCパワーモジュールに一体取付可能 ■短絡検出及びソフトターンオフ機能を搭載 ■ワイドレンジ入力 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • コンバーター
  • カプラ

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【資料】ゲートドライバー　テクニカルシート

【資料】ゲートドライバー　テクニカルシート

IGBT用とSiC-MOSFET用のゲートドライバーの取り扱いについて詳しくご紹介しています！

当資料は、ゲートドライバーのテクニカルシートです。 「IGBT用ゲートドライバー取り扱い説明」では、ドライバーの選定法や ゲート調整抵抗(Rg)の選定とご注意などを掲載。 この他にも、「SiC-MOSFET用ゲートドライバー取り扱い説明」について ご紹介しております。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容(抜粋)】 ■IGBT用ゲートドライバー取り扱い説明 ・ドライバーの選定法 ・ゲート調整抵抗(Rg)の選定とご注意 ・並列ドライブについて ・短絡検出機能について ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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EiceDRIVER F3 Enhanced(1ED332x)

EiceDRIVER F3 Enhanced(1ED332x)

短絡保護機能付きシングルチャンネル絶縁ゲートドライバ ファミリーのご紹介

『EiceDRIVER F3 Enhanced(1ED332x)』は、絶縁型ゲート短絡保護(DESAT)、 ソフトターンオフ、アクティブミラークランプなどの保護機能を備えた ドライバーファミリーです。 本ゲートドライバーファミリーは最大出力電流8.5 Aを備えています。 また搭載する短絡保護機能は、IGBTおよびSiC MOSFETの双方に好適。 アクティブミラークランプは、SiCMOSFETやTRENCHSTOP IGBT7を使用した 高速スイッチングアプリケーションに適しており、寄生ターンオンを防ぎます。 【特長】 ■最大耐圧2300VのIGBT、SiCおよびSi MOSFETに使用可能 ■+6 A / -8.5 Aの代表的なシンクおよびソースピーク出力電流 ■フォールト出力による高精度VCEsat検出(DESAT) ■非飽和検出後のソフトターン オフ ■アクティブ ミラー クランプ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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  • その他電子部品

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EVAL_IMD700A_FOC_3SH

EVAL_IMD700A_FOC_3SH

超低消費電力！単独またはインフィニオンのモーター制御GUIと連動して動作可能

『EVAL_IMD700A_FOC_3SH』は、コンフィギュラブル(構成可能)ゲート ドライバー、オンボード電源、保護機能を備えた製品です。 センサーレスFOC制御により最大300Wのモーター駆動が可能。 また、優れた放熱性により、高価なヒートシンクが不要で、 コンパクトなソリューションとなっております。 【特長】 ■MOTIX IMD701Aを用いた完全集積型BLDCモータードライブソリューション ■コンフィギュラブルゲートドライブ、オンボード電源、保護機能 ■XMC1404とMOTIX6EDL7141を1パッケージ化 ■単独またはインフィニオンのモーター制御GUIと連動して動作可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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ハイサイドMOSFETゲートドライバー 2ED2410-EM

ハイサイドMOSFETゲートドライバー 2ED2410-EM

バックトゥバックMOSFETトポロジー(ドレイン共通、ソース共通)対応！

「EiceDRIVER APD 2ED2410-EM」は、ロジックピンによる2出力制御や、 統合されたI-tワイヤー保護を含むスマートなハイサイドNチャンネル MOSFETゲートドライバーであり、新しい自動車電源アーキテクチャ向けに 設計されています。 昇圧コンバータの効率により、アイドル時や通常時の消費電流は μAオーダーとなり、駐車中(キーオフモード)に負荷を供給する 必要がある場合に有用です。 【特長】 ■電源電圧の範囲を拡張：3V～58V ■2つのハイサイドゲートドライバ出力(3Ωプルダウン、50Ωプルアップ) 　により、高速スイッチオフ/オンが可能 ■2つの双方向ハイサイドアナログ電流センスインターフェイス 　(外部でゲイン調整可能) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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EiceDRIVER X3 Compact(1ED31xx)

EiceDRIVER X3 Compact(1ED31xx)

デッドタイムを最小化！アプリケーションの堅牢性とシステム効率を向上

『EiceDRIVER X3 Compact (1ED31xx)』は、ミラークランプ機能などの オプションを備えたコンパクトで設計が容易な絶縁型ゲートドライバーです。 最大14A(typ)のピーク出力電流、優れた伝搬遅延マッチングを提供。 これによりIGBTやMOSFETからSiC MOSFETやIGBT7まで、様々なタイプの スイッチに好適です。 【特長】 ■(IGBT7を含む)IGBT、SiC、Si MOSFET用 ■標準出力電流14A、伝搬遅延時間マッチング7ns ■伝搬遅延90ns(入力フィルター30nsを含む) ■絶対最大出力電源電圧：40V ■ソース シンクが分離独立した出力またはミラークランプ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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車載用ゲートドライバー

車載用ゲートドライバー

電源構成が最適化！パワーデバイスの導通損失を低減します

電気的に絶縁された『EiceDRIVER 1EDI305xAS』製品は、最大1200Vの IGBTおよびSiCのパワーデバイス向けに最適化された、車載認定のシングル チャネル高耐圧ゲートドライバーICです。 EiceDRIVER 1EDI305xAS製品はISO 26262準拠で、システムレベルでASIL-Dの 対応が可能。 内蔵SPI機能により幅広いプラットフォームの開発を可能とし、 内蔵された高精度フライバックコントローラーにより電源構成が 最適化され、パワーデバイスの導通損失を低減します。 【特長】 ■内蔵フライバックコントローラー(2％ acc.) ■SPI内蔵、高出力駆動段(最大20Aピーク)、12ビットADC ■6.8kV強化絶縁(DIN VDE) ■冗長化されたDESATおよびOCP保護、パワーデバイスのゲートおよび 　ドライバーの出力段の監視 ■ISO 26262 SEooC ASIL Bまでの機能安全対応 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • 専用IC
  • 半導体・IC

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BLDCモーター用ゲートドライバー MOTIX TLE9140

BLDCモーター用ゲートドライバー MOTIX TLE9140

包括的な保護機能および診断機能！デバイスの状態をアクティブに監視し、システムを損傷から保護

『MOTIX TLE9140EQW』は、8Vから72V電源のさまざまなアプリケーションを 対象とした3相モーターゲートドライバーです。 内蔵のアダプティブMOSFET制御機能は、EME(電磁放射)の改善と電力損失の 低減に役立つだけでなく、アプリケーションに必要な外部部品数を低減できます。 また、最大ジャンクション温度175℃で、厳しいミッションプロファイルにも 対応可能です。 【特長】 ■高耐圧/最大110V ■ゲート駆動能力：～230nC/MOSFET最大20kHz ■ゲートドライバーに内蔵されたアダプティブMOSFET制御機能 ■VSM OV中はアクティブLSフリーホイール状態 ■包括的な保護および診断機能 ■小型パッケージTS-DSO-32(8.65×3.9mm2) ■車載グレード0デバイスおよびASIL B準拠 ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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高速ハーフブリッジ ゲートドライバー

高速ハーフブリッジ ゲートドライバー

超高速、低抵抗ブートストラップダイオード内蔵！100Vの負のVS過渡電圧耐量

『高速ハーフブリッジ ゲートドライバー』は、DSO-8パッケージを採用し、 ソース電流は0.29A(typical)、シンク電流は0.7A(typical)です。 ブートストラップダイオード内蔵し、省スペース、BOMコストの削減、 よりシンプルな設計による低コストでのPCB小型化。 また、VSピンの負の過渡電圧耐性ノイズ耐性に優れます。 レベルシフト損失を50％低減します。 【主な特長】 ■最大動作電圧(VSノード) ＋650V ■100Vの負のVS過渡電圧耐量 ■超高速、低抵抗ブートストラップダイオード内蔵 ■伝播遅延90ns ■最大電源電圧25V ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

  • その他半導体

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デジタル制御ゲートドライバ『VLB527-01R』

デジタル制御ゲートドライバ『VLB527-01R』

イサハヤ電子初！デジタル制御のゲートドライバが完成しました！

高効率、低ノイズに対応するため開発した製品となります。 出力電圧を多段ステップ状に制御できるため、IGBTがより低損失、低ノイズで動作できるゲート波形を実現でき、本製品とPCを専用ケーブルで接続することで、そのゲート波形をお客様の使用環境に応じた最適な波形パラメータに調整できるという点が本製品の特徴となります。 現在ES対応中ですので、ご興味のある方は、ぜひご評価検討ください。ターゲットIGBTモジュールクラスは、～3300V、1800Aクラスと記載しておりますが、低圧・低容量のタイプでもご評価は可能です。 デジタル制御での波形調整では、従来のゲート抵抗だけでは実現できなかった複雑な波形も実現可能です！ あなただけの秘密の波形でライバルに差をつけてみませんか？ 弊社ホームページよりお気軽にお問い合わせください！

  • 電源

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12A MOSFET ゲートドライバ MIC4451/2

12A MOSFET ゲートドライバ MIC4451/2

クロスオーバー電流が非常に低く、低温で動作！消費電力が少なく、駆動が簡単

『MIC4451/4452 ゲートドライバ』は、12A出力が可能で3つ以上の ディスクリートコンポーネントを置き換えることができる製品です。 PCB面積要件が削減され、製品設計が簡素化され、組み立てコストが削減。 「MIC4451」は、反転ドライバで「MIC4452」は、非反転ドライバです。 ご用命の際は、当社へお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■BiCMOS/DMOS構造 ■ロジック1入力で低消費電流450µA ■低出力インピーダンス：1.0Ω ■出力電圧スイングはGNDまたは電源電圧から25mV以内 ■低い等価入力容量：7pF(標準値) ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 　詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他電子部品

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