ゲートドライバのメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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ゲートドライバ - メーカー・企業6社の製品一覧とランキング

更新日： 集計期間:2025年08月13日～2025年09月09日
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ゲートドライバのメーカー・企業ランキング

更新日： 集計期間:2025年08月13日～2025年09月09日
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  1. イサハヤ電子株式会社 大阪府/電子部品・半導体
  2. 日本パルス工業株式会社 東京都/電子部品・半導体
  3. インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社 東京都/電子部品・半導体
  4. 4 アールエスコンポーネンツ株式会社 神奈川県/商社・卸売り
  5. 5 グローバル電子株式会社 東京都/電子部品・半導体
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ゲートドライバの製品ランキング

更新日： 集計期間:2025年08月13日～2025年09月09日
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  1. デジタル制御ゲートドライバ『VLB527-01R』 イサハヤ電子株式会社
  2. ゲートドライバー『SDM1210RE/1810P3RE』 日本パルス工業株式会社
  3. NチャネルMOSFETゲートドライバー『2ED4820-EM』 インフィニオン テクノロジーズ ジャパン　株式会社
  4. SiC-MOSFETゲートドライバー『SDM3010RE』 日本パルス工業株式会社
  5. 5 高耐圧ゲートドライバー『1GM06K』 日本パルス工業株式会社

ゲートドライバの製品一覧

1～15 件を表示 ／ 全 23 件

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【電源IC】ゲートドライバ　ラインアップ一覧

【電源IC】ゲートドライバ　ラインアップ一覧

パスイッチング回路の出力段をシンプルに構成したい時に使われる電子回路です！

『ゲートドライバIC』(ゲート駆動回路)は、MOSFETやIGBT、SiCデバイス などの駆動制御を行う電子回路です。 MOSFETやIGBTのゲート電圧を制御することで、オン・オフの切り替えが可能。 パスイッチング回路の出力段をシンプルに構成したい時に使われます。 MOSFETやIGBTで高電圧／大電流のスイッチングを行なう場合、低損失かつ 高速動作をさせるためには論理信号の入力だけでは不十分なので、 補完するために当製品が必要となります。 【ラインアップ(抜粋)】 ■Microchip MOSFETゲートドライバ 8-Pin ■Infineon MOSFETゲートドライバ 8-Pin ■Allegro Microsystems MOSFETゲートドライバ 28-Pin ■onsemi MOSFETゲートドライバ 8-Pin ■Skyworks Solutions Inc MOSFETゲートドライバ 8-Pin ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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  • その他半導体

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高耐圧ゲートドライバー『1GM06K』

高耐圧ゲートドライバー『1GM06K』

IGBT上部へ直接取り付けが可能！1回路内蔵の高耐圧ゲートドライバー

『1GM06K』は、光ファイバー絶縁方式の高耐圧ゲートドライバーです。 ゲートドライブ回路と、小型高耐圧トランスを内蔵したDCDCコンバータを 1ユニット化。 短絡検出機能搭載で、IGBT上部へ直接取り付けが可能です。 【特長】 ■小型高耐圧トランス ■光ファイバー絶縁方式 ■短絡検出機能搭載 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • コンバーター
  • トランス
  • その他電子部品

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高耐圧ゲートドライバー『2GM06KM/2GM06KS』

高耐圧ゲートドライバー『2GM06KM/2GM06KS』

IEC62497-1に準拠した絶縁距離！マスター・スレーブ方式により最大4並列駆動が可能

『2GM06KM/2GM06KS』は、2回路内蔵の高耐圧ゲートドライバーです。 光ファイバー絶縁方式によるゲートドライブ回路と小型高耐圧トランスを 内蔵したDCDCコンバータを1ユニット化。 マスター(2GM06KM)・スレーブ(2GM06KS)方式により最大4並列駆動が可能です。 【特長】 ■小型高耐圧トランス ■光ファイバー絶縁方式 ■IEC62497-1に準拠した絶縁距離 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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  • コンバーター
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中容量高速ゲートドライバー『FDM-12B/GDM-1152N』

中容量高速ゲートドライバー『FDM-12B/GDM-1152N』

Duty100%までドライブ可能！トランス絶縁方式で長寿命な中容量高速ゲートドライバー

『FDM-12B/GDM-1152N』は、中容量高速ゲートドライバーです。 トランス方式によるゲートドライブ回路を使用した製品で、長寿命。 「FDM-12B」は300kHzまで、「GDM-1152N」は200kHzまでの 高速ドライブが可能です。 【特長】 ■トランス絶縁方式で長寿命 ■小型・高速 ■Duty100%までドライブ可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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ゲートドライバー『SDM1210/1810/SDM3010』

ゲートドライバー『SDM1210/1810/SDM3010』

SiCパワーモジュールに一体取付可能！システムの小型化に貢献するSiC-MOSFETゲートドライバー

『SDM1210/1810/SDM3010』は、フォトカプラ絶縁方式の SiC-MOSFETゲートドライバーです。 ゲートドライブ回路とDCDCコンバータを1ユニット化。 ROHM製 SiCパワーモジュール一体形状によりシステムの 小型化に貢献します。 【特長】 ■SiCパワーモジュールに一体取付可能 ■短絡検出及びソフトターンオフ機能を搭載 ■ワイドレンジ入力 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • コンバーター
  • カプラ

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【資料】ゲートドライバー　テクニカルシート

【資料】ゲートドライバー　テクニカルシート

IGBT用とSiC-MOSFET用のゲートドライバーの取り扱いについて詳しくご紹介しています！

当資料は、ゲートドライバーのテクニカルシートです。 「IGBT用ゲートドライバー取り扱い説明」では、ドライバーの選定法や ゲート調整抵抗(Rg)の選定とご注意などを掲載。 この他にも、「SiC-MOSFET用ゲートドライバー取り扱い説明」について ご紹介しております。 ぜひ、ご一読ください。 【掲載内容(抜粋)】 ■IGBT用ゲートドライバー取り扱い説明 ・ドライバーの選定法 ・ゲート調整抵抗(Rg)の選定とご注意 ・並列ドライブについて ・短絡検出機能について ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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EiceDRIVER F3 Enhanced(1ED332x)

EiceDRIVER F3 Enhanced(1ED332x)

短絡保護機能付きシングルチャンネル絶縁ゲートドライバ ファミリーのご紹介

『EiceDRIVER F3 Enhanced(1ED332x)』は、絶縁型ゲート短絡保護(DESAT)、 ソフトターンオフ、アクティブミラークランプなどの保護機能を備えた ドライバーファミリーです。 本ゲートドライバーファミリーは最大出力電流8.5 Aを備えています。 また搭載する短絡保護機能は、IGBTおよびSiC MOSFETの双方に好適。 アクティブミラークランプは、SiCMOSFETやTRENCHSTOP IGBT7を使用した 高速スイッチングアプリケーションに適しており、寄生ターンオンを防ぎます。 【特長】 ■最大耐圧2300VのIGBT、SiCおよびSi MOSFETに使用可能 ■+6 A / -8.5 Aの代表的なシンクおよびソースピーク出力電流 ■フォールト出力による高精度VCEsat検出(DESAT) ■非飽和検出後のソフトターン オフ ■アクティブ ミラー クランプ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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EVAL_IMD700A_FOC_3SH

EVAL_IMD700A_FOC_3SH

超低消費電力！単独またはインフィニオンのモーター制御GUIと連動して動作可能

『EVAL_IMD700A_FOC_3SH』は、コンフィギュラブル(構成可能)ゲート ドライバー、オンボード電源、保護機能を備えた製品です。 センサーレスFOC制御により最大300Wのモーター駆動が可能。 また、優れた放熱性により、高価なヒートシンクが不要で、 コンパクトなソリューションとなっております。 【特長】 ■MOTIX IMD701Aを用いた完全集積型BLDCモータードライブソリューション ■コンフィギュラブルゲートドライブ、オンボード電源、保護機能 ■XMC1404とMOTIX6EDL7141を1パッケージ化 ■単独またはインフィニオンのモーター制御GUIと連動して動作可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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ハイサイドMOSFETゲートドライバー 2ED2410-EM

ハイサイドMOSFETゲートドライバー 2ED2410-EM

バックトゥバックMOSFETトポロジー(ドレイン共通、ソース共通)対応！

「EiceDRIVER APD 2ED2410-EM」は、ロジックピンによる2出力制御や、 統合されたI-tワイヤー保護を含むスマートなハイサイドNチャンネル MOSFETゲートドライバーであり、新しい自動車電源アーキテクチャ向けに 設計されています。 昇圧コンバータの効率により、アイドル時や通常時の消費電流は μAオーダーとなり、駐車中(キーオフモード)に負荷を供給する 必要がある場合に有用です。 【特長】 ■電源電圧の範囲を拡張：3V～58V ■2つのハイサイドゲートドライバ出力(3Ωプルダウン、50Ωプルアップ) 　により、高速スイッチオフ/オンが可能 ■2つの双方向ハイサイドアナログ電流センスインターフェイス 　(外部でゲイン調整可能) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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EiceDRIVER X3 Compact(1ED31xx)

EiceDRIVER X3 Compact(1ED31xx)

デッドタイムを最小化！アプリケーションの堅牢性とシステム効率を向上

『EiceDRIVER X3 Compact (1ED31xx)』は、ミラークランプ機能などの オプションを備えたコンパクトで設計が容易な絶縁型ゲートドライバーです。 最大14A(typ)のピーク出力電流、優れた伝搬遅延マッチングを提供。 これによりIGBTやMOSFETからSiC MOSFETやIGBT7まで、様々なタイプの スイッチに好適です。 【特長】 ■(IGBT7を含む)IGBT、SiC、Si MOSFET用 ■標準出力電流14A、伝搬遅延時間マッチング7ns ■伝搬遅延90ns(入力フィルター30nsを含む) ■絶対最大出力電源電圧：40V ■ソース シンクが分離独立した出力またはミラークランプ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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EiceDRIVER X3 Compact(1ED31xx)

EiceDRIVER X3 Compact(1ED31xx)

コンパクト且つ設計が容易！40Vの絶対最大出力電源電圧のゲートドライバファミリ

『EiceDRIVER X3 Compact(1ED31xx)』は、ミラークランプ機能を搭載する オプションもあるゲートドライバファミリです。 コンパクト且つ設計が容易。 以前発売されたゲートドライバファミリには、DSO-8 150ミルナローボディ パッケージが加わりました。 【特長】 ■IGBT(IGBT7含む)、SiC、Si、MOSFET用 ■出力電流14A、伝播遅延マッチング7ns ■90nsの伝播遅延、入力フィルタで30ns ■40Vの絶対最大出力電源電圧 ■ソース出力とシンク出力の分離またはアクティブミラークランプ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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ゲートドライバー『SDM1210RE/1810P3RE』

ゲートドライバー『SDM1210RE/1810P3RE』

短絡検出及びソフトターンオフ機能搭載！ローム製SiCパワーモジュール用SiC-MOSFETゲートドライバー

『SDM1210RE/1810P3RE』は、ローム製ドライバーICを使用した SiC-MOSFETゲートドライバーです。 2回路内蔵で、短絡検出及びソフトターンオフ機能搭載。 「SDM1810P3RE」は第3世代の180A定格SiCパワーモジュールに 対応します。 【特長】 ■ローム社製ドライバーIC搭載 ■短絡検出及びソフトターンオフ機能搭載 ■ワイドレンジ入力 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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SiC-MOSFETゲートドライバー『SDM3010RE』

SiC-MOSFETゲートドライバー『SDM3010RE』

評価用として供給！BSM300D12P2E001(ROHM)用SiC-MOSFETゲートドライバーのご紹介です

『SDM3010RE』は、ローム製ドライバーICを使用した SiC-MOSFETゲートドライバーです。 リファレンスボード「BM60052-EVK-001」 同仕様品で、 実装タイプはビルトイン、絶縁耐電圧はAC2.5kV。 当製品は、ローム株式会社様より評価用として 供給されております。 【特長】 ■ローム社製ドライバーIC搭載 ■短絡検出及びソフトターンオフ機能搭載 ■ワイドレンジ入力 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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NチャネルMOSFETゲートドライバー『2ED4820-EM』

NチャネルMOSFETゲートドライバー『2ED4820-EM』

車載用電源分配アプリケーション向け！外付けMOSFET、負荷、および電源の保護を実現

『2ED4820-EM』は、SPIで制御される2出力のスマートハイサイドNチャネル MOSFETゲートドライバーです。 ドライバーのターンオンおよびターンオフの性能が強化されているため、 MOSFETの数を簡単に増やすことが可能。高速スイッチオン/オフ能力を 確保しながら、数百アンペア単位の大電流を制御することができます。 また、内蔵の電流センスアンプは、ハイサイドおよびローサイドの電流測定に 対応し、専用のモニター出力を備えています。 【特長】 ■幅広い動作電圧範囲：20V～70V ■2つの独立したハイサイドゲートドライバ出力(1Aプルダウン、 　0.3Aプルアップ)による高速スイッチオフ/オン ■電流検出 ■SPIによるデバイスの制御、設定、および診断 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • 専用IC

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MOSFETゲートドライバー『2ED2410-EM』

MOSFETゲートドライバー『2ED2410-EM』

高速スイッチオフ/オンが可能！車載用12V/24Vスマートアナログハイサイド

『2ED2410-EM』は、ロジックピンによる2出力制御や、統合された I-tワイヤー保護を含むスマートなハイサイドNチャンネルMOSFET ゲートドライバーです。 新しい自動車電源アーキテクチャ向けに設計。 また、昇圧コンバータを内蔵しているため、電源電圧が3Vまで 低下した場合でも外付けMOSFETを連続的にオンさせ、 動作させることが可能です。 【特長】 ■電源電圧の範囲を拡張：3V～58V ■2つのハイサイドゲートドライバ出力で、高速スイッチオフ/オンが可能 ■2つの双方向ハイサイドアナログ電流センスインターフェイス ■端子によるチャンネル制御/診断 ■外部温度測定用アナログインターフェイス ■ゲート低電圧ロックアウト(UVLO) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他半導体

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