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コンパクト且つ設計が容易！40Vの絶対最大出力電源電圧のゲートドライバファミリ
『EiceDRIVER X3 Compact(1ED31xx)』は、ミラークランプ機能を搭載する オプションもあるゲートドライバファミリです。 コンパクト且つ設計が容易。 以前発売されたゲートドライバファミリには、DSO-8 150ミルナローボディ パッケージが加わりました。 【特長】 ■IGBT(IGBT7含む)、SiC、Si、MOSFET用 ■出力電流14A、伝播遅延マッチング7ns ■90nsの伝播遅延、入力フィルタで30ns ■40Vの絶対最大出力電源電圧 ■ソース出力とシンク出力の分離またはアクティブミラークランプ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
短絡検出及びソフトターンオフ機能搭載！ローム製SiCパワーモジュール用SiC-MOSFETゲートドライバー
『SDM1210RE/1810P3RE』は、ローム製ドライバーICを使用した SiC-MOSFETゲートドライバーです。 2回路内蔵で、短絡検出及びソフトターンオフ機能搭載。 「SDM1810P3RE」は第3世代の180A定格SiCパワーモジュールに 対応します。 【特長】 ■ローム社製ドライバーIC搭載 ■短絡検出及びソフトターンオフ機能搭載 ■ワイドレンジ入力 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
評価用として供給！BSM300D12P2E001(ROHM)用SiC-MOSFETゲートドライバーのご紹介です
『SDM3010RE』は、ローム製ドライバーICを使用した SiC-MOSFETゲートドライバーです。 リファレンスボード「BM60052-EVK-001」 同仕様品で、 実装タイプはビルトイン、絶縁耐電圧はAC2.5kV。 当製品は、ローム株式会社様より評価用として 供給されております。 【特長】 ■ローム社製ドライバーIC搭載 ■短絡検出及びソフトターンオフ機能搭載 ■ワイドレンジ入力 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
車載用電源分配アプリケーション向け！外付けMOSFET、負荷、および電源の保護を実現
『2ED4820-EM』は、SPIで制御される2出力のスマートハイサイドNチャネル MOSFETゲートドライバーです。 ドライバーのターンオンおよびターンオフの性能が強化されているため、 MOSFETの数を簡単に増やすことが可能。高速スイッチオン/オフ能力を 確保しながら、数百アンペア単位の大電流を制御することができます。 また、内蔵の電流センスアンプは、ハイサイドおよびローサイドの電流測定に 対応し、専用のモニター出力を備えています。 【特長】 ■幅広い動作電圧範囲：20V～70V ■2つの独立したハイサイドゲートドライバ出力(1Aプルダウン、 0.3Aプルアップ)による高速スイッチオフ/オン ■電流検出 ■SPIによるデバイスの制御、設定、および診断 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
高速スイッチオフ/オンが可能！車載用12V/24Vスマートアナログハイサイド
『2ED2410-EM』は、ロジックピンによる2出力制御や、統合された I-tワイヤー保護を含むスマートなハイサイドNチャンネルMOSFET ゲートドライバーです。 新しい自動車電源アーキテクチャ向けに設計。 また、昇圧コンバータを内蔵しているため、電源電圧が3Vまで 低下した場合でも外付けMOSFETを連続的にオンさせ、 動作させることが可能です。 【特長】 ■電源電圧の範囲を拡張：3V～58V ■2つのハイサイドゲートドライバ出力で、高速スイッチオフ/オンが可能 ■2つの双方向ハイサイドアナログ電流センスインターフェイス ■端子によるチャンネル制御/診断 ■外部温度測定用アナログインターフェイス ■ゲート低電圧ロックアウト(UVLO) ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
小型パッケージ！4種類の駆動能力、スプリアススイッチングに対する耐性
「EiceDRIVER 1EDN71x6U」は、インフィニオンCoolGaNショットキーゲート (SG)HEMT、およびその他のGaN SG HEMTとSi MOSFETの駆動用に最適化された 1チャネルゲートドライバーICです。 このゲートドライバーファミリーは、Truly differential logic input(TDI)、 4つの駆動強度オプション、アクティブミラークランプ、ブートストラップ電圧 クランプなど、高速スイッチングトランジスタを用いた高性能システム設計を 可能にするいくつかの主要な機能を備えています。 【特長】 ■Truly differential input (TDI) ■4レベルの駆動能力オプション ■アクティブ ミラークランプ ■ブートストラップ電圧クランピング ■GaNに最適化された超低インダクタンスフリップチップパッケージ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
200VハイサイドTDIゲートドライバー(GaN SG HEMT、MOSFET用) ！
当社の「EiceDRIVER 1EDN71×6G」をご紹介いたします。 高速スイッチングトランジスタを用いた高性能なシステムを設計できる、 重要な機能がいくつか搭載されています。 これらの機能には、Truly Dif-ferential Input(TDI)、4つの駆動強度オプション、 アクティブミラークランプ、ブートストラップ電圧クランプ、調整可能な チャージポンプなどがあります。 【特長】 ■Truly differential logic input(TDI) ■4つの駆動力 ■アクティブ ミラー クランプ ■オプションの負の充電ポンプ ■アクティブ ブートストラップ クランプ ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
電源管理ユニット(PMU)、電流センスアンプ(CSA)、過電流保護(ITRIP)搭載！
『MOTIX 6ED2742S01Q』は、三相BLDCモーター駆動アプリケーション 向けに設計された160V SOIを使用したゲートドライバーです。 内蔵ブートストラップダイオードで3つの外部ハイサイドブートストラップ コンデンサーに電源供給し、トリクルチャージポンプで100％のデューティ サイクル動作をサポートします。 保護機能には、低電圧保護、閾値設定可能な過電流保護、フォールト通信、 自動フォールトクリアを備えています。 【特長】 ■広い入力電圧範囲：6V～140V ■駆動電流：Io＋/Io-1A/2A(最大-Typ.) ■電源管理ユニット(PMU)を内蔵 ■広い入力VIN範囲を可能にするリニア プリ レギュレータ ■内蔵充電ポンプにより安定したVCCが可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
