半導体 ＰＩＮフォトダイオード
光通信用フォトダイオード
オプトテクノでは、センサの高機能化・複雑化にともなうさまざまなニーズにきめ細かにお応えするため、カスタム・メイド半導体の設計・製作に力を入れています。 半導体の小型化、軽量化、高密度化などお気軽にご相談ください。 試作品の仕様の打ち合わせから量産までトータル・システムで承っておりますので、製作工数や部品購入費・管理費の削減など、製造諸費用のさらなるコストダウンがはかれます。
- 企業：株式会社オプトテクノ
- 価格：応相談
フォトダイオード - 企業16社の製品一覧とランキング
更新日： 集計期間:2025年03月26日～2025年04月22日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
企業ランキング
更新日： 集計期間:2025年03月26日～2025年04月22日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
- 株式会社オプトロンサイエンス 東京都/光学機器
- 新光電子株式会社 東京都/電子部品・半導体
- アールエスコンポーネンツ株式会社 神奈川県/商社・卸売り
- 4 ケイエルブイ株式会社 東京都/試験・分析・測定
- 4 コーデンシ株式会社 京都府/電子部品・半導体
製品ランキング
更新日： 集計期間:2025年03月26日～2025年04月22日
※当サイトの各ページの閲覧回数を元に算出したランキングです。
- シリコンフォトダイオード KD834 新光電子株式会社
- 4分割 InGaAsフォトダイオード 株式会社オプトロンサイエンス
- 高速 InGaAsフォトダイオード 株式会社オプトロンサイエンス
- 【光検出器・オプトカプラ】フォトダイオード ラインアップ一覧 アールエスコンポーネンツ株式会社
- 4 InGaAs VIS／NIRフォトダイオード 株式会社オプトロンサイエンス
製品一覧
16～30 件を表示 ／ 全 40 件
表示件数
フォトダイオードとは？
光通信やリモコンなどの受信機や、カメラやスキャナーなどの画像センサーなどに使用！
フォトダイオードとは、光を電気に変えることができる半導体の部品です。 光通信やリモコンなどの受信機や、カメラやスキャナーなどの画像センサー などに使われています。 光がフォトダイオードに当たると、光のエネルギーが半導体素子の中の電子を 励起します。そして、この励起された電子は、電気信号として出力されます。 【特長】 ■光が当たると、光のエネルギーが半導体素子の中の電子を励起 ■励起された電子は、電気信号として出力 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：夏目光学株式会社
- 価格：応相談
フォトダイオード
フォトダイオード
フォトダイオードは、超高速の光学イベントを検出するためのデバイスです。 光が当たると電気出力を生成し、内部ゲインはありませんが、広いダイナミックレンジで動作します。 PHOTEK社フォトダイオードの立ち上がり時間は100ps未満で、10mm、25mm、または40mm直径の光電入力面から選択できます。
- 企業：デルフトハイテック株式会社
- 価格：応相談
シリコンフォトダイオード
シリコンフォトダイオード
OSPD50シリーズは、高感度・高速応答性に優れた大面積汎用Si PINフォトダイオードです。端子間容量6pF、遮断周波数25MHz以上を実現しました。アクティブエリアは標準で0.8mmx0.8mm 1.2mmx1.2mm 2.0mmx2.0mmの３種類を用意しプラスチックパッケージサイズは小型で4x4.8x1.8mmになります。分光感度特性は可視〜赤外域用(λ=320nm~1100nm) 赤外域用(λ=760nm~1100nm)及び特別感度波長範囲としてλ=600nm~720nmの３タイプを用意。実装面積の小スペース化を可能にするリードフォーミングタイプへの対応も可能です。魅力的な低価格と短納期にて対応致します。
- 企業：オー工ステンプ株式会社
- 価格：応相談
650nm ピンフォトダイオード(650nm Pin PD)
アクティブエリア3.6 mm²の650nm Pin Photo Diode
高感度・高速応答性に優れた大面積汎用Si PINフォトダイオードです。 アクティブエリアは標準で1.9mmx1.9mmを用意。 パッケージサイズは小型で5.2x4.8x1.43mmになります。 お客様のご要求仕様へのカスタマイズ対応も検討します。 お気軽にお問い合わせください。
- 企業：オー工ステンプ株式会社
- 価格：応相談
ブラックシリコンフォトダイオード
【200nmから950nmの広い波長範囲において非常に高い感度を持つフォトダイオード】
ElFys社のブラックシリコンフォトダイオードは、原子層蓄積（ALD）コーティングを組み合わせた表面ナノ構造技術により集光性を高めた、広い波長範囲において高感度に光を検出できるフォトダイオードです。 波長範囲200nmから950nmにおいて96％以上の外部量子効率を持ちます。特に紫外域（UV）においては非常に高い感度を持ち、一般的なpn結合のフォトダイオードの約2倍光応答性が優れています。
- 企業：ケイエルブイ株式会社
- 価格：応相談
ブラックシリコンフォトダイオード ElFys SM
【ウェアラブルデバイスに適した超高感度・SMDパッケージ】ブラックシリコンフォトダイオード
ElFys SMシリーズは、可視光・近赤外光の受光性能に優れたSMDパッケージのブラックシリコンフォトダイオードです。 ■超高感度 超高感度で、より多くの光電流を出力。 PPG（光電式容積脈波）モジュールのエネルギー効率を向上させます。 ■SMD小型パッケージ 「小型パッケージ」と「高い受光部充填率」で、 革新的なウェアラブル製品の設計を可能にします。 特に、ウェアラブルデバイスのヘルスモニタリング用途に適しています。
- 企業：ケイエルブイ株式会社
- 価格：応相談
青紫レーザ対応高速フォトダイオード PDZ702NB
高感度と高速応答を同時に実現！青紫レーザ対応高速フォトダイオード
コーデンシでは、独自技術により、新しいシリコン受光素子を開発。この新開発の受光素子は、高感度と高速応答を同時に実現するもので、青紫レーザー光に対しても高い安定性を有しております。青紫対応高速ダイオード PDZ702NB として、量産しております。
- 企業：コーデンシ株式会社
- 価格：応相談
超低容量フォトダイオード
外部での電磁シールドが不要！フォトダイオードの容量を数分の一以下にし広帯域化に成功
受光システムは広帯域化すると感度が低下してしまう、また、高感度の 受光ICは外来ノイズの影響を受けやすい課題がありました。 この度、その様な課題を解決する新型受光素子の開発に成功し、広帯域化、 高感度でありながら外来ノイズの影響を受け難い受光ICを製品化しました。 当社の新型フォトダイオードは独自の構造により、従来技術の限界の 数分の一以下の超低容量化により広帯域化を実現。 内部にシールド効果を持たせることが出来るので、外部での電磁シールドを 不要とする事が出来ます。 【特長】 ■広帯域での高感度化 ■従来技術のフォトダイオードに比べ寄生容量が数分の一以下 ■外来ノイズの影響を受けない受光素子 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
- 企業：マイクロシグナル株式会社
- 価格：応相談
低偏波依存性損失 InGaAsフォトダイオード
Low PDL InGaAs フォトダイオード
■有効径：0.3～5mm ■高感度 ■カットオフ周波数(1.7um) ■低偏波依存性損失(Low PDL) ■コネクタ付可能(FC、SC、ST、SMA)
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：1万円 ~ 10万円
リニアアレイフォトダイオード(Linear Array PD)
4・8・12・16のエレメントがリニアアレイとして配置
■ファイバリボンに合わせて250umピッチのデザイン ■80umの有効径でハイスピード・低暗電流対応 ■光アイソレーション50dB ■O・S・C・Lバンドに対応
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：1万円 ~ 10万円
InGaAs電子冷却式フォトダイオード
InGaAs Thermoelectric Cooled PD
■シングル／デュアルステージTEクーラ ■有効径：0.3mm～5mm ■高シャント抵抗 ■低暗電流／低リーク電流 ■高感度 ■カットオフ波長：1.7、1.9、2.05、2.2、2.6μm ■標準パッケージ：TO-5、TO-8、TO-66 ■ファイバピグテール・SMAレセプタクル付カスタムパッケージ
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：1万円 ~ 10万円
近赤外広帯域 InGaAsフォトダイオード
Extended InGaAs PD
■有口径：0.3mm～3mm ■カットオフ波長：1.9μm、2.05μm、2.2μm、2.6μm ■高シャント抵抗 ■各種レンズ選択可能：両凸レンズ、片平レンズ、ボールレンズ ■パッケージ：TO-46、TO-18、TO-5
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：1万円 ~ 10万円
高速 InGaAsフォトダイオード
High Speed InGaAs PD
■小口径：60μm～300μm ■カットオフ波長：1.7μm ■高感度向け低暗電流 ■高速向け低容量(2.5GHz) ■パッケージ：ファイバピグテール、高信頼性ファイバピグテール付TO-46、レセプタクルとサブマウントタイプ
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：1万円 ~ 10万円
ゲルマニウムフォトダイオード(Ge Photodiode)
GPD社は、電力と高速ゲルマニウムトランジスタやダイオード・赤外フォトディテクタの製造を行っています
■小から大口径まで各種：100μm～25mm ■波長感度域：800nm～1800nm ■高直線性：>10dBm ■各種レンズ選択可能：両凸レンズ、片平レンズ及びボールレンズ ■光学フィルタ：濃度フィルタ及びバンドパスフィルタ ■シングル及びデュアルステージの電子冷却可能 ■4分割フォトダイオード ■2色(Si/Ge)サンドイッチフォトダイオード ■カスタム付属品付パッケージ可能：ファイバピグテール、高信頼性ピグテール、レセプタクルとサブマウント ■各種パッケージ：TO-46、TO-18、TO-5、TO-8、TO-9、BNC
- 企業：株式会社オプトロンサイエンス
- 価格：1万円 ~ 10万円
