外部での電磁シールドが不要！フォトダイオードの容量を数分の一以下にし広帯域化に成功
受光システムは広帯域化すると感度が低下してしまう、また、高感度の 受光ICは外来ノイズの影響を受けやすい課題がありました。 この度、その様な課題を解決する新型受光素子の開発に成功し、広帯域化、 高感度でありながら外来ノイズの影響を受け難い受光ICを製品化しました。 当社の新型フォトダイオードは独自の構造により、従来技術の限界の 数分の一以下の超低容量化により広帯域化を実現。 内部にシールド効果を持たせることが出来るので、外部での電磁シールドを 不要とする事が出来ます。 【特長】 ■広帯域での高感度化 ■従来技術のフォトダイオードに比べ寄生容量が数分の一以下 ■外来ノイズの影響を受けない受光素子 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
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企業情報
独自の新構造により他社製品に比べ5倍程度の高速化や高感度化が可能になりました。 ファブレスメーカーのメリットを活かし、ユーザーアプリケーションごとに最適な半導体 プロセスを選択することが出来ます。 量産製品に限らず少量のフルカスタムLSIの供給が可能です。 各種試作システムの活用により10個程度のLSI試作でも可能であり、製品開発段階の試作品や、計測器用の少量生産用にも供給が可能です。 システム及びアルゴリズムの開発や研究要素の強いLSIの開発も受託しており、当社特許や専門技術を活かしたICの開発が可能です。 例えば、１００Mｂｐｓ以上の光通信用光ICや周囲光の影響を 除去するセンシン グ 用イメージセンサ技術を提供しています。