独自の受光素子構造により、従来のフォトダイオードの性能限界をブレークスルーし、感度や速度を従来品の数倍にできます。

独自の新構造により他社製品に比べ5倍程度の高速化や高感度化が可能になりました。 ファブレスメーカーのメリットを活かし、ユーザーアプリケーションごとに最適な半導体 プロセスを選択することが出来ます。 量産製品に限らず少量のフルカスタムLSIの供給が可能です。 各種試作システムの活用により10個程度のLSI試作でも可能であり、製品開発段階の試作品や、計測器用の少量生産用にも供給が可能です。 システム及びアルゴリズムの開発や研究要素の強いLSIの開発も受託しており、当社特許や専門技術を活かしたICの開発が可能です。 例えば、１００Mｂｐｓ以上の光通信用光ICや周囲光の影響を 除去するセンシン グ 用イメージセンサ技術を提供しています。