フラッシュメモリのメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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フラッシュメモリ - 企業9社の製品一覧とランキング

更新日: 集計期間:2025年03月26日~2025年04月22日
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企業ランキング

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  1. ウィンボンド・エレクトロニクス(Winbond Electronics Corp. Japan) 株式会社 神奈川県/電子部品・半導体
  2. 株式会社アークテイク 東京都/電子部品・半導体
  3. Rochester Electronics, Ltd. 東京都/電子部品・半導体 日本営業本部
  4. アールエスコンポーネンツ株式会社 神奈川県/商社・卸売り
  5. 5 スイスビットジャパン株式会社 東京都/電子部品・半導体

製品ランキング

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  1. NANDフラッシュメモリ『高性能QspiNANDフラッシュ』 ウィンボンド・エレクトロニクス(Winbond Electronics Corp. Japan) 株式会社
  2. 【半導体EOL品/注目製品】SkyHigh/フラッシュメモリ Rochester Electronics, Ltd. 日本営業本部
  3. セキュアフラッシュメモリ TrustME『W77Q』 ウィンボンド・エレクトロニクス(Winbond Electronics Corp. Japan) 株式会社
  4. 認証機能付きフラッシュメモリ『W25R』 ウィンボンド・エレクトロニクス(Winbond Electronics Corp. Japan) 株式会社
  5. 4 4Mb,16Mb 3V マルチ入出力 NOR フラッシュメモリ 株式会社アークテイク

製品一覧

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Cypress FL‑L NOR フラッシュメモリ

ピン数の少ないクワッドSPIを使用することで基板スペースを節約します!

『Cypress FL‑L NOR フラッシュメモリ』は、高性能組み込みシステム向け の4KB均一セクタサイズを備えた最速クラスの製品です。 67MBpsの読み取り帯域幅により、⾼性能システムの⾼速プログラム実行を保証。 4KBの均一なセクターサイズにより、プログラムコードとパラメトリック データの保存に最大限の柔軟性が提供され、メモリ使用効率が向上します。 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。 ※詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • その他半導体

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4Mb,16Mb 3V マルチ入出力 NOR フラッシュメモリ

高速な読み取り、プログラム、消去時間によるパフォーマンスを向上!

当社で取り扱う「4Mb 16Mb 3V マルチ入出力 NORフラッシュメモリ」を ご紹介いたします。 「4Mb AS25F304MD-10S1IN」および「16Mb AS25F316MQ-10S1IN」は、 最大104MHz の高速読み取り性能と、それぞれ最小1.1msおよび2.6msの 高速プログラムおよび消去時間を組み合わせています。 最大消去/プログラム電流は1.3mAまで。最大読み取り電流は104MHzで3.7mAまでと、 コンピュータ、消費者、通信、IoT市場の需要を満たすように設計されています。 【利点(一部)】 ■シングル、デュアル、クワッド(AS25F316MQ-10S1IN)SPIモードで動作 ■100 000 回のプログラム/消去サイクルと20年間のデータ保持による  信頼性の高い長期パフォーマンス ■均一な4KBまたは32KBまたは64KB消去 ■プログラム/消去の一時停止と再開 ※英語版カタログをダウンロードいただけます。  詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • メモリ

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【注目製品】インフィニオン/サイプレスフラッシュメモリ

メモリ/製造中止品(EOL品)の再生産

インフィニオン S29GL512N10FFAR20は、サイプレス MirrorBit 製品の512Mビット(64Mバイト)フラッシュメモリです。この製品は単一の3.0Vで動作し、1.65VからVCCまでのI/O範囲を提供します。13mm×11mmのFBGA-64パッケージで提供され、-40℃~+85℃動作に対応し、AEC-Q100グレード3に認定されています。 ★ご使用中の半導体製品の在庫入手でお困りではありませんか? ロチェスターでは、70社以上の主要半導体メーカーから認定を受け、メーカー正規品在庫を提供しています。 ※オリジナル半導体メーカー認定のソリューションについて、ぜひ「PDFダウンロード」よりご覧ください。 また下記リンクからも詳細ご確認をいただけます。

  • その他半導体

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