更新日： 集計期間:2025年12月31日～2026年01月27日
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主に半導体リソグラフィ用途に13.5nmのEUV光源が用いられます！
EUVは、極端紫外光のことで、Extreme Ultravioletの略称です。 主に半導体リソグラフィ用途に13.5nmのEUV光源が用いられ、 従来のArFエキシマレーザー(193nm)に比べより微細なパターンが 描写可能です。 EUVは物質への吸収率が極めて高く透過型の光学系(レンズ)を 使用できないため、反射光学系(ミラー)を用いる必要があります。 【特長】 ■物質への吸収率が極めて高い ■透過型の光学系(レンズ)を使用できないため、反射光学系(ミラー)を 用いる必要がある ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
IBSコーティング・短波長206nm向け高反射ミラーです。
メーカー：Optoman（リトアニア） 最先端のIBSコーティング技術により、高い損傷閾値、低吸収・低散乱などの優れた特長を実現しています。OPTOMANはお客様の必要なカスタム品をご提案いたします。 ◆仕様◆ Substrate material: UVFS (C7980 0F) Diameter: 25.4 mm +0/-0.1 mm Thickness: 6.35 mm +/-0.1 mm Clear aperture: >85% Surface quality, S2: polished Surface flatness, S1: <λ/8@633 nm per CA Surface flatness, S2: NA Parallelism: <10 arcsec Protective chamfer: 0.2-0.4 x 45° Chips: <0.2 mm stoned Coatings (IBS): S1: HRp>93%@ 206 nm, AOI=45 deg S2: Uncoated
