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FOWLP、FOPLP および、次世代半導体パッケージ基板など超微細配線用硫酸銅めっき添加剤・TORYZA LCN FRV
近年、半導体パッケージング技術は、薄型化、低コスト化に不利な従来のFC-BGAに対して、ウエハに再配線層を形成し端子をチップの外側まで広げる（Fan Out）ことでチップ面積に対する端子数のアップを可能にしたFOWLP、FOPLPが注目されています。 当社は、そのFOWLP、FOPLPの再配線層形成用に新たな硫酸銅めっき添加剤を開発しました。 本製品は膜厚均一性とパターン形状の矩形性に優れ、かつ小径ビアのフィリングにも対応します。 また、チップ側端子数増加に対応するために、従来のFC-BGAのビルドアップ層上への超微細配線層形成も検討されています。 本製品はそれら次世代半導体パッケージ基板の超微細配線形成にも最適です。
高アスペクトフィリングに対応、シリコンインターポーザ向け硫酸銅めっき添加剤・TORYZA LCN SV
半導体の高性能化, 高機能化にともない、機能の異なる複数のチップを1つの基板上に実装するチップレットと3次元集積に関するパッケージング技術が注目されています。 その中でも、Si上に配線を形成したSiインターポーザは、配線の長さや幅を微細化して、高周波信号の伝送能力を高められるため、注目を集めています。 当社は高アスペクトフィリングに対応したシリコンインターポーザ向け添加剤として、TORYZA LCN SVを開発しました。 TORYZA LCN SVは、TSVへの埋め込み性に優れており、ボイドフリーかつ低膜厚で高アスペクトフィリングを実現します。
半導体ウエハの配線向け硫酸銅めっき薬品を新たに開発
半導体の高機能化、高性能化、小型化が進化するにつれて、半導体の3次元集積に関する新技術が次々と開発されています。それに伴い、配線の微細化（狭ピッチ化）への対応や放熱対策がますます重要になっています。当社は、各ご要望にお応えするため、半導体ウエハの配線向けに、硫酸銅めっき薬品、TORYZA LCNシリーズを新たに開発しました。
レべリングが良く、硬度も長期安定している印刷シリンダー用硫酸銅めっき「コスモ K」（硬質・高レベリング型）
シリンダー硫酸銅メッキ添加剤「コスモ」シリーズ。 初期建浴時の立ち上がりが極めてスムーズ。 高電流メッキができ、長期間一定の硬度を保持します。 【特長】 ■硬度が長期にわたり、一定で経日変化がありません ■使用方法、浴管理が簡単です。特別な添加剤を必要とせず、 初期建浴がスムーズです ■レベリングが向上しました ■適度な延展性があり、バラードメッキに最適です ■バリ・ザラ・ブツ・ピットは発生しません ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
