微細ばね部品へのAuめっき
品質の安定性と高信頼を実現するめっき技術
絡まった精密ばねにも高精度にめっきが可能です。 絡まりやすい形状で少量ずつしか処理ができない製品を大量処理化に成功しました
- 企業:上田鍍金株式会社
- 価格:応相談
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品質の安定性と高信頼を実現するめっき技術
絡まった精密ばねにも高精度にめっきが可能です。 絡まりやすい形状で少量ずつしか処理ができない製品を大量処理化に成功しました
はんだでの二次実装性を高める!
バリア層としてPdめっき層を中間に設けることで、Au表面へのNi露出をより効果的に制することができます。 また、Pd層を設けることでAuめっきを薄くすることができ、はんだでの二次実装性を高める効果があります。 無電解Ni・Pd・Auめっきのデメリットを解消しています。 【無電解めっきのデメリット】 ・膜厚の厚付けができない。 ・液更新による材料ロスが発生する。 ・処理時間が長く生産性が悪い。 ・下地の無電解Niの仕様に制限がある。 ↓ ↓ ↓ 【電解めっき】 ・膜厚に関係なく処理が可能。 ・材料ロスが少ないランニングコストが安い。 ・処理時間が短く、生産性向上と加工費低減が可能。 ・下地に制限なくNi以外も含め選択が可能。 【特徴】 ・電解Ni :膜厚の制限なし 非磁性目的で下地Cuめっきでも対応可能 ・電解Pd:膜厚は要求仕様による対応可能 耐熱による下地Ni層の拡散防止(バリア層) ・電解Au:膜厚の制限なし WB性・はんだ接合性が良好 半導体部品に適している
金めっき無し部(ニッケルめっき露出部)を設けられ、金めっき部は上下で厚みを変更可能!その他、表面処理に関する技術資料も進呈中!
『フープAuめっき』は、電子回路をつなぐコネクタ部品に適しためっき方法です。 実装時のハンダ吸い上がりを防止するための「ニッケルバリア」を施す高度な技術を実現。 携帯電話やスマートフォンの中を覗くと、超低背狭ピッチコネクタが使用されており、そのコネクタ端子に部分金めっきをしています。 【特長】 ■部分めっきリールtoリールラインでは、ストライプAuめっき、 スポットAuめっきが可能 ■はんだ付け部にはSnめっきおよびSnリフローも可能 ■当社独自の特殊ドラムとインラインレーザー剥離により、精度の良い部分めっきが可能 ■全面めっきリールtoリールラインでは、仕上げSnめっきを行い、下地Niめっきの他に下地Cuめっきにも対応 ■どちらの下地仕様においてもリフロー処理ができ、SUS材にも対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
金めっき無し部(ニッケルめっき露出部)を設けられ、金めっき部は上下で厚みを変更可能!その他、表面処理に関する技術資料も進呈中!
『フープAuめっき』は、電子回路をつなぐコネクタ部品に適しためっき方法です。 実装時のハンダ吸い上がりを防止するための「ニッケルバリア」を施す高度な技術を実現。 携帯電話やスマートフォンの中を覗くと、超低背狭ピッチコネクタが使用されており、そのコネクタ端子に部分金めっきをしています。 【特長】 ■部分めっきリールtoリールラインでは、ストライプAuめっき、 スポットAuめっきが可能 ■はんだ付け部にはSnめっきおよびSnリフローも可能 ■当社独自の特殊ドラムとインラインレーザー剥離により、精度の良い部分めっきが可能 ■全面めっきリールtoリールラインでは、仕上げSnめっきを行い、下地Niめっきの他に下地Cuめっきにも対応 ■どちらの下地仕様においてもリフロー処理ができ、SUS材にも対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。