DLC成膜(ダイヤモンドライクカーボン)
磨耗に強いダイヤモンドライクカーボンです
ダイヤモンド状炭素(ダイヤモンド ライク カーボン・DLC)膜の優れた特長を広くご活用いただける、表面処理加工を行います。
- 企業:東製株式会社
- 価格:応相談
1~2 件を表示 / 全 2 件
磨耗に強いダイヤモンドライクカーボンです
ダイヤモンド状炭素(ダイヤモンド ライク カーボン・DLC)膜の優れた特長を広くご活用いただける、表面処理加工を行います。
DLC成膜(膜質:ta-C領域 表面粗度Ra0.16nm 透過率:88%)を 従来では課題の多かったスパッタで実現
RAM CATHODE(4面対向式カソード)により、イオン化率を劇的に向上させ HIPIMS電源を使用せず、DCパルス電源でDLC(ta-C)の形成が可能 【従来のスパッタリング法】 カーボンのイオン化率が低い為、ta-C領域を得るには、HIPIMS電源を使用し、 強制的にイオン化率を上げなければなりませんでした。 【当社が開発したRAMカソード】 4面に対向するターゲットを配することでターゲット間の磁界により プラズマの拘束を高めることが可能となり、高密度プラズマが形成されます。 拘束されたプラズマ内において電子、反跳アルゴン、C fluxは、 互いに衝突を繰り返すことでArイオン及びCfluxのイオン化が促進され、 DLC膜においてC-C結合を容易に形成することができます。 その結果、HIPIMS電源を使用することなく、高硬度で平滑度の高いDLC形成を実現化しました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。