DLC成膜(ダイヤモンドライクカーボン)
磨耗に強いダイヤモンドライクカーボンです
ダイヤモンド状炭素(ダイヤモンド ライク カーボン・DLC)膜の優れた特長を広くご活用いただける、表面処理加工を行います。
- 企業:東製株式会社
- 価格:応相談
更新日: 集計期間:2025年08月06日~2025年09月02日
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磨耗に強いダイヤモンドライクカーボンです
ダイヤモンド状炭素(ダイヤモンド ライク カーボン・DLC)膜の優れた特長を広くご活用いただける、表面処理加工を行います。
円筒内面への真空成膜を実現!金属薄膜をコーティングし、光の円筒内反射、通電による加熱などが可能。
■概要 世界でも珍しい長さ1,500mmまでの円筒内面への薄膜形成が可能
卓越した高機能薄膜。その信頼性と実力は、四半世紀をこえる量産実績に裏付けられています。
京セラでは各種デバイスの量産でつちかった技術をもちいて、各種の機能薄膜の開発品の提供を行なっています。 <高機能薄膜開発品の一例> ・圧電(ピエゾ)薄膜(PZT) 微小変位の制禦できる、圧電薄膜。 ・サーミスタ薄膜(Cr-Al) 温度による抵抗値変化が適当であり、測定しながら 細かな温度制禦ができる、サーミスタ特性をもつ薄膜。 ・高硬度薄膜(SiC,ダイヤモンドライクカーボン:DLC) 母材にやさしい、250℃以下の低温成膜による、 密着性のよい、用途に応じた高硬度薄膜。 ・光触媒薄膜(TiO2) 紫外光を浴びることで、有機物を分解できる特製をもつ薄膜。
物質の酸化や還元反応が優先可能!従来方法では不可能であった物質の分解や合成ができます
ダイヤモンドは通常絶縁体ですが、ホウ素をドープすることで 導電性を付与することができ、ダイヤモンドの化学的安定性、 強度等の特長を保持したまま様々な用途に使用できます。 電位窓が広く、通常電気分解しにくい物質の酸化や還元反応が優先 できるため、従来方法では不可能であった物質の分解や合成が可能。 また、当社では、ダイヤモンド膜成膜時のプロセス条件や前処理を 最適化することで、オゾン水の生成に好適な導電性ダイヤモンド電極を 提供しています。 【特長】 ■物質の酸化や還元反応が優先できる ■従来方法では不可能であった物質の分解や合成が可能 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
最大成膜エリア400mmΦ・315mm□!スパッタリングによる各種薄膜の成膜
当社では、各種金属材料、酸化膜材料等の受託成膜を行っており 特にプラスチック基板上への成膜を得意としております。 通常納期は1週間程度で、ご要望によりパターン成膜も可能。 まずは成膜したい材料、用いる基材をお知らせください。 お客様のご要望をもとに、前処理条件、成膜条件、膜厚等を決定いたします。 【可能な基材】 ■ガラス ■金属 ■セラミック ■Siウエハー ■各種プラスチック材料 ※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。
クリーンルーム内での成膜により安定した品質と高い信頼性を実現しております
当社は、硝子加工一筋に取り組み、現在は超精密研磨加工の取り扱いを 主力とする企業です。 反射膜(成膜加工)は、用途に応じた金属膜・多層膜を、当社では設計から 成膜まで徹底した品質管理を行い、より高品質かつ高信頼の製品を 提供させて頂いております。 ITO膜(成膜加工)は、透明導電膜はニーズに合わせて高抵抗~低抵抗・ 高密着・高強度膜を蒸着法・スパッタリング法で対応。また、 クリーンルーム内での成膜により安定した品質と高い信頼性を実現しております。 【特長】 ■用途に応じた金属膜・多層膜を、設計から成膜まで徹底した品質管理 ■より高品質かつ高信頼の製品を提供 ■透明導電膜はニーズに合わせて高抵抗~低抵抗・高密着・高強度膜を 蒸着法・スパッタリング法で対応 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
DLC成膜(膜質:ta-C領域, 表面粗度Ra0.16nm, 透過率:88%)を 従来では課題の多かったスパッタで実現
RAM CATHODE(4面対向式カソード)により、イオン化率を劇的に向上させ HIPIMS電源を使用せず、DCパルス電源でDLC(ta-C)の形成が可能 【従来のスパッタリング法】 カーボンのイオン化率が低い為、ta-C領域を得るには、HIPIMS電源を使用し、 強制的にイオン化率を上げなければなりませんでした。 【当社が開発したRAMカソード】 4面に対向するターゲットを配することでターゲット間の磁界により プラズマの拘束を高めることが可能となり、高密度プラズマが形成されます。 拘束されたプラズマ内において電子、反跳アルゴン、C fluxは、 互いに衝突を繰り返すことでArイオン及びCfluxのイオン化が促進され、 DLC膜においてC-C結合を容易に形成することができます。 その結果、HIPIMS電源を使用することなく、高硬度で平滑度の高いDLC形成を実現化しました。 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
各種材料、基材の加工実績が豊富!基材×薄膜=光学調整・導電・抗菌/ウイルス
積水ナノコートの『スパッタリング技術』をご紹介します。 多様な用途/機能での実績があり、各種材料、基材の加工実績が豊富。 化学繊維、炭素繊維など、独自の繊維へのスパッタ加工に対応しています。 また、最大3400mm幅、スパッタ源10台まで対応可能なスパッタ装置を所有。 薄膜製品開発/販売、成膜受託加工、試作など、お気軽にご相談ください。 【特長】 ■3つの技術軸:光学調整・導電・抗菌/ウイルス ■多様な用途/機能での実績 ■各種材料、基材の加工実績が豊富 ・材料:各種金属、合金、化合物 基材:フィルム、金属箔、紙など ■独自の繊維へのスパッタ加工 ・例:化学繊維、炭素繊維、ガラス繊維、不織布、など ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
【新技術】溶射、CVDと異なる新工法で複雑構造でも全面コーティング可能! ※ケース別コーティング事例集進呈中
ナラサキ産業は限りなく精密に膜厚コントロールを実現する セラミックスDIPコーティングを開発しました。 多くの材質に対して自由度の増したセラミックスコーティングが 可能になります。 【4つの特長】 ◆形状自由度が高くメーター級での3D形状にもコーティング可能 ◆大半の高機能素材へのコーティング可能 ◆平均 50μ の厚膜が可能 ◆コーティング面の面粗度が良く円滑性に優れる (Ra0.8 以下も) 【コーティング可能対象材質】 ■ファインセラミックス(アルミナ、ジルコニア、窒化アルミなど) ■石英ガラスなどの耐熱ガラス ■黒鉛、高融点金属 ※現在、膜の緻密度のさらなる向上の改良テスト実施中です。 ※コーティング事例集をダウンロードしてご覧ください。 用途に応じ複合セラミックス膜を駆使し最適化を実現します。 お気軽にお問い合わせ下さい。
部品の傷付き、摩耗にお困りの方必見。水素フリーDLC(ta-C)膜は高硬度・高密度で、高い耐摩耗性!熱による基材の変形なし
フィルタードアーク方式(FCVA)による水素フリーのDLC膜(ta-C)は、 既存のPVD方式やCVD方式と異なり、電磁フィルターにより不純物を除くため、 パーティクルが少なく、優れた密着性と高い耐摩耗性を実現します。 また室温成膜であるためプラスチックやゴム等の低融点材料への成膜や、 セラミックス等の様々な材料への成膜も可能です。 更に10um以上の厚膜も作成可能となり、自動車部品の高品質化、長寿命化による付加価値を高めます。 DLC膜のみならず、金属膜の作成も可能です。 受託成膜、装置販売も承っております。 【特長】 ■ 高硬度 (~50GPa) ■ 高密度 ■ 高密着性 ■ 耐摩耗性 ■ 低温成膜 (<100℃) ■ DLC(TAC)+装飾膜が可能 ※詳しくはPDFをダウンロード、もしくはお問合せください。
部品の傷付き、摩耗にお困りではありませんか。水素フリーDLC(ta-C)膜は高硬度・高密度で、高い耐摩耗性を示します。
フィルタードアーク方式(FCVA)による水素フリーのDLC膜(ta-C)は、既存のPVD方式やCVD方式と異なり、 電磁フィルターにより不純物を除くため、パーティクルが少なく、優れた密着性と高い耐摩耗性を実現します。 また室温成膜であるためプラスチックやゴム等の低融点材料への成膜や、セラミックス等の様々な材料への成膜も可能です。 更に10um以上の厚膜も作成可能となり、自動車部品の高品質化、長寿命化による付加価値を高めます。 DLC膜のみならず、金属膜の作成も可能です。 受託成膜、装置販売も承っております。 【特長】 ■ 高硬度 (~50GPa) ■ 高密度 ■ 高密着性 ■ 耐摩耗性 ■ 低温成膜 (<100℃) ■ DLC(TAC)+装飾膜が可能 【適用分野】 ■ 樹脂材料、セラミックス材料 ■ 光学部品 ■ 自動車部品 ■ プリンター産業 ■ ガラスレンズ、プラスチック等の成形用精密金型の離型膜 第26回 機械要素技術展【大阪】に出展いたします。 会場:インテックス大阪 ホール名 : 6号館A 小間番号 : 32-5
中真空域でのスパッタリング技術を使用し、世界で初めて銅ダイレク成膜によるめっきシード層形成技術を開発! 従来以上の生産性を実現!
【特徴】 ■ 真空プロセスで無電解めっきなど従来工法同等以上の高い生産性を実現 ■ 新しいプラズマソースによる高密度プラズマ改質処理が可能 ■ 有機絶縁材やガラスなどへ銅のダイレクトスパッタリングにより高密着プロセスが可能 ■ スパッタリングでは難しいとされる高アスペクト率のTHやBVHへの成膜を実現 ■ 従来のスパッタリング装置に比べ圧倒的な装置コスト競争力がある 【密着強度(ピール強度)】 無アルカリガラス :~10 石英 :~7 エポキシ樹脂 :~6 ポリイミド :~12
卓越した高機能薄膜。その信頼性と実力は、四半世紀をこえる量産実績に裏付けられています。
京セラでは各種デバイスの量産でつちかった技術をもちいて、各種の機能薄膜の開発品の提供を行なっています。 <高機能薄膜開発品の一例> ・導電薄膜(Al) 大電流耐性(耐マイグレーション性)にすぐれ、耐熱性をもちながら、加工(エッチング)性にもすぐれた機能性導電薄膜。 ・非鉛強誘電薄膜(BaTiO3) ペロブスカイト型構造の化合物。キュリー点120℃付近で急激に誘電率が高くなる、非鉛型の強誘電体セラミック薄膜。 ・形状記憶合金薄膜(Ti-Ni) 単位体積あたりの仕事量が大きく、マイクロ・アクチュエータなどに応用が可能な形状記憶合金薄膜。 ・耐パルス発熱薄膜(Ta系など) 膜厚が300オングストローム程度で、耐パルス性にすぐれ、かつ加工(エッチング)性も良好な、分布にすぐれた発熱薄膜。
高エネルギーを利用して材料そのものを叩き出す、再現性に優れた成膜技術!
スパッタリング法は、プラズマ等により高いエネルギーをもった粒子(アルゴン)を成膜材料(ターゲット)に衝突させ、 その衝撃で材料成分をたたき出し、ガラスやシリコンウエハーなどの基板上に堆積させることで、薄膜を形成する方法です。 弊社では、イオンプレーティング法、真空蒸着法に加え、 スパッタリング法によるコーティングサービスも行っております。 現在、スパッタリング法での対応膜種は、Ti、TiN、TiCの3膜種とさせていただいております。
ガスを化学反応させることで緻密な薄膜を形成!低温加工も可能です。
プラズマCVD法は、膜としたい元素を含むガスを、プラズマにより励起や分解をさせて、 基板表面で吸着、反応等を経て膜を形成する方法です。 プラズマを用いるため熱CVDに比べて低温での製膜が可能です。 また、イオンプレーティング法、真空蒸着法、スパッタリング法と比べて凹凸への付きまわりがよいのも特徴です。 弊社では、イオンプレーティング法、真空蒸着法に加え、 プラズマCVD法によるコーティングサービスも行っております。 現在、プラズマCVD法での対応膜種は、DLC(Diamond-Like Carbon)、SiO2、SiN、SiCの4膜種とさせていただいております。