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ICPパワーによるイオン密度の制御！低温成膜、低ダメージ、高コンフォマリティーを実現
『SI 500 D』は、ICPパワーによるイオン密度の制御のICPECVDです。 独自のPTSA200ICPソースによる10＾12[イオン/cm3]の高いプラズマ密度により 低温成膜、低ダメージ、高コンフォマリティーを実現 ご用命の際は、当社へお気軽にご相談ください。 【特長】 ■ICPパワーによるイオン密度の制御 ■オプションのバイアスパワーによるイオンエネルギーの制御 ■リアクター圧力、分離されたガス供給ラインとICPソースと基板電極間の 間隔調整によるプロセスの最適化 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
物理蒸着(PVD)プラズマ源以外に、様々な化学的気相成長(CVD)プラズマ源を提供！
『リニアPECVDプラズマ源』は、標準的な静電容量結合プラズマ電極に類似した 製品です。 インラインダイナミックモードで動作しており、基板、キャリア、または ウェブは絶えず電極を通過し、連続的に製膜されています。 CCP CVDを用いる静止モードで大型の基板を均一に製膜するという機械的、 電気的な大規模作業が求められる場合であっても、リニアPECVDは 空間パラメーターを一次元のタスクに削減。より高い製膜速度獲得のため、 VHF周波数による製膜が想定される場合でも、巧みに取り扱うことができます。 【特長】 ■連続移動する基板には容量結合ダイナミックPECVD ■連続供給シート、キャリア、またはロール・ツー・ロールプロセス ■側面に統合されたガス分布システム ■組込まれたプロセスガス排気システム ■自由な運転姿勢：上向き、下向き、垂直 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
