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アニール炉(温度制御) - 企業3社の製品一覧

製品一覧

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アニール炉『Mini-BENCH-prism 超高温実験炉』

最高使用温度2000℃ セミオート制御 超高温実験炉(カーボン炉、タングステンメタル炉) 小型・省スペース実験炉

◉最高使用温度 Max2000℃ ◉カスタマイズ自在なヒーター構造: - 円筒状ヒーター:るつぼ内サンプル焼成(固形物、粉体、粒形、ペレット形状サンプル用) - 面状ヒーター:Φ1 〜Φ6 ウエハー、小片チップ焼成用 ◉PLCセミオートコントロール タッチパネル画面で温度調節計以外の全ての操作を行います。 煩わしいバルブ開閉・ポンプ起動操作が不要、焼成作業前の「真空/パージ」サイクルと焼成作業後の「ベント」を1ボタンで自動シーケンスで行います。 ◉MFC最大3系統 自動流量制御(又は手動調整) ◉APC自動圧力コントロール ◉作業中の安全を確保 冷却水異常・チャンバー温度異常・過圧異常を監視SUS製 堅牢な水冷チャンバー、最高温度で連続使用中でも安全にご使用いただけます。 ◉小型・省スペース 幅603 x 奥行603 x 高さ1 160mm(*ロータリーポンプ筐体内設置) 実験室での小片試料の超高温加熱実験、新素材研究開発などのさまざまな試料加熱実験が、簡単な操作で行えます。 本体は小型でありながらよりさまざまな分野の研究開発にお使いいただけます。

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  • アニール炉
  • 電気炉

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アニール炉『MiniLab-WCF 超高温ウエハーアニール炉』

Φ6〜8inch超高温ウエハーアニール装置 研究開発から小規模生産まで多目的に幅広く対応するハイパフォーマンス機

◾️ Max2000℃ ◾️ 有効加熱範囲:Φ6〜Φ8inch 枚葉式、又はバッチ式(多段5枚カセット) ◾️ ヒーター制御:1ゾーン、又は2ゾーン(カスケード制御) ◾️ ヒーター材質: ・C/Cコンポジット:Φ6〜Φ8inch ・PGコーティング 高純度グラファイト:Φ6〜Φ8inch ◾️ 使用雰囲気: ・真空(1x10-2Pa)、不活性ガス(Ar N2) ◾️ PLCセミオート運転 ・真空/パージサイクル、ベントの自動シーケンス制御 ・フルオート自動運転(オプション) ・タッチパネル操作、操作が分散せず一元管理が可能です。 ◾️ プロセス圧力制御 ・APCコントロール(MFC流量、又は自動開度調整バルブ PIDループ制御) ・MFC最大3系統流量自動制御、又はフロートメーター/ニードルバルブの手動調整 ◾️ PLOT画面グラフ表示、CSVデータ出力

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アニール炉『ANNEALウエハーアニール装置』

Max1000℃、MFC最大3系統、APC圧力制御、4 、又は6 基板対応、 高真空アニール装置(<5 × 10-7 mbar)

高真空水冷式SUSチャンバー内に設置した加熱ステージにより最高1000℃までの高温処理が可能です。チャンバー内にはヒートシールドが設置されインターロックにて安全を確保。マスフローコントローラは最大3系統まで増設が可能、精密に調整されたプロセスガス圧力での焼成作業が可能です(APC自動プロセス制御システムオプション)。 又、フロントビューポート、ドライスクロールポンプ、特殊基板ホルダー、熱電対増設、などオプションも豊富。 チャンバー内加熱ステージは、プロセスガス雰囲気・処理温度により3種類のバリエーションがあります。 ・ハロゲンランプヒーター:Max500℃ ・C/Cコンポジットヒーター:Max1000℃(真空中、不活性ガスのみ) ・SiCコーティングヒーター:Max1000℃(真空、不活性ガス、O2)

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セントロサーム 超高温バルクアニール炉

超高温熱処理と優れた温度均一性の実現により、ブール・インゴット、ウエハのバッチ処理が可能であり、欠陥や転位を最小限に抑えます。

ワイドバンドギャップ半導体デバイスの歩留まりを向上するためには、応力に起因する欠陥や転位を最小限に抑える必要があります。その手法の一つとして、半導体結晶の超高温熱処理があります。c.CRYSCOO HTA高温アニール炉は、ワイドバンドギャップ半導体のバルク結晶からデバイスまでのバリューチェーンにおいて生産性を大幅に改善させるために開発されました。優れた温度制御(最高温度2200℃)、均一性、低クロスコンタミネーションの実現により、c.CRYSCOO HTAは従来の炉を凌駕する最高のパフォーマンスを発揮します。10個以上のブール・インゴット、あるいは100枚以上の未加工ウェハーの同時処理が可能です。

  • アニール炉
  • その他半導体製造装置
  • その他金属材料

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活性化アニール炉『VF-3000H』

R&D~量産まで使用可能!3~6インチウェーハ対応の自動搬送搭載縦型炉

『VF-3000H』は、超高温処理が可能で、パワーデバイス製造に適した 活性化アニール炉です。 ミニバッチ、50枚の処理が可能で、3インチ~6インチまで幅広い ウェーハサイズに対応します。 ハードウェアと制御システムの内容を厳選し、R&D用途から量産ラインにまで お使いいただけます。 また、活性化後の炭化除去も可能な「VF-5100」もご用意しております。 【特長】 ■ミニバッチ、50枚処理、R&Dから量産ラインに対応 ■3~6インチまで幅広いウェーハサイズに対応 ■炉内は当社独自のメタルフリー構造 ■ウェーハ近傍の温度モニターが可能 ■N2ロードロックを標準装備 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

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