イメージングのメーカーや取扱い企業、製品情報、参考価格、ランキングをまとめています。
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イメージング - メーカー・企業と製品の一覧

イメージングの製品一覧

1~7 件を表示 / 全 7 件

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【分析事例】SIMSによるMEMS中ドーパントの三次元分布評価

イメージングSIMSにより微小領域・微量元素の濃度分布を可視化できます

市販品MEMSについて、BとAsの三次元イメージングSIMS測定を行いました(測定領域:75μm角、深さ:約1.5μm)。測定後のデータ処理により、任意断面・任意深さの面分布、任意領域の深さ方向分布、任意箇所のラインプロファイルの抽出が可能です。 注) イオンビームで試料を掘りながら、深さ方向にイメージを取り込みますので、破壊分析となります。

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【分析事例】SIMSによるNPT-IGBT中ドーパント調査

イメージングSIMSによって局在する元素の評価が可能

NPT-IGBTエミッタ側の50μm角の領域についてイメージングSIMS測定を行いました。図1に分析によって得られた11B、Asのイオンイメージを示します。11BとAsは同じ領域に注入されていることがわかります。 また、通常の分析では検出領域全体の各元素の平均濃度が算出されてしまいますが、イメージングSIMS測定においては、部分的にデプスプロファイルを抽出することができるため、面内に局在するドーパントの濃度分布を評価することができます(図2)。

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Vintasoft

WEB向けのプロフェッショナルなImage Acquisitionなどを開発!

『Vintasoft』は、.NET、WPF、およびWEB向けのプロフェッショナルな Image Acquisition、Barcode Reader and Generator、Document Imaging SDKを開発しています。 印象的で使いやすい「Vintasoft Imaging .NET SDK」や、 「Vintasoft Barcode .NET SDK」などの製品をご用意。 ご要望の際は、当社までお気軽にお問い合わせください。 【特長】 ■種別:シェアウェア ■言語:英語 ■動作環境:Windows、Linux、macOS ※詳しくは関連リンクをご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

  • ソフトウェア(ミドル・ドライバ・セキュリティ等)

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技術者チーム『morpho』

映像監視の業務にAIの目による自動チェック導入!生産性向上や技術の継承者不足を解消

『morpho』は、デジタル画像処理技術と先端の人工知能(AI)/ディープ ラーニングを融合した「イメージングAI」分野の技術者チームです。 AIを使って検査画像を自動分類することで、検査プロセスの高速化・ 高精度化が可能になり、検査数の増加と期間の短縮を同時に実現。 熟練した技術を要する仕事において、AIのサポートにより経験が 浅くても業務対応が可能になり、業務の生産性向上や技術の 継承者不足の解消につながります。 【特長】 ■検査プロセスの高速化・高精度化が可能 ■検査数の増加と期間の短縮を同時に実現 ■定型作業の精度向上と労働環境の改善を実現 ■経験が浅くても業務対応が可能になる ■生産性向上や技術の継承者不足の解消につながる ※詳しくはPDFをダウンロードしていただくか、お気軽にお問い合わせください。

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  • その他

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【分析事例】Si系太陽電池のBSF層の評価

断面イメージングSIMSにより面内分布のある不純物評価が可能

表面に凹凸のある太陽電池について、凹凸の影響を避けて面内分布評価を行う方法として、断面加工試料をイメージングSIMSにより評価した事例を紹介します。断面SCMによりp+ Si層と判定された領域では、BとAlが高濃度存在することが分かりました。さらに、ラインプロファイルを用いてドーパント分布を濃度変換し、面内の不均一の度合いを数値化しました。太陽電池以外にもパワーデバイスなどの深い接合評価、トレンチ間・内部の不純物分布評価などに適用できます。 測定法:SIMS・SCM・SNDM 製品分野:太陽電池 分析目的:微量濃度評価・組成分布評価・形状評価 詳しくは資料をダウンロード、またはお問い合わせください。

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【分析事例】SIMSによるZnO膜の組成・不純物の分布評価

イメージングSIMS分析により面内分布を可視化

デバイス作成の要素の一つである膜組成の均一性と不純物の分布状態をイメージングSIMS分析により評価しました。 測定後のデータ処理により、平面イメージ(図1)・断面イメージ(図2)・任意箇所の深さ方向分布プロファイル(図3、 4)・ラインプロファイルを得ることができます。構成材料・不純物の分布から、プロセス・膜質改善に繋がる情報を得ることができます。

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【分析事例】SIMSによるSiCパワーMOSFETドーパント評価

イメージングSIMSにより、局在する元素の評価が可能

市販のSiCパワーMOS FETを解体し、素子パターンを含む20um角の領域で深さ0.5umまでイメージングSIMS測定を行い、ドーパント元素であるAl、N、Pの濃度分布を評価しました。 イメージングSIMS測定後のデータ処理から、試料面内に局在するAl、N、Pの深さ方向濃度分布を抽出した事例をご紹介します。

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